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刘杰; 沈波; 周玉刚; 周慧梅; 郑泽伟; 张荣; 施毅; 郑有炓;
南京大学物理系;
调制掺杂; AlGan/GaN异质结; 肖特基接触; 表面处理;
机译:AlGaN / GaN异质结构上热退火的Ni / Au和Ni / Pt / Au肖特基接触的电和微观结构性质
机译:AlGaN / GaN异质结构的低温退火对蒸发的基于Pt的肖特基接触的附着力的影响。
机译:双异质结上Si衬底AlGan / GaN肖特基势码的理论与实验研究
机译:Pt肖特基接触在调制掺杂的Al / sub x / Ga / sub 1-x / N / GaN异质结构上的性质
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:在GaN和AlGaN / GaN异质结构上形成的Pt肖特基二极管气体传感器
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:门控AlGaN / GaN异质结肖特基器件
机译:SI掺杂的Algan / GAN高电子迁移率晶体管结构上的肖特基二极管PH传感器
机译:利用掺杂的Algan / GAN HEMT结构的肖特基二极管型PH传感器
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