键级

摘要： 为了分析研究团簇FePS_(3)的成键情况及稳定性,在B3LYP/def2-tzvp水平下,运用密度泛函理论对团簇FePS_(3)进行全参数优化计算,得到二、四重态下共12种稳定构型。平面五边形构型1(4)的校正能、结合能和吉布斯自由能变均最小,热力学稳定性最优。从各原子间化学键的平均键级、平均键长和成键键级贡献率分析发现,团簇FePS_(3)各原子间成键键级贡献率的顺序为:P-S键>Fe-S键>S-S键>Fe-P键。其中P-S键的平均键级较大,平均键长较短,成键强度最大,对团簇FePS_(3)总成键键级贡献率也最大。研究结果可为非晶态合金Fe-P-S三元体系的磁性、电子性质及催化性质的研究提供理论依据。

摘要： 在B3LYP/Lanl2dz水平下,运用密度泛函理论(DFT)对团簇NiMo3P进行优化计算,得到四重态4种、二重态5种,共9种稳定构型.其中三角双锥型为团簇NiMo3P的优势构型.对团簇NiMo3P的稳定性与键长、键级进行研究,结果表明:构型1(4)的热力学稳定性最好,自发形成的趋势最大;团簇NiMo3P各原子间成键强度大小顺序为Ni—P键>Mo—P键>Mo—Mo键>Ni—Mo键;金属原子与非金属原子间的成键强度、对团簇稳定性的贡献度远大于金属-金属原子,但金属原子间的成键对于团簇NiMo3P稳定性的贡献同样不可忽略.

摘要： 为了探究微观状态下团簇Co2Mo2P3稳定性的影响因素,利用密度泛函理论中B3LYP/Lanl2dz方法对初始构型进行优化分析,最终得到8种稳定构型,二重态和四重态各4种.通过对校正能和吉布斯自由能等参数进行分析,得出构型1(2)热力学稳定性最好,最不稳定的是构型4(2);键长和键级分析表明,Co-Mo键和Co-P键存在拮抗作用,Co-Co键和Mo-P键具有协同作用.

摘要： 为研究团簇Mo3S4的成键作用及电子性质,以密度泛函理论为基础,在B3LYP水平上进行优化计算,得到8种稳定构型,其中单、三重态各4种.对键长、键级、电荷量以及电子自旋密度分布分析表明,各构型中成键强度由大到小为:金属-非金属键(Mo-S)>金属-金属键(Mo-Mo)>非金属-非金属键(S-S);其中Mo-S键作为稳定性的主要贡献者,具有较强的成键作用.团簇呈电中性,且电子均由Mo原子流向S原子,电子流动性的大小为:3(1)<4(3)<2(3)<2(1)<1(3)<1(1)<4(1)<3(3).构型1(3)的电子自旋密度图的对称性与重叠程度均优于其他三重态构型,由此说明构型1(3)的稳定性最好.

摘要： 为研究团簇Mo_(3)S_(4)的成键作用及电子性质,以密度泛函理论为基础,在B3LYP水平上进行优化计算,得到8种稳定构型,其中单、三重态各4种。对键长、键级、电荷量以及电子自旋密度分布分析表明,各构型中成键强度由大到小为:金属-非金属键(Mo-S)>金属-金属键(Mo-Mo)>非金属-非金属键(S-S);其中Mo-S键作为稳定性的主要贡献者,具有较强的成键作用。团簇呈电中性,且电子均由Mo原子流向S原子,电子流动性的大小为:3^((1))<4^((3))<2^((3))<2^((1))<1^((3))<1^((1))<4^((1))<3^((3))。构型1(3)的电子自旋密度图的对称性与重叠程度均优于其他三重态构型,由此说明构型1^((3))的稳定性最好。

摘要： 在B3LYP/Lan12dz水平下分别以二、四重态对团簇CoMg2B2存在的所有构型进行全参数优化.排除虚频和相同构型后,得出7种优化构型.其中,二重态构型4种,四重态构型3种.对团簇CoMg2B2分析后得到以下结论:构型1(2)和1(4)分别是二重态和四重态下最稳定结构;Mg-B键和Co-B键有较强的成键作用;不管是二重态构型还是四重态构型,Co-B键和B-B键的键级都有一定的拮抗作用;所有构型的电子都是由Mg原子流向Co原子和B原子;优化构型中电子流动性大小的排序为:4^(2)>3^(4)>2^(4)>3^(2)>1^(4)>1^(2)>2^(2).

