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【2h】

Effects Of Thermal Annealing Of Pt Schottky Contacts On n-GaN.udud

机译:Pt肖特基接触点的热退火对n-GaN的影响。 ud ud

摘要

In this paper, the Schottky behavior of Pt contact on n- GaN grown by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy was investigated under different annealing temperatures.ud
机译:本文研究了在不同退火温度下,RF-等离子体辅助分子束外延生长的n-GaN上Pt接触的肖特基行为。 ud

著录项

  • 作者

    C W Chin; Hassan Z; F K Yam;

  • 作者单位
  • 年度 2007
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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