SiC涂层

摘要： 采用化学气相沉积法(CVD)在熔渗制备的SiC_(f)/SiC复合材料表面沉积了SiC涂层,通过高温氧化试验研究了涂层对复合材料高温服役性能的影响,结果表明:在1200°C空气环境中氧化100 h后,无涂层试样的室温平均弯曲强度为424 MPa,弯曲强度下降了36.2%;而有涂层试样的室温平均弯曲强度为631 MPa,弯曲强度仅下降6.9%。SEM和XRD表征显示,无涂层试样中SiC纤维的氧化和BN界面层的退化失效是复合材料弯曲性能下降的重要原因,断口纤维拔出较少,呈脆性断裂特征;而有涂层试样表面氧化生成SiO_(2)氧化膜,其厚度增加过程服从抛物线规律。由于SiC层的封闭保护作用,复合材料试样受到的氧化作用较小,弯曲性能更好,断口纤维拔出明显。

摘要： 目的研究激光的扫描间距对纳米SiC涂层形貌、生长机理和抗氧化涂层的影响。方法以不同扫描间距的激光辐照制备SiC纳米涂层。分别利用体视显微镜、扫描电镜(SEM)和激光共聚焦显微镜分析涂层表面、截面的三维形貌,研究扫描间距对涂层形貌的影响,探究微米SiC颗粒转变为纳米SiC颗粒的演变及生长机理。用热失重法(TGA)研究试样高温抗氧化性能,包括试样的氧化失重率随温度变化和650、800°C两种温度下的恒温抗氧化性能对比分析,并用阿伦尼乌斯线性拟合进行了验证。结果激光能够促使预置于石墨基体上的微米SiC颗粒在Ar保护下的密闭反应室中转变为纳米SiC颗粒,且涂层主要由结晶度良好的α–SiC、β–SiC纳米晶颗粒组成。当扫描间距为0.08 mm时,形成的涂层表面较为平滑均匀,粗糙度较小,最高处与最低处的高度差仅为135.829μm,且此间距下,试验活化能值Ea=11.014×10^(4) J/mol最大,抗氧化性能最好。其次试样在600~850°C范围内,试样氧化失重率较低,小于8%,其氧化失重率与氧化时间呈现出较好的一次线性的拟合度。结论激光辐照制备的SiC纳米涂层的形貌、生长机理、高温抗氧化性能随着扫描间距的不同而产生较大变化,表明在激光扫描间距为0.08 mm的条件下所制备的试样涂层表面具有较高的活化能,验证了此参数下制备的涂层的高温抗氧化性能最好,且能够在高温环境中有效降低石墨的氧化失重率。

摘要： 1碳化硅(SiC)涂层石墨基座基本情况1.1基本概念SiC涂层石墨基座常用于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备中支撑和加热单晶衬底的部件(图1)。MOCVD设备是化合物半导体单晶衬底外延生长的研发及产业化关键设备,SiC涂层石墨基座的热稳定性、热均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用,因此是MOCVD设备的核心关键部件。

摘要： 通过化学气相沉积(CVD)SiC涂层来提高SiC_(f)/SiC复合材料的耐腐蚀性能,本文以CH_(3)SiCl_(3)(MTS)为源气体,在反应烧结SiC基体上制备SiC涂层,控制沉积温度、炉压及H_(2)/MTS摩尔比等工艺参数,通过X射线衍射实验(XRD)得到不同工艺条件下生成的碳化硅涂层的物相组成和结晶度,通过高温水腐蚀实验检测涂层的耐腐蚀性,并利用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀前后的表面形貌。结果表明:当沉积时间为8 h,沉积温度从1050°C到1250°C,β-SiC涂层表面平整性提高,沉积厚度由12.97μm急剧增加至71.10μm,SiC晶粒尺寸逐渐增大,最终呈金字塔状;碳化硅涂层腐蚀60 d后,表面呈现针状结构,1250°C下沉积的SiC涂层耐腐蚀性能较好;β-SiC涂层的晶粒尺寸随沉积炉压的增大而增大,结晶度随沉积炉压增大而减小,在200 Pa以下,获得的β-SiC晶粒的结晶度最高(81.08%)、晶粒尺寸最小(13.7 nm);随着H_(2)/MTS摩尔比增加,β-SiC晶粒结晶度迅速下降,当H_(2)/MTS=6.5时,结晶度最高(95.91%)。

