State University of New York at Stony Brook.;
机译:4h-碳化硅同质外延层中位错半环阵列的成核机理
机译:不同生长速率下沉积的4H碳化硅同质外延层的晶体学缺陷和表面粗糙度的形貌和反射法研究
机译:(100)衬底上β-Ga_2O_3层同质外延生长过程中平面缺陷的演化-定量模型
机译:生长速率,墨迹方向与生殖氩气退火对胎儿碳硅膜表面形态的影响研究
机译:4H-碳化硅同质外延层中的扩展缺陷。
机译:MPCVD横向同质外延金刚石生长过程中引起的结晶缺陷
机译:在4H-碳化硅衬底上激光合金化镍以产生欧姆接触