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1.
Transparent photoacid generator (ALS) for ArF excimer laser lithography and chemically amplified resist
机译:
用于ArF准分子激光光刻和化学放大抗蚀剂的透明光酸产生剂(ALS)
作者:
Kaichiro Nakano
;
NEC Corp.
;
Miyamae-ku
;
Kawasaki
;
Kanagawa
;
Japan
;
Katsumi Maeda
;
NEC Corp.
;
Miyamae-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Shigeyuki Iwasa
;
NEC Corp.
;
Miyamae-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Jun-ichi Yano
;
NEC Corp.
;
Miyamae-ku Kawasaki
;
Kanagawa
;
Japan
;
Yukio Ogura
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
2.
Synthesis and patterning of 2-10 nanometer pinhole-free organic films
机译:
2-10纳米无针孔有机薄膜的合成与构图
作者:
Sucheta Gorwadkar
;
Nagoya Univ.
;
Nagoya
;
Japan
;
G.K. Vinogradov
;
Nagoya Univ.
;
Nagoya
;
Japan
;
K.Senda
;
Nagoya Univ.
;
Nagoya
;
Japan
;
R.Inanami
;
Nagoya Univ.
;
Nagoya
;
Japan
;
C.Shao
;
Nagoya Univ.
;
Nagoya
;
Japan
;
Shinzo Morita
;
Nagoya Univ.
;
Chikusa-ku
;
Nagoy
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
3.
Relationship between physical properties and lithographic behavior in a high-resolution positive tone deep-UV resist
机译:
高分辨率正性深紫外光刻胶中物理性质与光刻行为之间的关系
作者:
Ulrich P. Schaedeli
;
Ciba-Geigy Inc.
;
Marly
;
Switzerland
;
Norbert Muenzel
;
OCG Microelectronic Materials AG
;
Basel
;
Switzerland
;
H.Holzwarth
;
OCG Microelectronic Materials AG
;
Basel
;
Switzerland
;
Sydney G. Slater
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
4.
Role of process in obtaining optimum lithographic information from chemically amplified resists
机译:
工艺在从化学放大抗蚀剂获得最佳光刻信息中的作用
作者:
Charles R. Szmanda
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Theodore H. Fedynyshyn
;
Shipley Co. Inc.
;
Sudbury
;
MA
;
USA
;
William E. Houck
;
Shipley Co. Inc.
;
Nashua
;
NH
;
USA
;
Jonathan C. Root
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Robert F. Blacksmith
;
Sh
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
5.
Role of residual casting solvent in dissolution behavior of poly (3-methyl-4-hydroxystyrene) films
机译:
残余浇铸溶剂在聚(3-甲基-4-羟基苯乙烯)薄膜溶解行为中的作用
作者:
Veena Rao
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
William D. Hinsberg
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Curtis W. Frank
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
R. Fabian W. Pease
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
6.
Proximity effects in dry developed lithography for sub-0.35 um a
机译:
低于0.35 um a的干法显影光刻中的邻近效应
作者:
Anne-Marie Goethals
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Ki-Ho Baik
;
IMEC
;
Ichon-Kun
;
Kyoung-ki do
;
South Korea
;
Kurt Ronse
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
J.Vertommen
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Luc Van den hove
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
7.
Chemical analysis of electron beam curing of positive photoresist
机译:
正性光刻胶电子束固化的化学分析
作者:
Matthew F. Ross
;
Electron Vision Corp.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Lorna D. Christensen
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Summerville
;
NJ
;
USA
;
John Magvas
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
8.
Characterization of the development of DNOovolac resists by surface energy measurements
机译:
通过表面能测量表征DNO /线型抗蚀剂的发展
作者:
Emilienne Fadda
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France
;
Gilles R. Amblard
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France
;
Andre P. Weill
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France
;
Alain Prola
;
France Telecom/CNET
;
Meylan Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
9.
