机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
Dept. of Electr. Eng., Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai, India;
GaN-HEMT; HRXRD; PAMBE; Photoluminescence; Si(111);
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:用于AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的SiC衬底上通过氨分子束外延生长的GaN缓冲层的结构和形态学特性
机译:等离子体辅助分子束外延生长高电子迁移率晶体管的4H-SiC(0001)上GaN缓冲层的结构特性
机译:GaN缓冲层厚度对基于AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的影响,等离子体辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:RF等离子体辅助分子束外延在中温GaN缓冲层上生长的高迁移率GaN外延层
机译:分子束外延生长的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中陷阱的光电离光谱;杂志文章