摘要： 为深入了解团簇Ti4P的结构稳定性及成键性质,使用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP/Lan12方法对设计出的初始构型进行优化,最终得到了七种优化构型.从能量学角度分析团簇Ti4P各构型的校正能、吉布斯自由能变、结合能可以得到构型1(4)是最稳定的优化构型.对团簇Ti4P的成键性质进行分析发现,Ti-Ti键与Ti-P键键级具有明显的拮抗作用,其中对团簇Ti4P成键做出较大贡献的为Ti-P键.此外无论从能量学角度还是成键性质上分析,重态的多样性都不是影响优化构型稳定性和Ti-Ti键、Ti-P键键长、键级的主要因素.

摘要： 为深入了解团簇Ti4P的结构稳定性及成键性质,依据密度泛函理论(DFT)中的B3LYP/Lan12方法对设计出的初始构型进行优化,最终得到了7种优化构型.从能量学角度分析团簇Ti4P各构型的校正能、吉布斯自由能变、结合能可以得到构型1(4)是最稳定的优化构型.对团簇Ti4P的成键性质进行分析发现,Ti-Ti键与Ti-P键键级具有一定的协同作用,其中对团簇Ti4P成键作出较大贡献的为Ti-P键.此外无论从能量学角度还是成键性质上分析,重态的多样性都不是影响优化构型稳定性和Ti-Ti键、Ti-P键键长、键级的主要因素.

摘要： 为深入了解Co-P非晶态合金的特性,在密度泛函理论中的B3LYP/Lanl2dz水平下对团簇Co4 P模型进行优化,最终得到6种优化构型.分别通过键长、键级以及态密度对团簇Co4 P的成键情况进行分析,得到以下结论:Co-P键对团簇Co4 P构型的稳定性提供了较大贡献;Co-P键的杂化方式包括p-d、p-p和p-p-d 3种,其中Co-3d轨道与P-3p轨道形成了较强p-d杂化作用,进一步促进了Co-P键的稳定形成;Co-4s轨道、P-3s轨道及P-3d轨道对团簇Co4 P的贡献极小.另外,通过对Co、P原子的HOMO及LUMO轨道贡献率进行分析,发现Co原子是团簇Co4 P的潜在催化活性位点.

摘要： 对zigzag型(N,O)的和armchair型(N,N)的硼氮纳米管(N=4,5,6)进行了B3LYP计算,根据其能带结构,态密度和键级,讨论了硼氮纳米管的成键作用和导电性.

摘要： 本发明提供了一种晶圆级键合结构及晶圆级键合方法，晶圆级键合结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第一键合面设置有第一导电结构；第二晶圆，所述第二晶圆具有第二键合面，所述第二键合面设置有第二导电结构，所述第二键合面上设置有填充层，所述填充层中具有位于部分所述第二导电结构上的凹槽；所述第一导电结构位于所述凹槽中且与所述第二导电结构连接；所述填充层与所述第一导电结构侧部的所述第一键合面接触。本发明避免了晶圆级键合结构后续工艺出现质量问题，如减薄、刻蚀等容易碎片的问题。

摘要： 混合键合的图像传感器具有包括具有至少一个光电二极管和键合触点的宏单元的光电二极管裸片，和具有多个超级单元的支撑电路裸片，每个超级单元具有至少一个宏单元单位，宏单元单位具有耦接至光电二极管裸片的宏单元的键合触点的键合触点。每个宏单元单位位于超级单元内并具有适用于复位光电二极管裸片的宏单元的光电二极管的复位晶体管。每个超级单元具有适用于接收来自超级单元的被选择的宏单元单位的键合触点的信号的至少一个共源放大器，共源放大器被耦接以通过可选择源跟随器驱动列线。在实施例中，几个超级单元的共源放大器通过分布式差分放大器驱动可选择源跟随器。

摘要： 本发明提供了一种晶圆级键合结构及晶圆级键合方法，晶圆级键合结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆具有第一键合面，所述第一键合面设置有第一导电结构；第二晶圆，所述第二晶圆具有第二键合面，所述第二键合面设置有第二导电结构，所述第二键合面上设置有填充层，所述填充层中具有位于部分所述第二导电结构上的凹槽；所述第一导电结构位于所述凹槽中且与所述第二导电结构连接；所述填充层与所述第一导电结构侧部的所述第一键合面接触。本发明避免了晶圆级键合结构后续工艺出现质量问题，如减薄、刻蚀等容易碎片的问题。

