功率因子

摘要： 为研究离子液体(IL)添加剂对聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)薄膜热电性能的影响,制备了一系列不同IL质量分数的PEDOT:PSS/IL薄膜,进行了电导率、塞贝克系数的测试及热电器件输出特性的分析。结果表明:在IL质量分数为50%时,PEDOT:PSS/IL薄膜的电导率达到最高为384 S/cm,塞贝克系数为28.1μV/K,在室温下热电功率因子高达30.3μW/(m·K^(2)),远高于初始不添加IL的PEDOT:PSS薄膜。热电器件测试结果表明,在10 K的温差下,产生的最大输出功率为0.54 nW。研究表明离子液体能有效提升PEDOT:PSS薄膜的热电性能,并适合应用于柔性热电发电机中。

摘要： Ca_(3)Co_(4)O_(9)是近年来公认的适合在恶劣环境下应用的热电材料,但低功率因子限制了其在热电转换方面的表现。为探究Ca位双掺杂Ag-Yb是否可进一步改进Ca_(3)Co_(4)O_(9)的性能,建立了Ca_(3)Co_(4)O_(9)体系、Ca位的单掺杂Ag、Yb体系以及双掺杂Ag-Yb体系的理论模型,基于量子化学计算并分析了单、双掺杂体系的马利肯键布居、态密度和载流子相对质量,从微观特征变化探究掺杂对功率因子的影响。结果表明:双掺杂Ag-Yb体系整体布居数较单掺杂体系降低更多;双掺杂Ag-Yb后,费米能级处态密度值显著增加,价带顶部上移,带隙减小,体系赝能隙减小;双掺杂体系的载流子相对质量大幅增加。

摘要： 针对当前民用飞机预冷器性能设计缺乏普适、量化的评价标准问题,提出了基于飞机运营包线分解的性能设计思路,并给出基于功率因子的定量评估指标参数。基于系统的运行逻辑,提出了一种适用于工程计算的快速校核方法。与真实引气系统性能对比分析表明,基于功率因子的定量预冷器换热临界点选择方法,能够准确地捕获预冷器的性能设计点。而在已知预冷器性能特性的情况下,快速校核计算方法能够较为准确地得出预冷器的出口温度。

摘要： 近日,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室肖钰特聘研究员与北航赵立东教授合作,通过能带锐化、动态掺杂以及半共格界面设计,实现了n型PbSe基热电材料中电子和声子的解耦传输,大幅提升其热电性能。首先,SnS固溶使PbSe的导带形状锐化,降低载流子有效质量,有利于在低温区获得高的电传输性能;其次,通过Cu间隙原子掺杂,在全温区动态优化载流子浓度,获得高的功率因子;最后,大量的SnS第二相固溶在PbSe基体中形成半共格界面,在保持高的载流子迁移率的同时增强声子散射,降低晶格热导率。

摘要： 通过真空熔炼、快速凝固、球磨制粉、冷压成形和常压烧结工艺,制备了Bi_(2)Te_(2.7-z)S_(z)Se_(0.3)热电材料,表征了Bi_(2)Te_(2.7-z)S_(z)Se_(0.3)热电材料晶体结构、微观形貌、塞贝克系数、热导率、热电优值和功率因子等热电性能。研究了掺杂S的Bi_(2)Te_(2.7-z)S_(z)Se_(0.3)热电材料热电性能与机理。结果表明,Bi_(2)Te_(2.7-z)S_(z)Se_(0.3)热电材料晶体结构为R-3m空间群斜方晶系的六面体层状结构;掺杂S的Bi_(2)Te_(2.7-z)S_(z)Se_(0.3)热电材料,生成较Bi-Te化学键强的Bi-S,V¨Te空位形成能E_(v)(Bi-Te)降低,Bi′Te位缺陷形成能E AS(Bi-Te)增加,抑制反位缺陷Bi′Te,降低了格热导率和双极扩散热导率。同时使Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)热电费米能级向导带移动,能带间隙增大,提高本征激发温度,减少少数载流子浓度,态密度(DOS)有效质量增大,塞贝克系数和功率因子增大。300~400 K,Bi_(2)Te_(2.62)S_(0.08)Se_(0.3)热电材料的塞贝克系数约:-224μV/K,热电优值(ZT)约:0.85,功率因子约:1.48 mW/(m·K 2),对开发低温制冷和温差发电材料具有一定实际意义。