Characterization of photochemical cured acrylates with calorimetric methods
机译:
量热法表征光化学固化的丙烯酸酯
作者:
Bernd Strehmel
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
Dirk Anwand
;
Martin-Luther Univ. Halle-Wittenberg
;
Merseburg
;
Federal Republic of Germany
;
Henrik Wetzel
;
Martin-Luther Univ. Halle-Wittenberg
;
Merseburg
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
10.
Deep-UV resists based on methacrylamide copolymers
机译:
基于甲基丙烯酰胺共聚物的深紫外线抗蚀剂
作者:
Carlo Mertesdorf
;
OCG Microelectronic Materials AG
;
Baselle
;
Switzerland
;
Bertholt Nathal
;
OCG Microelectronic Materials AG
;
Baselle
;
Switzerland
;
Norbert Muenzel
;
OCG Microelectronic Materials AG
;
Basel
;
Switzerland
;
H.Holzwarth
;
OCG Microelectronic Mate
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
11.
Comparison of photoresist shelf life in PGMEA and CA solvent systems
机译:
在PGMEA和CA溶剂体系中光致抗蚀剂的保存期限比较
作者:
William C. Nelson
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
12.
Deep ultraviolet positive resist image by dry etching (DUV PRIME) : a robust process for 0.3 um contact holes
机译:
通过干蚀刻(DUV PRIME)形成的深紫外正性抗蚀剂图像:0.3微米接触孔的强大工艺
作者:
Didier Louis
;
Ph.D.
;
CEA-CENG-LETI/DMEL-STME
;
Grenoble
;
Cedex
;
France
;
Philippe Laporte
;
CEA-CENG-LETI/DMEL-STME
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Pascale Molle
;
CEA-CENG-LETI/DMEL-STME
;
Grenoble cedex
;
France
;
H.Ullmann
;
SGS-Thomson
;
Grenoble Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
13.
Effect of resin molecular weight on the resolution of DUV negative photoresists
机译:
树脂分子量对DUV负性光刻胶分辨率的影响
作者:
James W. Thackeray
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
George W. Orsula
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Mark Denison
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
14.
Design of a bottom antireflective layer for optical lithography
机译:
用于光学光刻的底部抗反射层的设计
作者:
James T. Fahey
;
IBM East Fishkill
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Wayne M. Moreau
;
IBM East Fishkill
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Kevin M. Welsh
;
IBM East Fishkill
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Steve S. Miura
;
IBM East Fishkill
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Ni
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
15.
Effects of deprotected species on chemically amplified resist systems
机译:
脱保护物质对化学放大抗蚀剂体系的影响
作者:
Toshiyuki Ota
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Yoji Ikezaki
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Yokkaichi
;
Mie
;
Japan
;
Toru Kajita
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Eiichi Kobayashi
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
16.
Effect of partial deprotection on lithographic properties of t-butoxycarbonyloxystyrene-containing polymers
机译:
部分脱保护对含叔丁氧羰基氧基苯乙烯聚合物的光刻性能的影响
作者:
David A. Mixon
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
M.P. Bohrer
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
J.C. Alonzo
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
17.
Dissolution behavior of the chemically modified polyvinylphenol with introduced high-ortho structure
机译:
具有高邻位结构的化学改性聚乙烯苯酚的溶解行为
作者:
Kenji Honda
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Sydney G. Slater
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Bernard T. Beauchemin
;
Jr.
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Medhat
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
18.
Dissolution characteristics optimization for chemically amplified positive resist
机译:
化学放大正性抗蚀剂的溶出特性优化
作者:
Toshiro Itani
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan
;
Haruo Iwasaki
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan
;
Masashi Fujimoto
;
NEC Corp.
;
Kanagawa
;
Japan
;
Kunihiko Kasama
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
19.
Diffusion effects in chemically amplified deep-UV resists
机译:
化学放大的深紫外线抗蚀剂的扩散效应
作者:
Marco Zuniga
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Eric Tomacruz
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Andrew R. Neureuther
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
20.
