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丁志博; 姚淑德; 王坤; 程凯;
北京大学物理学院,北京,100871;
MCP/ART,IMEC,Kapeldreef 75,B-3001 Leuven,Belgium;
GaN; 高分辨X射线衍射; 卢瑟福背散射/沟道; 弹性应变;
机译:使用中温AlGaN缓冲层在(111)Si衬底上沉积AlGaN膜并在Si上优化GaN生长
机译:使用各种缓冲层表征3C-SiC / Si(111)衬底上GaN薄膜的生长
机译:用ALN / AlGaN缓冲层的Si(111)衬底上三维生长的GaN岛的穿线脱位减少
机译:通过RF溅射在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜的退火效应以及通过MOCVD在用作缓冲层的ZnO膜上生长的GaN层的退火效应
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:金属有机化学气相沉积法在氮化Si(111)衬底上生长的GaN外延层的应变分析
机译:在六方衬底上吸附不相容的单分子层:铅潜在地沉积在银(111)上。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有GaN层的Si器件衬底上的GaN包括10nm以下的SiNx中间层,可促进晶体生长并减少螺纹位错
机译:使用GaSe缓冲层在Si衬底上生长GaN
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