机译:的GaN 的 光学性质 纳米线 生长 通过MBE 对SiC / Si的 (111) 混合衬底
St. Petersburg Academic University;
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Institute for Physics of Microstructures of the Russian Academy of Sciences;
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机译:通过MBE在SiC / Si(111)混合衬底上的GaN纳米线的光学性质
机译:SiC / Si(111)混合基板上GaN,InN和A3 B5纳米线的MBE生长和光学特性
机译:MBE GaN,Inn和A3B5纳米线对SiC / Si(111)混合衬底的生长和光学性质
机译:SiC / Si(111)混合衬底上GaN纳米线的MBE生长和光学性质
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:通过MBE在SiC / Si(111)混合衬底上的GaN纳米线的光学性质