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晶圆级键合封装方法以及共晶键合的晶圆结构

摘要

一种晶圆级键合封装方法以及共晶键合的晶圆结构,所述方法包括:提供第一晶圆和第二晶圆,第一晶圆包括切割道和有效器件单元;在第一晶圆待键合面的有效器件单元内形成至少一个第一键合结构,在第二晶圆待键合面上形成与第一键合结构相对应的第二键合结构;在第一晶圆待键合面的切割道内形成支撑层;使所述第一键合结构和第二键合结构相对设置,实现第一晶圆和第二晶圆的共晶键合;最后通过晶圆背面减薄、Al/Cu再布线和Ball Drop技术以形成晶圆级键合封装结构。在共晶键合过程中,共晶键合产生的压力抵消作用于所述支撑层,所述支撑层在保护第一键合结构和第二键合结构的键合材料的同时阻止所述键合材料向外流动溢出,进而避免了晶圆的短路问题。

著录项

  • 公开/公告号CN106373900A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201510428072.0

  • 发明设计人 徐伟;

    申请日2015-07-20

  • 分类号H01L21/60(20060101);H01L21/98(20060101);H01L23/52(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人高静;吴敏

  • 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

  • 入库时间 2023-06-19 01:24:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/60 申请公布日:20170201 申请日:20150720

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-03-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/60 申请日:20150720

    实质审查的生效

  • 2017-02-01

    公开

    公开

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