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晓予;
无;
氮化镓; 硅; 衬底; 热稳定性;
机译:使用中温AlGaN缓冲层在(111)Si衬底上沉积AlGaN膜并在Si上优化GaN生长
机译:通过MOVPE方法在阶梯式Si衬底上的GaN的ELO-Si衬底上的GaN的有限区域
机译:通过MOVPE在沟槽Si衬底上GaN的ELO-在Si衬底上GaN的选定区域ELO
机译:在GaN模板化(111)Si衬底上厚GaN层的HVPE生长
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:在Si衬底上外延生长高质量GaN膜的新方法:MBE和PLD的结合
机译:Si衬底独立式GaN上ingaN / GaN蓝发光二极管向前隧穿特性研究
机译:用HREELs,Ups和Xps研究si(100)-2x1上三甲基铟的热稳定性:与si(111)-7x7和si(110)研究结果的比较
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:Si衬底上的SiC晶体可实现GaN和Si电子器件的集成
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