Gallium nitride; Substrates; Silicon; Silicon carbide; Buffer layers; Molecular beam epitaxial growth; Nanowires;
机译:SiC / Si(111)混合基板上GaN,InN和A3 B5纳米线的MBE生长和光学特性
机译:MBE GaN,Inn和A3B5纳米线对SiC / Si(111)混合衬底的生长和光学性质
机译:通过MBE在SiC / Si(111)混合衬底上的GaN纳米线的光学性质
机译:甘纳米线对SiC / Si(111)杂交衬底的MBE生长和光学性质
机译:一维硅纳米线的细胞响应以及在纳米线生长之前用氢氟酸蚀刻硅(111)基板的效果。
机译:用于自然-SiOx / Si(111)底物的低温诱导孔形成用于自催化的GaAs纳米线的生长
机译:通过MBE在SiC / Si(111)混合衬底上的GaN纳米线的光学性质