摘要： 为了生产大面积、均匀的SiC涂层,需要对反应室内不同位置的沉积速率变化规律进行研究.将CH3SiCl3-H2-Ar体系化学气相沉积SiC过程简化为气相裂解、表面沉积两步,建立反应室二维反应-输运模型;利用计算流体力学(computational fluid dynamics,CFD)软件分析气流量、温度和压力对炉内垂直高度方向上沉积速率的影响.结果表明:不同气流量下,因气流滞留时间不同,沉积分布呈现不同的趋势,适中流量时沉积厚度均匀性较好,沉积速率较高;提高温度能改善高流速下沉积的不均匀性;流量一定,压力过高会引起自然对流漩涡.对比计算结果与相关实验数据,该两步简化模型可以反映不同条件下反应物的消耗和涂层的均匀性.

摘要： 通过化学气相沉积(CVD)SiC涂层来提高SiCf/SiC复合材料的耐腐蚀性能,本文以CH3 SiCl3(MTS)为源气体,在反应烧结SiC基体上制备SiC涂层,控制沉积温度、炉压及H2/MTS摩尔比等工艺参数,通过X射线衍射实验(XRD)得到不同工艺条件下生成的碳化硅涂层的物相组成和结晶度,通过高温水腐蚀实验检测涂层的耐腐蚀性,并利用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀前后的表面形貌.结果表明:当沉积时间为8 h,沉积温度从1050°C到1250°C,β-SiC涂层表面平整性提高,沉积厚度由12.97μm急剧增加至71.10μm,SiC晶粒尺寸逐渐增大,最终呈金字塔状;碳化硅涂层腐蚀60 d后,表面呈现针状结构,1250°C下沉积的SiC涂层耐腐蚀性能较好;β-SiC涂层的晶粒尺寸随沉积炉压的增大而增大,结晶度随沉积炉压增大而减小,在200 Pa以下,获得的β-SiC晶粒的结晶度最高(81.08％)、晶粒尺寸最小(13.7 nm);随着H2/MTS摩尔比增加,β-SiC晶粒结晶度迅速下降,当H2/MTS=6.5时,结晶度最高(95.91％).

摘要： 采用化学气相沉积法在高纯石墨基体表面制备了碳化硅(SiC)涂层,研究了基体位置和沉积压力对涂层组织形貌和抗氧化性能的影响.结果表明:随着基体与布气盘的距离增大,晶粒生长方向的择优性先增强后减弱,其晶粒的砂砾状生长特征也呈现先增强后减弱的变化规律;当基体与布气盘的距离较小时涂层易出现气孔,随着距离增大,气孔逐渐消失,涂层抗氧化性能升高,而随着距离的进一步增大,开始出现分界现象,造成涂层抗氧化性能下降.随着沉积压力增大,晶粒生长方向的择优性被弱化,晶粒的砂砾状特征也随之减弱;当沉积压力为2 kP a时,涂层无明显缺陷,其抗氧化性能较好;而当沉积压力增大到5 kP a和20 kP a时,涂层分别出现了分界和分层缺陷,导致其抗氧化性能下降.基体位置为450 m m、沉积压力为2 kP a时能够制备出组织致密、与基体结合较好、抗氧化性能较优的Si C涂层.

摘要： 提出一种新型便捷的等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD),在细长的锆合金包壳管(外径9.5 mm,壁厚0.57 mm,长度200 mm)内壁制备厚度分别3μm和5μm的SiC涂层,用扫描电镜观察涂层的微观结构,并测试其抗热冲击性能和抗高温水氧腐蚀性能.结果表明,该制备方法可快速、高效地在包壳管内壁沉积SiC涂层,涂层致密且光滑平整,无论在包壳管的轴向或径向方向,涂层厚度均匀一致.涂层与锆合金基体结合良好,具有良好的抗热冲击性能,1200°C高温淬火后不发生剥落.SiC涂层可隔绝锆合金与高温水蒸气接触,有效保护锆合金包壳管,防止其被氧化.

