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High Purity Silicon Symposium
High Purity Silicon Symposium
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1.
Manufacturing of ultra thin SOI
机译:
超薄SOI的制造
作者:
O. Bonnin
;
W. Schwarzenbach
;
V. Barec
;
N. Daval
;
X. Cauchy
;
BY. Nguyen
;
C. Maleville
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
2.
Chemical Vapor Deposition of Silicon by the Reaction of Bromosilanes and Hydrogen
机译:
溴硅烷和氢气的化学气相沉积硅
作者:
Kazuaki Tomono
;
Hirotoshi Furuya
;
Seiji Miyamoto
;
Takuro Ogawa
;
Yuki Okamura
;
Ryuichi Komatsu
;
Masaharu Nakayama
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
3.
Investigation of Doping Type Conversion and Diffusion Length Extraction of Proton Implanted Silicon by EBIC
机译:
EBIC调查掺杂型转化型转化及扩散长度提取
作者:
S. Kirnstotter
;
M. Faccinelli
;
P. Hadley
;
R. Job
;
W. Schustereder
;
J. G. Laven
;
H. J. Schulze
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
4.
The Characteristics of Gettering Ability in Advanced Multi-Chip Packaging Thinned Wafer
机译:
高级多芯片包装变薄晶圆的吸收能力特征
作者:
Jeong-Hoon An
;
Jang-Seop Kim
;
Ja-Young Kim
;
Ki-Sang Lee
;
Hee-Bog Kang
;
Byeong-Sam Moon
;
Sang-Hyun Lee
;
Yong Shin
;
Sung-Min Hwang
;
Hyun-Yul Park
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
5.
The impact of oxide precipitates on minority carrier lifetime in Czochralski silicon
机译:
氧化物沉淀对Czochralski硅的少数群体寿命的影响
作者:
J. D. Murphy
;
K. Bothe
;
R. Krain
;
V. V. Voronkov
;
R. J. Falster
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
6.
Introduction of New Materials into CMOS Devices
机译:
将新材料引入CMOS设备
作者:
Hiroshi Iwai
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
7.
Radiation influence on biaxial+uniaxial strained silicon MuGFETs
机译:
双轴+单轴应变硅Mugfets的辐射影响
作者:
C. Bordallo
;
P. G. D. Agopian
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
8.
Long-range Interaction between H and (B, P, As, Sb) Dopant Atoms in Silicon Crystals Investigated by First Principles Calculation
机译:
通过第一原理计算研究H和(B,P,AS,Sb)之间的掺杂剂原子之间的远程相互作用
作者:
E. Kamiyama
;
K. Sueoka
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
9.
Characterization of Deep Levels Introduced by RTA and by Subsequent Anneals in n-Type Silicon
机译:
RTA引入的深层水平的表征,并在N型硅中的后续退火
作者:
D. Kot
;
T. Mchedlidze
;
G. Kissinger
;
W. von Ammon
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
10.
Challenges for the Semiconductor Industry in the 21st Century
机译:
21世纪半导体产业的挑战
作者:
Paolo A. Gargini
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
11.
Deep-Level Transient Spectroscopy of MOS Capacitors on GeSn Epitaxial Layers
机译:
GESN外延层上MOS电容器的深层瞬态光谱
作者:
E. Simoen
;
B. Vincent
;
C. Merckling
;
F. Gencarelli
;
L. K. Chu
;
R. Loo
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
12.
A density functional theory study of the effect of pressure on the formation and migration enthalpies of intrinsic point defects in growing Si single crystals
机译:
一种密度泛函理论研究压力对生长Si单晶中内在点缺陷的形成和迁移焓的影响
作者:
K. Sueoka
;
E. Kamiyama
;
H. Kariyazaki
;
J. Vanhellemont
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
13.
Diode Characteristics and Thermal Donor Formation in Germanium-Doped Silicon Substrates
机译:
锗掺杂硅基板中的二极管特性和热量供体形成
作者:
J. M. Rafi
;
J. Vanhellemont
;
E. Simoen
;
J. Chen
;
M. Zabala
;
D. Yang
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
14.
Wafer Level Statistical Evaluation of the Proton Radiation Hardness of a High-κ Dielectric/Metal Gate 45 nm Bulk CMOS Technology
机译:
晶圆水平统计评估高κ电介质/金属栅极的质子辐射硬度45 nm散装CMOS技术
作者:
C. Claeys
;
S. Iacovo
;
D. Kobayashi
;
A. Mercha
;
A. Griffoni
;
Ph. Roussel
;
F. Crupi
;
E. Simoen
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
15.