Evaluation of a new environmentally stable positive tone chemically amplified deep-UV resist
机译:
评估一种新型环境稳定的正性化学放大型深紫外抗蚀剂
作者:
Wu-Song Huang
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Ranee W. Kwong
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Ahmad D. Katnani
;
IBM Microelectronics
;
Poughkeepsie
;
NY
;
USA
;
Mahmoud Khojasteh
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
N
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
21.
Evaluation of a bilayer resist system based on a zirconium-containing polymer
机译:
基于含锆聚合物的双层抗蚀剂体系评估
作者:
Ferdinand Rodriguez
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA
;
Ashwin S. Ramachandran
;
Intel Corp.
;
Hillsboro
;
OR
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
22.
High-contrast deep-submicron e-beam lithography process for fabricating planar waveguide optical gratings on GaAs
机译:
在GaAs上制造平面波导光栅的高对比度深亚微米电子束光刻工艺
作者:
Louis C. Poli
;
Army Research Lab.
;
Ft. Monmouth
;
NJ
;
USA
;
Christine D. Kondek
;
Army Research Lab.
;
Ft. Monmouth
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
23.
Further improvements in CGR formulation and process
机译:
CGR制定和流程的进一步改进
作者:
William R. Brunsvold
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Willard E. Conley
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Jeffrey D. Gelorme
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Jct.
;
NY
;
USA
;
Ron Nunes
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Jct.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
24.
Highly regioselective PACs for i-line resist design: synthetic reaction model dissolution kinetics and lithographic response
机译:
用于i线抗蚀剂设计的高度区域选择性PAC:合成反应模型溶解动力学和光刻响应
作者:
Ashish Pandya
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Peter Trefonas
;
III
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Anthony Zampini
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Pamela Turci
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
25.
Investigation of the properties of thick photoresist films
机译:
厚光致抗蚀剂膜的性能研究
作者:
Gary E. Flores
;
Ultratech Stepper
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Warren W. Flack
;
Ultratech Stepper
;
Los Angeles
;
CA
;
USA
;
Elizabeth Tai
;
Ultratech Stepper
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
26.
Interaction of novolak oligomers with hydrogen bond acceptors
机译:
线型酚醛清漆低聚物与氢键受体的相互作用
作者:
Tung-Feng Yeh
;
Polytechnic Univ.
;
Brooklyn
;
NY
;
USA
;
Jian P. Huang
;
Polytechnic Univ.
;
Brooklyn
;
NY
;
USA
;
Arnost Reiser
;
Polytechnic Univ.
;
Brooklyn
;
NY
;
USA
;
Kenji Honda
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Bernard T. Beauchemi
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
27.
Improved reflectivity control of APEX-E positive tone deep UV photoresist
机译:
改进的APEX-E正性深紫外光刻胶的反射率控制
作者:
Willard E. Conley
;
IBM Semiconductor RD Ctr.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Ravindra Akkapeddi
;
IBM Semiconductor RD Ctr.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
James T. Fahey
;
IBM Semiconductor RD Ctr.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
George J. Hefferon
;
IBM Semicond
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
28.
Microlithographic wet chemical processing in a capillary space
机译:
毛细管空间中的微光刻湿化学处理
作者:
Russell Morgan
;
Genesys
;
Menlo Park
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
29.
Microlithography of pi-conjugated polymers
机译:
π共轭聚合物的微光刻
作者:
Mohammad S. Abdou
;
Simon Fraser Univ.
;
Burnaby
;
BC
;
Canada
;
Z.W. Xie
;
Simon Fraser Univ.
;
Burnaby
;
BC
;
Canada
;
J.Lowe
;
Simon Fraser Univ.
;
Burnaby
;
BC
;
Canada
;
Steven Holdcroft
;
Simon Fraser Univ.