摘要： C/C复合材料具有诸如重量轻,使用寿命长,产生噪音小,运行平稳等优良性能,在用作制动器时具有特别的优势,目前被认为是高性能制动系统的优良候选材料.本文对C/C复合材料表面SiC涂层的研究进程及现状、制备方法、SiC涂层的选择及性能等进行了详细的整理研究.

摘要： 以甲基三氯硅烷(MTS)和氢气为原料气体，采用化学气相沉积系统在包覆有疏松热解碳和内致密热解碳的燃料颗粒上制得SiC涂层。对SiC涂层的功能，沉积设备，沉积工艺以及性能表征进行了较系统的介绍。SEM研究表明制得的SiC涂层表面光滑，致密，无明显孔洞；结晶化程度高，为典型柱状晶结构；与内、外致密热解碳层的界面清晰，无明显扩散渗透现象；平均厚度为35μm，平均密度3.20g/cm3，满足高温气冷堆TRISO包覆燃料颗粒性能设计要求。EDX分析结果表明涂层主要元素为Si和C，且Si/C摩尔比接近1∶1，反应生成化学计量比SiC。XRD和TEM分析发现涂层主要组分为β-SiC，(a)-SiC呈面心立方结构，结晶度高，晶粒尺寸介于4-5 nm。RAMAN分析则表明涂层中主要连接键为Si-C共价键，几乎所有的C都反应生成了SiC，涂层中SiC纯度高。

摘要： 以甲基三氯硅烷(MTS)和氢气为原料气体，采用化学气相沉积系统在包覆有疏松热解碳和内致密热解碳的燃料颗粒上制得SiC涂层。对SiC涂层的功能，沉积设备，沉积工艺以及性能表征进行了较系统的介绍。SEM研究表明制得的SiC涂层表面光滑，致密，无明显孔洞；结晶化程度高，为典型柱状晶结构；与内、外致密热解碳层的界面清晰，无明显扩散渗透现象；平均厚度为35μm，平均密度3.20g/cm3，满足高温气冷堆TRISO包覆燃料颗粒性能设计要求。EDX分析结果表明涂层主要元素为Si和C，且Si/C摩尔比接近1∶1，反应生成化学计量比SiC。XRD和TEM分析发现涂层主要组分为β-SiC，(a)-SiC呈面心立方结构，结晶度高，晶粒尺寸介于4-5 nm。RAMAN分析则表明涂层中主要连接键为Si-C共价键，几乎所有的C都反应生成了SiC，涂层中SiC纯度高。

摘要： 以甲基三氯硅烷(MTS)和氢气为原料气体，采用化学气相沉积系统在包覆有疏松热解碳和内致密热解碳的燃料颗粒上制得SiC涂层。对SiC涂层的功能，沉积设备，沉积工艺以及性能表征进行了较系统的介绍。SEM研究表明制得的SiC涂层表面光滑，致密，无明显孔洞；结晶化程度高，为典型柱状晶结构；与内、外致密热解碳层的界面清晰，无明显扩散渗透现象；平均厚度为35μm，平均密度3.20g/cm3，满足高温气冷堆TRISO包覆燃料颗粒性能设计要求。EDX分析结果表明涂层主要元素为Si和C，且Si/C摩尔比接近1∶1，反应生成化学计量比SiC。XRD和TEM分析发现涂层主要组分为β-SiC，(a)-SiC呈面心立方结构，结晶度高，晶粒尺寸介于4-5 nm。RAMAN分析则表明涂层中主要连接键为Si-C共价键，几乎所有的C都反应生成了SiC，涂层中SiC纯度高。

摘要： 以甲基三氯硅烷(MTS)和氢气为原料气体，采用化学气相沉积系统在包覆有疏松热解碳和内致密热解碳的燃料颗粒上制得SiC涂层。对SiC涂层的功能，沉积设备，沉积工艺以及性能表征进行了较系统的介绍。SEM研究表明制得的SiC涂层表面光滑，致密，无明显孔洞；结晶化程度高，为典型柱状晶结构；与内、外致密热解碳层的界面清晰，无明显扩散渗透现象；平均厚度为35μm，平均密度3.20g/cm3，满足高温气冷堆TRISO包覆燃料颗粒性能设计要求。EDX分析结果表明涂层主要元素为Si和C，且Si/C摩尔比接近1∶1，反应生成化学计量比SiC。XRD和TEM分析发现涂层主要组分为β-SiC，(a)-SiC呈面心立方结构，结晶度高，晶粒尺寸介于4-5 nm。RAMAN分析则表明涂层中主要连接键为Si-C共价键，几乎所有的C都反应生成了SiC，涂层中SiC纯度高。

