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机译:倾斜角小于1°的衬底上4H-SiC同质外延生长
机译:倾斜角小于1°的衬底上4H-SiC同质外延生长
机译:4H-SiC相邻倾斜衬底上同质外延生长技术的发展
机译:在邻近衬底上逐步控制4H-SiC的同质外延生长
机译:基于平面脱位转化为带有邻近偏角的4H-SiC基板上外延层的螺纹边缘位错
机译:研究4H-碳化硅衬底和同质外延层的生长机理和缺陷来源。
机译:1°偏角的4H-SiC硅面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:具有邻近(1°)偏角的C(000-1)外延衬底上制作的4H-siC mOsFET的高反型沟道迁移率
机译:平板和邻近基板上生长的同质Gasb薄膜的表面形貌;杂志文章