;
Burnaby
;
BC
;
Canada.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
30.
Lithographic strategies for 0.35 um poly gates for random logic a
机译:
用于随机逻辑a的0.35 um多晶硅门的光刻技术
作者:
Maaike Op de Beeck
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Veerle Van Driessche
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Luc Van den hove
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Han J. Dijkstra
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
31.
Materials evaluation of antireflective coatings for single-layer 193-nm lithography
机译:
用于单层193 nm光刻的抗反射涂层的材料评估
作者:
Roderick R. Kunz
;
MIT/Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Robert D. Allen
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
32.
Lithographic performance of isomeric hydroxystyrene polymers
机译:
异构羟基苯乙烯聚合物的平版印刷性能
作者:
Ralph R. Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Mohammad D. Rahman
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Ping-Hung Lu
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Anthony Canize
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Flemington
;
NJ
;
USA
;
V.Elango
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
33.
Liquid phase silylation process for 248 nm lithography using EL IR photoresist
机译:
使用EL IR光刻胶进行248 nm光刻的液相甲硅烷基化工艺
作者:
Guojing Zhang
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Lynn F. Fuller
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
34.
Molecular bases for the interaction between novolaks and diazonaphthoquinone photoactive compounds
机译:
酚醛清漆与重氮萘醌光敏化合物相互作用的分子基础
作者:
M.Borzo
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Frankfurt Am Main
;
Federal Republic of Germany
;
Joseph J. Rafalko
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Summit
;
NJ
;
USA
;
Ralph R. Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
35.
Novel synthetic aqueous photoresist for CCD micro color filter
机译:
用于CCD微彩色滤光片的新型合成水性光刻胶
作者:
Koji Shimomura
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-Ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Tomoko Otagaki
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-Ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Yoko Tamagawa
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-Ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Michiyo Kobayashi
;
Matsushita Electronics C
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
36.
Origin of delay times in chemically amplified positive DUV resists
机译:
化学放大正DUV抗蚀剂延迟时间的起因
作者:
Patrick J. Paniez
;
France Telecom/CNET-CNS
;
Meylan
;
Cedex
;
France
;
Charles Rosilio
;
CEA-CENS
;
DEIN/LPEM
;
Gif Sur Yvette
;
France
;
B.Mouanda
;
CEA-CENS
;
DEIN/LPEM
;
Gif-sur-Yvette
;
France
;
Francoise Vinet
;
CEA-CENG
;
LETI/SMSC/ML
;
Grenoble Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
37.
Novolak-polyhydroxystyrene copolymer and photoresist compositions
机译:
酚醛清漆-聚羟基苯乙烯共聚物和光刻胶组合物
作者:
Mohammad D. Rahman
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Ping-Hung Lu
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Mohammad A. Khadim
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Coventry
;
RI
;
USA
;
Elaine Kokinda
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Dan Aub
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
38.
Plasma polymerized organosilane network polymers: high-performance resists for positive and negative tone deep UV lithography
机译:
等离子体聚合的有机硅烷网络聚合物:用于正负色调深紫外光刻的高性能抗蚀剂
作者:
Olivier P. Joubert
;
ATT Bell Labs.
;
Meylan Cedex
;
France
;
Ajey M. Joshi
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Timothy W. Weidman
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
J.T. C. Lee
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Gary N. Taylor
;
ATT Bell Labs.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
39.
Percolation view of novolak dissolution: 3. dissolution inhibition
机译:
酚醛清漆溶解的渗滤视图:3.溶解抑制
作者:
Hsiao-Yi Shih
;
Polytechnic Univ.
;
Brooklyn
;
NY
;
USA
;
Tung-Feng Yeh
;
Polytechnic Univ.
;
Brooklyn
;
NY
;
USA
;
Arnost Reiser
;
Polytechnic Univ.
;
Brooklyn
;
NY
;
USA
;
Ralph R. Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Hans-Joachim Merrem
;
Hoechst Celan
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
40.