摘要： 以甲基三氯硅烷(MTS)和氢气为原料气体，采用化学气相沉积系统在包覆有疏松热解碳和内致密热解碳的燃料颗粒上制得SiC涂层。对SiC涂层的功能，沉积设备，沉积工艺以及性能表征进行了较系统的介绍。SEM研究表明制得的SiC涂层表面光滑，致密，无明显孔洞；结晶化程度高，为典型柱状晶结构；与内、外致密热解碳层的界面清晰，无明显扩散渗透现象；平均厚度为35μm，平均密度3.20g/cm3，满足高温气冷堆TRISO包覆燃料颗粒性能设计要求。EDX分析结果表明涂层主要元素为Si和C，且Si/C摩尔比接近1∶1，反应生成化学计量比SiC。XRD和TEM分析发现涂层主要组分为β-SiC，(a)-SiC呈面心立方结构，结晶度高，晶粒尺寸介于4-5 nm。RAMAN分析则表明涂层中主要连接键为Si-C共价键，几乎所有的C都反应生成了SiC，涂层中SiC纯度高。

摘要： 本文主要研究了不同难熔金属氧化物对碳/碳复合材料SiC涂层组织和结构的影响.利用包埋法分别制取了三种含有不同难熔金属氧化物的单层SiC涂层,并在这三种不同的单层SiC涂层上包埋制取了相同的SiC外涂层.三种难熔金属氧化物分别选用MgO、Al2O3和B2O3.结果表明,含有B2O3的单层SiC涂层最为致密,其次为Al2O3和MgO.内层含有B2O3的双层SiC涂层厚度最大,并且涂层连续,涂层中没有孔隙。

摘要： 本文主要研究了不同难熔金属氧化物对碳/碳复合材料SiC涂层组织和结构的影响.利用包埋法分别制取了三种含有不同难熔金属氧化物的单层SiC涂层,并在这三种不同的单层SiC涂层上包埋制取了相同的SiC外涂层.三种难熔金属氧化物分别选用MgO、Al2O3和B2O3.结果表明,含有B2O3的单层SiC涂层最为致密,其次为Al2O3和MgO.内层含有B2O3的双层SiC涂层厚度最大,并且涂层连续,涂层中没有孔隙。

摘要： 本文主要研究了不同难熔金属氧化物对碳/碳复合材料SiC涂层组织和结构的影响.利用包埋法分别制取了三种含有不同难熔金属氧化物的单层SiC涂层,并在这三种不同的单层SiC涂层上包埋制取了相同的SiC外涂层.三种难熔金属氧化物分别选用MgO、Al2O3和B2O3.结果表明,含有B2O3的单层SiC涂层最为致密,其次为Al2O3和MgO.内层含有B2O3的双层SiC涂层厚度最大,并且涂层连续,涂层中没有孔隙。

摘要： 本文主要研究了不同难熔金属氧化物对碳/碳复合材料SiC涂层组织和结构的影响.利用包埋法分别制取了三种含有不同难熔金属氧化物的单层SiC涂层,并在这三种不同的单层SiC涂层上包埋制取了相同的SiC外涂层.三种难熔金属氧化物分别选用MgO、Al2O3和B2O3.结果表明,含有B2O3的单层SiC涂层最为致密,其次为Al2O3和MgO.内层含有B2O3的双层SiC涂层厚度最大,并且涂层连续,涂层中没有孔隙。

摘要： 本文主要研究了不同难熔金属氧化物对碳/碳复合材料SiC涂层组织和结构的影响.利用包埋法分别制取了三种含有不同难熔金属氧化物的单层SiC涂层,并在这三种不同的单层SiC涂层上包埋制取了相同的SiC外涂层.三种难熔金属氧化物分别选用MgO、Al2O3和B2O3.结果表明,含有B2O3的单层SiC涂层最为致密,其次为Al2O3和MgO.内层含有B2O3的双层SiC涂层厚度最大,并且涂层连续,涂层中没有孔隙。

