Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长

王军喜; 王晓亮; 刘宏新; 胡国新; 李建平; 李晋闽; 曾一平

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Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长

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使用MBE方法在Si(111)衬底和Si SiO2 Si柔性衬底上生长了GaN外延层 ,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析 .在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层 ,其表面粗糙度为 0 6nm .研究了GaN外延层中的应力及其光学性质 ,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值 .

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来源
《半导体学报》 |2004年第6期|678-681|共4页
作者
王军喜; 王晓亮; 刘宏新; 胡国新; 李建平; 李晋闽; 曾一平;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
分子束外延; GaN; 柔性衬底; 光致发光;

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