Photochemical curing of epoxies in the liquid-crystalline state
机译:
环氧树脂的光化学固化
作者:
Veronika Strehmel
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
Bernd Strehmel
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
Jorg Trempler
;
Martin-Luther Univ. Halle-Wittenberg
;
Merseburg
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
41.
Process tube characterization method for photoresist and process comparison
机译:
光刻胶的工艺管表征方法及工艺比较
作者:
George Mirth
;
Shipley Co. Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Joseph C. Pellegrini
;
New Vision Systems Inc.
;
Watertown
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
42.
Quantum chemical studies of chemically amplified resist materials for electron-beam and ArF excimer laser
机译:
电子束和ArF受激准分子激光化学放大抗蚀剂材料的量子化学研究
作者:
Tohru Ushirogouchi
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Naoko Kihara
;
Toshiba Corp.
;
Sawai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Satoshi Saito
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Takuya Naito
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Koji Asakawa
;
Toshiba
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
43.
Process window analysis of the ARC and TAR systems for quarter-micron optical lithography
机译:
用于四分之一微米光刻的ARC和TAR系统的过程窗口分析
作者:
Hiroshi Yoshino
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan
;
Takeshi Ohfuji
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan
;
Naoaki Aizaki
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
44.
Properties and performance of near-UV reflectivity control layers (RCL)
机译:
近紫外线反射率控制层(RCL)的性质和性能
作者:
Tom J. Lynch
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Valerie R. Paradis
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Coventry
;
RI
;
USA
;
Mark A. Spak
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Wayne M. Moreau
;
IBM Corp.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
45.
Evaluation results for the positive deep UV resist AZ DX 46
机译:
积极的深紫外线抗蚀剂AZ DX 46的评估结果
作者:
Author(s): Walter Spiess Hoechst AG Wiesbaden Federal Republic of Germany
;
Tom J. Lynch Hoechst Celanese Corp. Somerville NJ USA
;
Charles Le Cornec LETI/CEN/G Grenoble Cedex France
;
Gary C. Escher SEMATECH Austin TX USA
;
Yoshiaki Kinoshita
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
46.
Advanced positive photoresists for practical deep-UV lithography
机译:
先进的正性光刻胶,适用于实际的深紫外光刻
作者:
Author(s): N.Munzel OCG Microelectronic Materials AG Basel Switzerland
;
H.Holzwarth OCG Microelectronic Materials AG Basel Switzerland
;
Pasquale A. Falcigno OCG Microelectronic Materials AG Basle Switzerland
;
Hans-Thomas Schacht OCG Microelectro
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
47.
Structure-property relationship in acetal-based chemically amplified three-component DUV resist
机译:
缩醛基化学放大三组分DUV抗蚀剂的结构-性质关系
作者:
Author(s): Munirathna Padmanaban Hoechst Japan Ltd. Kawagoe City Saitama Japan
;
Yoshiaki Kinoshita Hoechst Japan Ltd. Kawagoe City Saitama Japan
;
Takanori Kudo Hoechst Japan Ltd. Kawagoe City Saitama Japan
;
Tom J. Lynch Hoechst Celanese Corp.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
48.
Comparison of the lithographic characteristics of t-BOC-based chemically amplified resist system under deep-UV and electron-beam exposures
机译:
基于t-BOC的化学放大抗蚀剂系统在深紫外和电子束曝光下的光刻特性比较
作者:
Regine G. Tarascon
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Anthony E. Novembre
;
ATT Bell Labs.
;
Union
;
NJ
;
USA
;
Woon W. Tai
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
L.A. Fetter
;
ATT Bell Labs.
;
Holmdel
;
NJ
;
USA
;
Janet M. Kometani
;
ATT Bell Labs.
;
Murray
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
49.
