一种SiC衬底双面生长SiC外延层的方法及应用

摘要

本发明涉及一种SiC衬底双面生长SiC外延层的方法及其在制备SiC基的BJT或IGBT的外延片的应用应用，通过移除损伤层、反面蒸镀层的方式，解决SiC衬底或第一SiC外延层损伤导致难以进行高质量双面外延的问题，解决衬底反面蒸镀层或外延反面蒸镀层影响双面外延的问题；进而能够有效降低双面外延中的缺陷，获得高质量的双面SiC外延层。本发明中，通过保护层的设置，能够减少SiC衬底或第一SiC外延层的损伤厚度，配合移除损伤层的工艺，减少移除SiC衬底或第一SiC外延层的厚度，降低成本，提高生产效率。本发明能够在SiC衬底的正反两面生长分别具有不同掺杂浓度或掺杂类型的SiC外延结构，为新型的SiC器件开发提供制备方案，为SiC器件结构设计提供了更多的可能。