摘要： Bi_(2)Se_(3)是近年来发现的具有超低本征晶格热导率材料,显示出比传统的Bi_(2)Se_(3)更高的热电性能潜力.本文采用真空热蒸发法制备了具有(001)取向生长的N型纯相Bi_(2)Se_(3)纳米晶薄膜,并通过Sb共蒸发,制备得到不同掺杂浓度的Bi_(1-x)Sb_(x)Se热电薄膜.对薄膜样品物相、形貌、组份、晶格振动、化学价态及电输运性质进行了表征.结果显示,Sb进入到Bi_(2)Se_(3)晶格中取代了Bi原子的位置,而Sb原子与Bi原子之间的金属性差异使得掺杂后的样品载流子浓度下降,塞贝克系数上升.同时,随着Sb掺杂浓度的增大,组成薄膜的纳米晶粒尺寸减小,薄膜面内形成更加致密的层状结构,有利于载流子输运,导致样品的载流子迁移率由13.6 cm^(2)/(V·s)显著提升至19.3 cm^(2)/(V·s).受到Seebeck系数与电导率的综合作用,Bi_(0.76)Sb_(0.24)Se薄膜具有2.18μW/(cm·K~2)的室温功率因子,相对于未掺杂Bi_(2)Se_(3)薄膜功率因子得到提升.本工作表明Bi_(2)Se_(3)基薄膜在近室温热电薄膜器件中具有潜在的应用前景.

摘要： 因为晶体结构以及热电性能各向异性,硒化锡(SnSe)沿b轴方向表现出优异的热电性能,受到业内的广泛关注.但关于SnSe薄膜研究的报道较少.本研究利用磁控溅射技术,将SnSe沉积到Si/SiO2基底得到SnSe薄膜,分析了沉积温度对SnSe薄膜结构和热电性能的影响.结果显示:沉积温度升高,晶粒尺寸相应增加,薄膜的结晶质量也随之提高.在573 K的沉积温度条件下,能获得高结晶质量和良好化学计量比的(111)取向SnSe薄膜,该薄膜具有约为1.25μW/(cm·K2)的最大功率因子(PF).当沉积温度升高至773 K时,可以得到具有超高迁移率和赛贝克系数的(400)织构SnSe薄膜,该薄膜在573 K的测试温度下,其最大PF为0.5μW/(cm·K2),实现接近于文献报道的相同温度下单晶SnSe沿a轴的PF.本研究的结果证明了高沉积温度对SnSe薄膜微观结构和热电性能调控的重要性,并且为通过设计和调控SnSe基薄膜有序结构来提升其热电性能提供了新的研究思路.

摘要： 采用微波加热4 min成功合成了Bi1?xCuSeO和BiCu1?ySeO(x,y=0,0.02,0.03,0.04,0.05),随后在650°C下采用放电等离子烧结5min获得相对致密度约95％的热电块体,并对它们的物相组成、微观结构、电输运性能进行系统研究.X衍射分析表明,样品衍射峰与四方晶系BiCuSeO标准卡片吻合,但部分样品中含有少量杂质;微观结构分析结果表明,空位样品晶粒呈针状、条状,平均晶粒尺寸约为2～4μm;电性能分析表明,虽然空位样品的塞贝克系数相比非空位BiCuSeO样品的略有降低,但空位处理显著提高了样品的导电性,其中Bi空位浓度对Bi1?xCuSeO电阻率的影响较不规律,BiCu1?ySeO样品电阻率随Cu空位浓度提高呈规律性降低、导电性增强.综合来看,空位处理可以大幅提高样品综合电性能即功率因子,其中Bi0.96CuSeO的功率因子最高达到395.1μW/(K2?m),BiCu0.95SeO功率因子最高达到481.5μW/(K2?m),分别为非空位BiCuSeO样品最高功率因子的2.1倍和2.5倍.

摘要： 针对主动隔振中次级通道存在的时变特性和传统在线辨识方法导致的主动隔振效果较差问题,提出了一种基于次级通道在线辨识的变步长主动隔振控制算法.通过附加高斯白噪声对次级通道实时建模,同时引入功率因子在设定范围内对主动控制迭代步长和白噪声功率进行调整,并搭建了单通道主动隔振实验平台,仿真和实验研究结果表明:所提算法降低了计算量,有效解除了主动控制和通道建模的耦合;可对具有时变特性的次级通道进行快速准确建模,提高了收敛速度和控制精度,对双频激励取得了显著的控制效果.