Correlation between the sensitivity and the contrast of polymer resists for developing in good and bad solvents
机译:
在好和坏溶剂中显影的聚合物抗蚀剂的感光度和对比度之间的相关性
作者:
Vladimir N. Genkin
;
Institute of Applied Physics/Russian Academy of Scien ces
;
Nizhniy Novgorod
;
Russia
;
M.Y. Mylnikov
;
Institute of Applied Physics/Russian Academy of Scien ces
;
Nizhniy Novgorod
;
RSFSR
;
Russia.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
50.
Diffusion enhanced silylation resist (DESIM): a simulator for the DESIRE process
机译:
扩散增强的抗甲硅烷基化(DESIM):DESIRE工艺的模拟器
作者:
B.P. Mathur
;
Univ. of Limerick
;
Limerick
;
Ireland
;
Khalil I. Arshak
;
Univ. of Limerick
;
Limerick
;
Ireland
;
A.Arshak
;
Univ. of Limerick
;
Limerick
;
Ireland
;
D.McDonagh
;
Univ. of Limerick
;
Limerick
;
Ireland.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
51.
Dissolution inhibition of phenolic polymers: does a simple percolation field scaling law suffice?
机译:
酚醛聚合物的溶解抑制:简单的渗流场定标法就足够了吗?
作者:
Peter Trefonas
;
III
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Gerald Vizvary
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Jonathan C. Root
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Catherine C. Meister
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Charles R. Szmanda
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
52.
Dialkyl fumarate copolymers: new photoresist materials for deep-ultraviolet and mid-ultraviolet microlithography
机译:
富马酸二烷基酯共聚物:用于深紫外和中紫外微光刻的新型光刻胶材料
作者:
Graham D. Darling
;
McGill Univ.
;
Montreal
;
PQ
;
Canada
;
Chun Hao Zhang
;
McGill Univ.
;
Montreal
;
PQ
;
Canada
;
A.M. Vekselman
;
McGill Univ.
;
Montreal
;
PQ
;
Canada.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
53.
Environmentally stable chemically amplified DUV resist based on diazoketone chemistry
机译:
基于重氮酮化学的环境稳定化学放大DUV抗蚀剂
作者:
Premlatha Jagannathan
;
IBM Microelectronics
;
Patterson
;
NY
;
USA
;
Wu-Song Huang
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Ahmad D. Katnani
;
IBM Microelectronics
;
Poughkeepsie
;
NY
;
USA
;
George J. Hefferon
;
IBM Microelectronics
;
Fishkill
;
NY
;
USA
;
R
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
54.
High-accuracy resist development process with wide margins by quick removal of reaction products
机译:
通过快速去除反应产物来实现高利润率的高精度抗蚀剂显影工艺
作者:
Hisayuki Shimada
;
Tohoku Univ.
;
Sendai-shi
;
Miyagi-ken
;
Japan
;
Toshiyuki Iwamoto
;
Tohoku Univ.
;
Sendai-shi
;
Miyagi-ken
;
Japan
;
Shigeki Shimomura
;
Tohoku Univ.
;
Aoba-ku
;
Sendai
;
Japan
;
Masanobu Onodera
;
Tohoku Univ.
;
Sendai-shi
;
Miyagi-ken
;
Japan
;
Tadahiro
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
55.
I-line negative resist (INR): a negative-tone I-line chemically amplified photoresist
机译:
I线负性抗蚀剂(INR):负性I线化学放大的光刻胶
作者:
Leo L. Linehan
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Gary T. Spinillo
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Randolph S. Smith
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Wayne M. Moreau
;
IBM Microelectronics
;
Hopewell Junc
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
56.
I-line negative resist manufacturing process qualification
机译:
I线负性抗蚀剂制造工艺资格
作者:
Erik A. Puttlitz
;
IBM Microelectronics
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
James P. Collins
;
IBM Microelectronics
;
Essex Junction
;
VT
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
57.