摘要： 一种晶圆级键合封装方法以及共晶键合的晶圆结构，所述方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括切割道和有效器件单元；在第一晶圆待键合面的有效器件单元内形成至少一个第一键合结构，在第二晶圆待键合面上形成与第一键合结构相对应的第二键合结构；在第一晶圆待键合面的切割道内形成支撑层；使所述第一键合结构和第二键合结构相对设置，实现第一晶圆和第二晶圆的共晶键合；最后通过晶圆背面减薄、Al/Cu再布线和Ball Drop技术以形成晶圆级键合封装结构。在共晶键合过程中，共晶键合产生的压力抵消作用于所述支撑层，所述支撑层在保护第一键合结构和第二键合结构的键合材料的同时阻止所述键合材料向外流动溢出，进而避免了晶圆的短路问题。

摘要： 本发明提供了一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法，除采用通过温度控制胶的流速以及涂布合理的胶量来控制Pad气泡的产生，尤其采用晶圆在键合腔室内多次反复预抽真空，完成晶圆排气泡过程，同时结合低温预热的方法使得键合胶在低粘度条件下流速变慢，以降低残胶溢胶风险，且配合低速率阶梯式升温，改变传统的一步升温键合模式，气泡不良率基本得到控制，基本在千分之五左右。

摘要： 混合键合的图像传感器具有包括具有至少一个光电二极管和键合触点的宏单元的光电二极管裸片，和具有多个超级单元的支撑电路裸片，每个超级单元具有至少一个宏单元单位，宏单元单位具有耦接至光电二极管裸片的宏单元的键合触点的键合触点。每个宏单元单位位于超级单元内并具有适用于复位光电二极管裸片的宏单元的光电二极管的复位晶体管。每个超级单元具有适用于接收来自超级单元的被选择的宏单元单位的键合触点的信号的至少一个共源放大器，共源放大器被耦接以通过可选择源跟随器驱动列线。在实施例中，几个超级单元的共源放大器通过分布式差分放大器驱动可选择源跟随器。

摘要： 本发明涉及一种键模块(120)，其用于键盘的键。键模块(120)包括模块底座(230)和键柱(250)，所述键柱能布置在或被布置在模块底座(230)中，以使得所述键柱能够相对于模块底座(230)沿键致动轴线移动。键模块(120)还包括形成在键柱(250)上的发射器(260)，以及具有至少一个电线圈(270)的电路板(240)。电路板(240)能够容纳或被容纳在模块底座(230)中，使得电路板(240)的主延伸平面沿键柱(250)的键致动轴线延伸。

摘要： 本发明涉及一种背对面的晶圆级混合键合三维堆叠方法，包括：提供第一晶圆；所述第一晶圆包括位于所述第一晶圆内部的硅通孔、位于所述第一晶圆正面的第一互连线、位于所述第一互连线上的第一键合焊盘以及包裹所述第一互连线和第一键合焊盘的第一钝化保护层；将所述第一晶圆的背面减薄，露出所述硅通孔；在所述第一晶圆的背面制作第二互连线、第二键合焊盘以及第二钝化保护层；对第二晶圆的正面进行化学机械抛光，露出第三键合焊盘；将第一晶圆的背面与第二晶圆的正面进行混合键合。

摘要： 本发明公开了一种三脚架用旋控式三级一键锁装置，包括上支管；相对上支管锁紧滑动的中支管；相对中支管锁紧滑动的下支管；上支管和中支管之间通过上锁紧组件连接；中支管和下支管之间通过下锁紧组件连接；还包括控制上锁紧组件和下锁紧组件锁紧的锁紧机构。本发明手拧旋控套，杆体随之传动，杆体的传动同时实现中支管与上支管的滑动或锁紧、下支管与中支管的滑动或锁紧，实现锁一控二，使其成为一个整体，本发明结构设计合理，操作简单、紧锁牢固。

摘要： 本发明公开了一种低成本稳定的晶圆级金属扩散键合方法及半导体晶圆。所述晶圆级金属扩散键合方法包括：在第一晶圆的第一表面形成第一键合金属层，所述第一键合金属层包括形成第一形变层金属以及第一钝化层金属；在第二晶圆的第二表面形成第二键合金属层，所述第二键合金属层包括第二形变层金属以及第二钝化层金属；至少对所述第一钝化层金属、第二钝化层金属进行等离子体表面活化处理将所述第一键合金属层与第二键合金属层相贴合，采用热压键合的方式至少使所述第一钝化层金属与第二钝化层金属结合为一体。本发明实施例提供的晶圆级金属扩散键合方法，克服了Al‑Al或Cu‑Cu键合键合金属层表面氧化的问题，降低了键合温度。