摘要： 本发明提供了一种制备包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维的方法，包括：提供SiC纤维；采用有机溶剂稀释SiBCN前驱体，制得SiBCN前驱体溶液；以SiBCN前驱体溶液作为浸渍液通过前驱体浸渍裂解法在SiC纤维表面上形成SiBCN涂层，得到包含SiBCN涂层的SiC纤维；(4)以甲基三氯硅烷作为前驱体通过化学气相沉积法使SiC纤维进一步包含SiC沉积涂层，从而得到包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维。本发明还提供了一种包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维及其在制备SiC/SiC陶瓷基复合材料中的应用。本发明方法制得的SiC纤维具有高的抗氧化性能和涂纤维‑涂层界面结合力和拉伸强度，还为后期用于制备SiC/SiC复合材料时提供了良好的基体‑纤维界面结合力，从而提高了复合材料的综合性能。

摘要： 一种炭/炭复合材料SiC/ZrB2-SiC/SiC涂层及其制备方法。包括内涂层、外涂层和中间涂层，内涂层的厚度为20～50μm，外涂层的厚度为30～80μm，中间涂层的厚度为50～80μm。通过包埋发法制备SiC内涂层，降低中间层ZrB2-SiC与C/C复合材料的热应力。通过超音速等离子喷涂制备ZrB2-SiC中间层，ZrB2-SiC为C/C复合材料提供良好的高温烧蚀、中低温抗氧化及隔热性能。通过沉积法制备SiC外涂层，有效愈合涂层表面缺陷，阻止氧气的渗入，为C/C复合材料提供良好的高温氧化保护。同时在中低温氧化过程中，ZrB2的氧化产物B2O3可有效愈合涂层中的缺陷，为涂层试样提供良好的中温氧化保护。

摘要： 本发明公开一种利用CVI法或CVD法制备SiC基体或SiC涂层用尾气处理装置和尾气处理方法，属于尾气处理方法和装置技术领域。该装置包括真空泵、真空泵前级处理系统和真空泵后级处理系统；其中：所述真空泵前级处理系统包括依次连接的金属滤芯处理器、超细薄膜滤芯处理器、安全阀5和油膜吸附处理器，所述金属滤芯处理器与沉积炉(CVD或CVI)相连接；所述真空泵后级处理系统包括相连接的颗粒吸附处理器和排风机；所述真空泵分别连接所述油膜吸附处理器、颗粒吸附处理器以及沉积炉(CVD炉或CVI炉)。本发明方法和装置可实现CVI设备连续长时间运转，高效率、低成本、操作简单、使用维护方便。

摘要： 本发明涉及一种C/C‑SiC刹车材料表面耐磨Si‑SiC涂层制备方法，特征包括：1)浆料的制备；2)在C/C刹车材料表面涂刷浆料；3)C/C刹车材料表面耐磨Si‑SiC涂层预制体的热处理；4)C/C刹车材料表面耐磨Si‑SiC涂层素胚的渗Si处理。本发明工艺简单，原材料成本低，浆料涂覆工艺操作简便，设备要求低，可以实现批量生产。SiC作为硬质颗粒,莫氏硬度的等级达到了10，使得Si‑SiC涂层十分的耐磨，与传统刹车材料相比具有更低的线磨损率，使用寿命增加。

摘要： 本发明提供了一种制备包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维的方法，包括：提供SiC纤维；采用有机溶剂稀释SiBCN前驱体，制得SiBCN前驱体溶液；以SiBCN前驱体溶液作为浸渍液通过前驱体浸渍裂解法在SiC纤维表面上形成SiBCN涂层，得到包含SiBCN涂层的SiC纤维；(4)以甲基三氯硅烷作为前驱体通过化学气相沉积法使SiC纤维进一步包含SiC沉积涂层，从而得到包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维。本发明还提供了一种包含交替形成的SiBCN涂层和SiC涂层的SiC纤维及其在制备SiC/SiC陶瓷基复合材料中的应用。本发明方法制得的SiC纤维具有高的抗氧化性能和涂纤维‑涂层界面结合力和拉伸强度，还为后期用于制备SiC/SiC复合材料时提供了良好的基体‑纤维界面结合力，从而提高了复合材料的综合性能。