Identification of diazonaphthoquinone esters of polyhydroxybenzophenone compounds
机译:
聚羟基二苯甲酮化合物的重氮萘醌酯的鉴定
作者:
John DiCarlo
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Coventry
;
RI
;
USA
;
O.B. Evans
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Coventry
;
RI
;
USA
;
J.Fedyk
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Stanley A. Ficner
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Mohammad A. Khadim
;
Hoech
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
58.
Influence of retained and absorbed solvent on novolak and resist film dissolution and thermal behavior
机译:
保留和吸收的溶剂对酚醛清漆和抗蚀剂膜溶解和热行为的影响
作者:
Bernard T. Beauchemin
;
Jr.
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Charles E. Ebersole
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Ivan S. Daraktchiev
;
OCG Microelectronic Materials NV
;
Zwinjndrecht
;
Belgium.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
59.
Investigation of onium salt type photoacid generators in positive DUV resist systems
机译:
正DUV抗蚀剂系统中鎓盐型光致产酸剂的研究
作者:
Michael F. Cronin
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Timothy G. Adams
;
Shipley
;
Judbury
;
MA
;
USA
;
Theodore H. Fedynyshyn
;
Shipley Co. Inc.
;
Sudbury
;
MA
;
USA
;
Jacque H. Georger
;
Jr.
;
Shipley Co.
;
Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
J.M. Mori
;
Shipley Co.
;
In
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
60.
Influence of post exposure bake on resist contrast
机译:
曝光后烘烤对抗蚀剂对比度的影响
作者:
Medhat A. Toukhy
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Steven G. Hansen
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
61.
Negative resists for i-line lithography utilizing acid-catalyzed intramolecular dehydration reaction
机译:
使用酸催化的分子内脱水反应进行i线光刻的负性抗蚀剂
作者:
Takumi Ueno
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
Shou-ichi Uchino
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Tokyo
;
Japan
;
K.T. Hattori
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Kokubunji
;
Tokyo
;
Japan
;
T.Onozuka
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ohme
;
Tokyo
;
Japan
;
Sei-ichiro Shirai
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Tokyo
;
Japan
;
Noboru
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
62.
0.25 um lithography development using positive mode top surface imaging photoresist
机译:
使用正模顶面成像光刻胶进行0.25 um光刻显影
作者:
Douglas C. LaTulipe
;
Jr.
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
J.P. Simons
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
David E. Seeger
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Leo L. Lin
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
63.
Acid size effect of chemically amplified negative resist on lithographic performance
机译:
化学放大负型光刻胶的酸大小对其光刻性能的影响
作者:
Haruo Iwasaki
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan
;
Toshiro Itani
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan
;
Masashi Fujimoto
;
NEC Corp.
;
Kanagawa
;
Japan
;
Kunihiko Kasama
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
64.
Modeling of solvent evaporation effects for hot plate baking of photoresist
机译:
光刻胶热板烘烤中溶剂蒸发效应的建模
作者:
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
David P. DeWitt
;
Purdue Univ.
;
West Lafayette
;
IN
;
USA
;
B.K. Tsai
;
Technometrics
;
Inc.
;
West Lafayette
;
IN
;
USA
;
Gil Yetter
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
65.
Novel spacer technique by silylation: experiment and simulation
机译:
硅烷化的新型间隔基技术:实验和模拟
作者:
Ulrich A. Jagdhold
;
Institut fuer Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH
;
Frankfurt (Oder)
;
Federal Republic of Germany
;
Lothar Bauch
;
Institut fuer Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH
;
Dresden
;
Federal Republic of Germany
;
A.Wolff
;
Institut fuer Halbl
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
66.
Photochemical amplified PMMA resists
机译:
光化学放大的PMMA抗蚀剂
作者:
Vladimir N. Genkin
;
Institute of Applied Physics/Russian Academy of Scien ces
;
Nizhniy Novgorod
;
Russia.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
67.
