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首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌

采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌

         
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摘要

针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.

著录项

  • 来源
    《半导体学报》 |2007年第z1期|230-233|共4页
  • 作者

    刘喆; 王晓亮; 王军喜; 胡国新; 李建平; 曾一平; 李晋闽;

  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所;

    材料科学中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    材料科学中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    材料科学中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    材料科学中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    材料科学中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    材料科学中心;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    材料科学中心;

    北京;

    100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 化合物半导体;
  • 关键词

    Si衬底; AlN缓冲层; GaN; 形貌; 缺陷;

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