Low Temperature Fluorinated Silicon Films Synthesis
机译:
低温氟化硅膜合成
作者:
D. E. Milovzorov
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
16.
The Pseudo-MOSFET: Principles and Recent Trends
机译:
伪MOSFET:原则和最近的趋势
作者:
S. Cristoloveanu
;
I. Ionica
;
A. Diab
;
F. Liu
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
17.
Difficulties in Characterizing High-Resistivity Silicon
机译:
表征高电阻率硅的困难
作者:
P. Nayak
;
R. Richert
;
D. K. Schroder
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
18.
Defect Engineering at the Nanoscale: Challenges and Trends
机译:
纳米尺度的缺陷工程:挑战和趋势
作者:
Edmund G. Seebauer
;
Prashun Gorai
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
19.
Hybrid-Formation of Ge-on-Insulator Structures on Si Platform by SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting Growth - A Road to Artificial Crystal
机译:
SiGe混合触发快速熔化生长的Si平台上Ge-Insulator结构的混合形成 - 一种人造晶体的道路
作者:
M. Miyao
;
M. Kurosawa
;
K. Toko
;
Y. Tojo
;
T. Sadoh
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
20.
Transistor-Based Extraction of Carrier Lifetime and Interface Traps Densities in Silicon-on-Insulator Materials
机译:
基于晶体管的载流子寿命和界面的提取硅式绝缘材料中的密度
作者:
J. A. Martino
;
V. Sonnenberg
;
M. Galeti
;
M. Aoulaiche
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
21.
Fin Width and Gate Length Dependences of Charge Pumping and DCIV Currents in Floating-Body SOI MOSFETs
机译:
浮动体SOI MOSFET电荷泵和DCIV电流的翅片宽度和栅极长度依赖性
作者:
E. X. Zhang
;
D. M. Fleetwood
;
G. X. Duan
;
C. X. Zhang
;
R. D. Schrimpf
;
E. Simoen
;
D. Linten
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
22.
Boron-Oxygen Related Lifetime Degradation in p-type and n-type Silicon
机译:
硼 - 氧相关的p型和n型硅中的寿命降解
作者:
V. V. Voronkov
;
R. Falster
;
B. Lim
;
J. Schmidt
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
23.
Si Crystal Growth from a Melt: the Secrets Behind the v/G Criterion
机译:
Si晶体生长从熔体:v / g标准背后的秘密
作者:
Jan Vanhellemont
;
Eiji Kamiyama
;
Koji Sueoka
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
24.
Comparison of the Impact of Thermal Treatments on the Second and on the Millisecond Scales on the Precipitation of Interstitial Oxygen
机译:
热处理对第二次和毫秒鳞片沉淀的热处理影响的比较
作者:
G. Kissinger
;
D. Kot
;
W. von Ammon
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
25.
Defect Generation in Device Processing and Impact on the Electrical Performances
机译:
设备处理中的缺陷产生和对电气性能的影响
作者:
M. L. Polignano
;
I. Mica
;
G. P. Carnevale
;
A. Mauri
;
E. Bonera
;
S. Speranza
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
26.
Interface and Border Traps in Ge pMOSFETs
机译:
GE PMOSFET中的接口和边框陷阱
作者:
D. M. Fleetwood
;
E. Simoen
;
S. A. Francis
;
C. X. Zhang
;
R. Arora
;
E. X. Zhang
;
R. D. Schrimpf
;
K. F. Galloway
;
J. Mitard
;
C. Claeys
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
27.
Challenges and opportunities for doping control in Ge for micro and optoelectronics applications
机译:
用于微型光电应用GE的挑战和掺杂控制的机遇
作者:
E. Bruno
;
G. G. Scapellato
;
E. Napolitani
;
S. Mirabella
;
S. Boninelli
;
A. La Magna
;
M. Mastromatteo
;
D. De Salvador
;
G. Fortunato
;
V. Privitera
;
F. Priolo
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
28.
The Thermal Budget of Hydrogen-related Donor Profiles: Diffusion-limited Activation and Thermal Dissociation
机译:
氢相关供体谱的热预算:扩散限制活化和热解离
作者:
J. G. Laven
;
R. Job
;
H. J. Schulze
;
F. J. Niedernostheide
;
W. Schustereder
;
L. Frey
会议名称:
《High Purity Silicon Symposium》
|
2012年
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