Photoresist thermal stability measurements using laser scatterometry
机译:
使用激光散射仪的光致抗蚀剂热稳定性测量
作者:
Robert A. Norwood
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Summit
;
NJ
;
USA
;
D.R. Holcomb
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Summit
;
NJ
;
USA
;
Chet J. Sobodacha
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Coventry
;
RI
;
USA
;
Tom J. Lynch
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
68.
Photogenerated acid-catalyzed formation of phosphonic/phosphoric acids by deprotection of esters
机译:
通过酯的脱保护,光生酸催化的膦酸/磷酸的形成
作者:
M.L. Schilling
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Howard E. Katz
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Frank M. Houlihan
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Janet M. Kometani
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Susan M. Stein
;
ATT Bell Lab
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
69.
Robust and environmentally stable deep UV positive resist: optimization of SUCCESS ST2
机译:
坚固且对环境稳定的深紫外线正性抗蚀剂:SUCCESS ST2的优化
作者:
Author(s): Reinhold Schwalm BASF AG Ludwigshafen Am Rhein Federal Republic of Germany
;
H.Binder BASF AG Ludwigshafen Federal Republic of Germany
;
Thomas Fischer IBM Deutschland GmbH Sindelfingen Federal Republic of Germany
;
Dirk J. Funhoff BASF
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
70.
Research on ultrahigh resolution of inorganic photoresist film
机译:
无机光刻胶膜的超高分辨率研究
作者:
Chang Tai Yu
;
Zhejiang Univ.
;
Hangzhou
;
Zhejiang
;
China
;
Fengzhen Guo
;
Zhejiang Univ.
;
Hangzhou
;
Zhejiang
;
China
;
Hua Yu
;
Zhejiang Univ.
;
Toyonaka
;
Osaka
;
Japan
;
Zhougfu Qi
;
Zhejiang Univ.
;
Hangzhou
;
Zhejiang
;
China
;
Xiangdong Yu
;
Ministry of Machine
;
Elec
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
71.
Synthesis characterization and lithography of alpha-substituted 2-nitrobenzyl arylsulfonate photo-acid generators with improved resistance to post exposure bake
机译:
具有改进的抗后曝光烘烤性能的α-取代的2-硝基苄基芳基磺酸盐光酸产生剂的合成表征和光刻
作者:
Frank M. Houlihan
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Evelyn Chin
;
ATT Bell Labs.
;
Scotch Plains
;
NJ
;
USA
;
Omkaram Nalamasu
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Janet M. Kometani
;
ATT Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Thomas X. Neenan
;
ATT Bell
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
72.
Structural design of acid-decomposable dissolution inhibitors for a 3-components positive CA resist
机译:
用于三组分正性CA抗蚀剂的酸可分解溶解抑制剂的结构设计
作者:
Toshiaki Aoai
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Tsukasa Yamanaka
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Tadayoshi Kokubo
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun
;
Shizuoka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
73.
Rearrangement of novolak resins
机译:
酚醛清漆树脂的重排
作者:
Mohammad D. Rahman
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Ralph R. Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Dana L. Durham
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
74.
Reliability of photospeed and related measures of resist performances
机译:
光速可靠性和抗蚀剂性能的相关措施
作者:
Karin R. Schlicht
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Patricia Scialdone
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Peggy M. Spragg
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Steven G.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
75.
Characterization of the quarter-micron i-line lithography using a top surface imaging process
机译:
使用顶面成像工艺表征四分之一微米i线光刻
作者:
Seung-Chan Moon
;
Hyundai Semiconductor RD Lab.
;
Kyung Ki-do
;
South Korea
;
Hyeong-Soo Kim
;
Hyundai Semiconductor RD Lab.
;
Ichon-kun
;
Kyungiki-do
;
South Korea
;
Chang M. Lim
;
Hyundai Semiconductor RD Lab.
;
Ichon-kun
;
Kyungiki-do
;
South Korea
;
Tai-Kyung Wo
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XI》
|
1994年
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