摘要： 用Sb2 O3和TeO2作为前驱体,室温下在硝酸溶液中通过电沉积技术在ITO玻璃上制备了Sb2 Te3热电厚膜材料.为了调查沉积电势对厚膜形貌的影响,分别采用不同的电位制备了两个厚膜材料,并在Ar气氛下退火,然后进行XRD物相表征;通过SEM对厚膜形貌进行观察,用EDS研究其组成;用台阶仪对膜厚度进行测试.形貌观察结果表明,低电位下制备的厚膜相比高电位(更负的电位)下制备的膜更致密,厚膜形貌呈现"笼"的形状,在低电位下厚膜生长过程中优先形成更多的晶核;更负电位下制备的厚膜遵循bottom-up的生长方式,在电沉积过程中,厚膜优先"从底部向上生长",取代了低电位下形成更多晶核的生长方式,所以,从其侧面看,犹如茂密的"森林";从上面俯视,厚膜呈现"菜花头"形状,不够致密.运用电化学成核理论分析了两种不同电位下制备厚膜的生长机理以及形貌的成因.此外,为了获得更加致密的膜,避免不利于厚膜测试的缺点,把冷等静压工序引入较负电位下制备的膜的后处理工序,室温下测试了厚膜的热电性能.结果表明,制备的厚膜材料具有较大的电导率,不同电位下制备的厚膜材料的功率因子分别是36.86和39.15μW/mK2,该厚膜材料在热电应用领域具有极大的潜力.

摘要： 现代工控现场有许多地方需要测得交流电的有效值、频率、功率因子、有功功率等.本文提供了一种由单片机实现的测量发电机电压与电流的相位差,进而实现对发电机功率因子测量的方法.

摘要： 现代工控现场有许多地方需要测得交流电的有效值、频率、功率因子、有功功率等.本文提供了一种由单片机实现的测量发电机电压与电流的相位差,进而实现对发电机功率因子测量的方法.

摘要： 现代工控现场有许多地方需要测得交流电的有效值、频率、功率因子、有功功率等.本文提供了一种由单片机实现的测量发电机电压与电流的相位差,进而实现对发电机功率因子测量的方法.

摘要： 利用机械合金化获得Bi85Sb15-xRex(其中x=2,3,4)纳米粉末,523K温度下分别采用5GPa高压烧结和50MPa等离子火花烧结(SPS)方法,合成了Bi85Sb15-xRex合金.测试了Bi85Sb15-xRex样品在80-300K温区的电导率和Seebeck系数,计算了材料的功率因子随温度的变化关系.结果表明:高压样品Bi85Sb11Re4的Seebeck系数在140K达到最大值-142.5μV/K,比SPS烧结样品在同温度下高出大约25％,功率因子在290K达到2.7×10-3W/(m·K2),实验结果表明:采用不同的制备方法可以有效地提高Bi85Sb15-xRex材料在低温下的热电性能.

摘要： 热电材料的热电转换功能使热电材料研究成为当前研究的热门领域之一.Ag2Te是一种具有较低热导率的热电材料,当温度高于418K时,Ag2Te将由单斜晶系(?-Ag2Te)转变为面心立方晶系(?-Ag2Te).?-Ag2Te的禁带宽度较窄,当温度达到473K以上时,将会产生热激发而降低热电性能.本文研究了Ag2Te在Se替代的情况下,在低温下(77～300K)的电输运性能.通过实验发现,随着Se含量的增大,样品的Seebeck系数绝对值不断减小,电导率呈现先增大后减小的趋势.功率因子随着Seebeck系数和电导率的变化,呈现先增大后减小的趋势.Se替代Te是一种可以有效提高Ag2Te功率因子的方法.

摘要： 采用粉末冶金快速热压法将ZnO纳米颗粒掺杂进入Bi2Te27Se0.3基体,得到n-(ZnO)x(Bi2Te27Se0.3)1-x(x为ZnO摩尔分数,x=0、0.1、0.15、0.2)块体合金材料.在300-550K范围内研究了ZnO掺杂量和热压工艺对该材料热电性能的影响。结果表明在压制压力为20MPa、775K下烧结20min获得了相对密度达到95％,晶粒尺寸在1μm左右的块体材料.当ZnO掺杂量x(=)0.2,电导率在300K时达到1067S/cm.Seebeck系数在473K时达到202μV/K,功率因子在300K时达到32.7μW/(cm·K2),该性能已具备了实用价值,为进一步的热电器件研制打下基础.

