机译:Si(111)基材上等等离子体辅助分子束外延生长的GaN层的光电性能和SiC / Si(111)外延层
Russian Acad Sci Inst Problems Mech Engn St Petersburg 199178 Russia;
St Petersburg Acad Univ St Petersburg 194021 Russia;
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机译:Si(111)基材上等等离子体辅助分子束外延生长的GaN层的光电性能和SiC / Si(111)外延层
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长的外延取向GaN纳米棒的结构和光致发光特性
机译:反应分子束外延在6H-SiC(0001)和GaN(0001)上生长的亚铁磁性Mn_4N(111)层
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:等离子体辅助分子束外延在Si(111)上生长的外延取向GaN纳米棒的结构和光致发光特性