机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上的GaN纳米棒的光致发光研究
Dongguk Univ, Quantum Funct Semicond Res Ctr, Seoul 100715, South Korea;
LIGHT-EMITTING-DIODES; ENERGY-GAP; NANOWIRES; LUMINESCENCE; MORPHOLOGY; LAYERS; BLUE;
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长的外延取向GaN纳米棒的结构和光致发光特性
机译:Si(111)上通过分子束外延生长的GaN纳米棒的异常光致发光特性
机译:Si(111)基材上等等离子体辅助分子束外延生长的GaN层的光电性能和SiC / Si(111)外延层
机译:通过斯特拉斯基 - 克拉车模式下等离子体辅助分子束外延在AlN / Si(111)和GaN / Al2O3(0001)上生长的自组装入线量子点
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在Si(111)衬底上生长的GaN纳米棒和激子定位
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长的外延取向GaN纳米棒的结构和光致发光特性