生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底；(2)衬底清洗；(3)衬底退火处理；(4)高温生长GaN纳米柱：在900‑1100℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为0.5‑1.5小时；(5)低温生长GaN纳米柱：在650‑800℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为1.5‑2.5小时。本发明还公开了上述制备方法得到的生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其应用。本发明既改善了高温生长纳米柱的不均匀性，又改善低温生长纳米柱的柱向杂乱情况，同时本发明具有工艺简单，生产周期短等优点。