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白旭旭; 介万奇; 查钢强; 王涛; 傅莉;
西北工业大学材料学院;
肖特基; Al/CdZnTe; I—V; C—V;
机译:Pt肖特基接触点热退火对四元n-Al0.08In0.08Ga0.84N薄膜的影响
机译:热退火对n型4H-SiC上Au / Ni肖特基接触特性的影响
机译:退火温度对n型GaN上钌基肖特基接触的电特性的影响
机译:Al和Pt / Ti同时退火对n-GaN肖特基二极管电学特性的影响
机译:n型4H碳化硅的不均匀性及其对肖特基接触电特性的影响。
机译:通过使用选择性退火制备的肖特基型金属半导体 - 金属Al0.24Ga0.76N uV传感器
机译:AlGaN / GaN上退火的Ti / Si / Ti / Al / Ni / Au中的肖特基-欧姆特性
机译:双相退火Ti-8aL-1mO-1V和磨机退火Ti-6aL-4V在空气和腐蚀环境中的动态亚临界裂纹扩展特性。
机译:由于连续退火而产生表面特性的Al镇静冷轧钢板的生产方式无效
机译:具有肖特基接触和高频特性的场效应晶体管
机译:高温超导体直接接触进行部分微熔扩散焊接并生成第二套雷伯高温超导体的方法,并通过供氧退火热处理来恢复超导特性
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