摘要： 采用机械合金化法获得Bi0.85Sb0.15-xPbx(其中x=0、0.01、0.03、0.05)纳米晶粉末材料,在常温下用1GPa压制成型,然后在473 K温度下烧结2h制成块材,并对其热电性能进行了研究。在80～300K温区测量了样品的Seebeck系数和电导率,并计算出材料在80～300K温区的功率因子变化情况。结果表明：掺入Pb后材料由n型变为p型,在205K Bi0.85Sb0.14Pb0.01样品的Seebeck系数为101μV/K,在80～180K掺入少量Pb样品的电导率和功率因子比没掺Pb样品要高,表明掺入Pb可以明显改变Bi0.85Sb0.15纳米晶粉末材料在低温下的热电性能。

摘要： 热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料。近年来研究发现，薄膜热电材料及其器件有高的热电转换效率和实用性，具有重要的研究价值和市场实用价值。本文首先介绍国内外低温Bi-Sb-Te系热电薄膜材料的研究现状，在阐述提高Bi-Sb-Te系薄膜热电材料性能的方法、途径以及其应用的基础上，介绍了热电薄膜制备技术方面的关键科学问题所在。其次介绍了国内外薄膜温差电池的研究进展和发展趋势。在总结薄膜热电材料及其器件发展历史和分析热电理论的基础上，阐述了薄膜温差电池方面的研究进展和关键技术所在。

摘要： 热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料。近年来研究发现，薄膜热电材料及其器件有高的热电转换效率和实用性，具有重要的研究价值和市场实用价值。本文首先介绍国内外低温Bi-Sb-Te系热电薄膜材料的研究现状，在阐述提高Bi-Sb-Te系薄膜热电材料性能的方法、途径以及其应用的基础上，介绍了热电薄膜制备技术方面的关键科学问题所在。其次介绍了国内外薄膜温差电池的研究进展和发展趋势。在总结薄膜热电材料及其器件发展历史和分析热电理论的基础上，阐述了薄膜温差电池方面的研究进展和关键技术所在。

摘要： 热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料。近年来研究发现，薄膜热电材料及其器件有高的热电转换效率和实用性，具有重要的研究价值和市场实用价值。本文首先介绍国内外低温Bi-Sb-Te系热电薄膜材料的研究现状，在阐述提高Bi-Sb-Te系薄膜热电材料性能的方法、途径以及其应用的基础上，介绍了热电薄膜制备技术方面的关键科学问题所在。其次介绍了国内外薄膜温差电池的研究进展和发展趋势。在总结薄膜热电材料及其器件发展历史和分析热电理论的基础上，阐述了薄膜温差电池方面的研究进展和关键技术所在。

摘要： 不同示例实施例涉及用于低负载的功率因子校正器及相关方法。所述功率因子校正器通过修改开关时间或者由所述功率转换器接收到的电流，在低负载或者高干线电压下提升功率因子。不同实施例通过在下降时间期间增大控制开关的接通时间来实现这一点，使得干线周期期间接通时间的大部分出现在下降时间期间。各种实施例可以控制由所述转换器接收的电流来补偿由中间滤波器接收的电流。一些实施例可以采用反馈系统来产生一个或者多个误差信号，所述误差信号修改用于控制所述转换器操作的控制信号。各种实施例还可以包括用于限制所述误差信号补偿范围的附加级。

摘要： 本发明提供一种功率因子修正控制器及其无桥式功率因子修正电路，用以控制至少一开关元件的导通状态；此功率因子修正控制器具有一反馈控制电路、一导通电流侦测电路与一开关元件控制电路；反馈控制电路依据一反馈电压信号，产生一反馈控制信号用以控制该开关元件中断；导通电流侦测电路，具有一筘位电路；此筘位电路至少依据一导通电流侦测信号的负电位部分，产生一在正电位范围内变化的电位变化信号；导通电流侦测电路至少依据所述电位变化信号，产生一截止信号以控制开关元件中断；开关元件控制电路依据反馈控制信号与截止信号，控制开关元件中断。本发明功率因子修正控制器可以解决功率因子修正电路不易控制的问题。

摘要： 一种低功率损耗的升压型功率因子校正装置，包含一晶体管开关、一二极管、一第一分压电阻、一第二分压电阻及一功率因子校正控制单元。该功率因子校正控制单元包含一脉波宽度调变信号产生器、一信号反向子单元及一开关子单元。该脉波宽度调变信号产生器传送脉波宽度调变信号至该信号反向子单元；依据脉波宽度调变信号，该信号反向子单元产生反向脉波宽度调变信号以控制该开关子单元的开关状态；当该晶体管开关不导通时，该开关子单元导通，使得该功率因子校正控制单元接收到从该第一分压电阻及该第二分压电阻之间所产生的电压回授信号。