摘要： 本发明涉及超高温氧化防护涂层领域，具体为一种石墨基体上SiC/HfB2‑SiC‑La2O3/SiC抗超高温氧化复合涂层及其制备方法。涂层的设计及制备包括：粉末包埋法制备厚度为100～150μm的SiC底层，料浆涂刷法制备厚度为60～70μm的HfB2‑SiC‑La2O3中间层和后续包埋法制备厚度为70～80μm的SiC外层。其中，SiC底层可缓解HfB2‑SiC‑La2O3中间层与石墨基体间的热膨胀系数不匹配，HfB2‑SiC‑La2O3中间层为石墨基体提供良好的抗超高温氧化性能和结构稳定性能。SiC外层可有效愈合氧化过程产生的表面缺陷。本发明方法物料利用率高，制备工艺简便易行，制备周期短，可有效降低涂层制备成本并提高制备的涂层成分均匀性和可控性。本发明制备的涂层具有1700°C、1800s的抗超高温氧化能力。

摘要： 本发明公开了一种具有SiC涂层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，包括以下步骤：S1、将SiC纤维编织成SiC纤维编织件；S2、将SiC纤维编织件的SiC纤维表面沉积热解碳界面涂层，得带有界面涂层的SiC纤维编制件；S3、将带有界面涂层的SiC纤维编织件通过先驱体浸渍裂解工艺进行致密化处理，得SiCf/SiC复合材料；裂解时的温度为1400°C～1800°C；S4、将SiCf/SiC复合材料的表面通过化学气相沉积工艺沉积SiC涂层，得耐水热腐蚀的具有SiC涂层的SiCf/SiC复合材料。本方法制备得到的具有SiC涂层的SiCf/SiC复合材料耐水热腐蚀。

摘要： 一种炭/炭复合材料SiC/ZrB2-SiC/SiC涂层及其制备方法。包括内涂层、外涂层和中间涂层，内涂层的厚度为20～50μm，外涂层的厚度为30～80μm，中间涂层的厚度为50～80μm。通过包埋发法制备SiC内涂层，降低中间层ZrB2-SiC与C/C复合材料的热应力。通过超音速等离子喷涂制备ZrB2-SiC中间层，ZrB2-SiC为C/C复合材料提供良好的高温烧蚀、中低温抗氧化及隔热性能。通过沉积法制备SiC外涂层，有效愈合涂层表面缺陷，阻止氧气的渗入，为C/C复合材料提供良好的高温氧化保护。同时在中低温氧化过程中，ZrB2的氧化产物B2O3可有效愈合涂层中的缺陷，为涂层试样提供良好的中温氧化保护。

摘要： 本发明公开一种利用CVI法或CVD法制备SiC基体或SiC涂层用尾气处理装置和尾气处理方法，属于尾气处理方法和装置技术领域。该装置包括真空泵、真空泵前级处理系统和真空泵后级处理系统；其中：所述真空泵前级处理系统包括依次连接的金属滤芯处理器、超细薄膜滤芯处理器、安全阀5和油膜吸附处理器，所述金属滤芯处理器与沉积炉(CVD或CVI)相连接；所述真空泵后级处理系统包括相连接的颗粒吸附处理器和排风机；所述真空泵分别连接所述油膜吸附处理器、颗粒吸附处理器以及沉积炉(CVD炉或CVI炉)。本发明方法和装置可实现CVI设备连续长时间运转，高效率、低成本、操作简单、使用维护方便。

摘要： 本发明公开了C‑C复合材料表面耐烧蚀ZrB2‑SiC‑La2O3‑SiC涂层及其制备方法。通过包埋渗技术和大气等离子喷涂法制备了SiC过渡层及ZrB2‑SiC‑La2O3复合涂层。制备的多层涂层能够承受20s的氧‑乙炔火焰烧蚀作用，有效保护C‑C复合材料基体。本发明通过喷雾造粒技术制备的ZrB2‑SiC‑La2O3团聚粉末球形度高、流动性好、粒径适宜、成分均匀；SiC过渡层有效缓解了复合涂层和基体之间的热膨胀系数不匹配问题，减少涂层开裂及剥落现象；ZrB2‑SiC‑La2O3‑SiC涂层同时具有抗高温氧化和气流冲刷效果，生成的多相氧化膜有效阻碍氧气侵蚀，避免基体剥蚀和质量损失。