摘要： 本发明是关于一种具有功率因子修正的无桥式功率转换器，其包含一第一电感与一第二电感分别自一第一输入端与一第二输入端耦接至一第一感测晶体管与一第二感测晶体管；一第一二极管与一第二二极管分别自第一感测晶体管与第二感测晶体管耦接至一输出电容；一控制电路产生一第一切换讯号与一第二切换讯号，以控制第一感测晶体管与第二感测晶体管。当第一切换讯号切换第一感测晶体管时，第二切换讯号会驱使第二感测晶体管导通；当第二切换讯号切换第二感测晶体管时，第一切换讯号会驱使第一感测晶体管导通，以达到高效能。

摘要： 一种功率因子校正(power factor correction，PFC)功率转换器的控制电路，其包括一脉冲宽度调制电路、一放大器、一检测电路以及一电容器。脉冲宽度调制电路根据一回路信号产生一切换信号。放大器耦合来接收一切换电流以产生回路信号。检测电路产生一模式信号，此模式信号耦合来改变放大器的输出阻抗。电容器耦接放大器。切换信号耦合来切换PFC功率转换器的一电感且产生切换电流。

摘要： 本发明提供一种功率因子修正控制器及其无桥式功率因子修正电路，用以控制至少一开关元件的导通状态；此功率因子修正控制器具有一反馈控制电路、一导通电流侦测电路与一开关元件控制电路；反馈控制电路依据一反馈电压信号，产生一反馈控制信号用以控制该开关元件中断；导通电流侦测电路，具有一筘位电路；此筘位电路至少依据一导通电流侦测信号的负电位部分，产生一在正电位范围内变化的电位变化信号；导通电流侦测电路至少依据所述电位变化信号，产生一截止信号以控制开关元件中断；开关元件控制电路依据反馈控制信号与截止信号，控制开关元件中断。本发明功率因子修正控制器可以解决功率因子修正电路不易控制的问题。

摘要： 不同示例实施例涉及用于低负载的功率因子校正器及相关方法。所述功率因子校正器通过修改开关时间或者由所述功率转换器接收到的电流，在低负载或者高干线电压下提升功率因子。不同实施例通过在下降时间期间增大控制开关的接通时间来实现这一点，使得干线周期期间接通时间的大部分出现在下降时间期间。各种实施例可以控制由所述转换器接收的电流来补偿由中间滤波器接收的电流。一些实施例可以采用反馈系统来产生一个或者多个误差信号，所述误差信号修改用于控制所述转换器操作的控制信号。各种实施例还可以包括用于限制所述误差信号补偿范围的附加级。

摘要： 安装到功率因子提高电路的集成电路(41)的是用于输出电容器(35)中的充电电压和预定电压之间的差值电压的误差放大器(40A)、用于设定接通/关断开关元件(36)的定时的定时设定电路(40B)、比较器(41e)以及开关(41f)。当瞬间电力故障发生并且电容器(35)中的充电电压下降时，比较器(41e)检测到该下降并且接通开关(41f)。响应该情况，电容器(42)放电，并且将要输入到定时设定电路(40B)中的差值电压设置为0。当电源恢复时，开关元件(36)被接通的周期被缩短，因此抑制了电容器(35)中充电电压的过度上升。

摘要： 本发明提供一种具有功率因子与负载电流振幅因子修正功能的电子镇流器电路，其电连接一输入电源，该输入电源提供一输入电压，该电子镇流器电路包含：一整流器，其电连接该输入电压，将该输入电压进行整流，提供一第一电压；一电能转换器，其电连接该整流器，将该第一电压高频切换输出，以提供一负载电能；以及一填谷式电路(valley fill circuit)，其电连接该电能转换器的一输出端与该第一电压，当该第一电压高于一设定值，该电能转换器将该第一电压切换输出对该填谷式电路充电储蓄电能，当该第一电压低于该设定值，该填谷式电路提供一补充电能，补充该第一电压，该设定值可由该填谷式电路设计而调整。

摘要： 一种低功率损耗的升压型功率因子校正装置，包含一晶体管开关、一二极管、一第一分压电阻、一第二分压电阻及一功率因子校正控制单元。该功率因子校正控制单元包含一脉波宽度调变信号产生器、一信号反向子单元及一开关子单元。该脉波宽度调变信号产生器传送脉波宽度调变信号至该信号反向子单元；依据脉波宽度调变信号，该信号反向子单元产生反向脉波宽度调变信号以控制该开关子单元的开关状态；当该晶体管开关不导通时，该开关子单元导通，使得该功率因子校正控制单元接收到从该第一分压电阻及该第二分压电阻之间所产生的电压回授信号。