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Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology
Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology
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1.
Vibrational Spectra of Nitrogen-Oxygen Defects in Nitrogen Doped Silicon using Density Functional Theory
机译:
密度泛函理论研究氮掺杂硅中氮氧缺陷的振动光谱
作者:
F. Sahtout Karoui
;
A. Karoui
;
N. Inoue
;
G. A. Rozgonyi
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
2.
Ultra-Shallow Junction Formation Technology from the 130 to the 45 nm node
机译:
从130 nm到45 nm节点的超浅结形成技术
作者:
Amitabh Jain
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
3.
XAFS AS A DIRECT LOCAL STRUCTURAL PROBE IN REVEALING THE EFFECTS OF C PRESENCE IN B DIFFUSION IN SiGe LAYERS
机译:
XAFS作为直接的局部结构探针,可揭示C原子对SiGe层中B扩散的影响
作者:
M. Alper Sahiner
;
Parviz Ansari
;
Malcolm S. Carroll
;
Charles W. Magee
;
Steven W. Novak
;
Joseph C. Woicik
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
4.
The Role of Stress on the Shape of the Amorphous-Crystalline Interface and Mask-Edge Defect Formation in Ion-Implanted Silicon
机译:
应力对离子注入硅中非晶-晶体界面形状和掩模边缘缺陷形成的影响
作者:
Carrie E. Ross
;
Kevin S. Jones
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
5.
The Use of SiGe Barriers During the Formation of p~+ Shallow Junctions by Ion Implantation
机译:
离子注入在p〜+浅结形成过程中SiGe阻挡层的使用
作者:
Phillip E. Thompson
;
Joe Bennett
;
Susan Felch
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
6.
Simultaneous Phosphorus and Si Self-Diffusion in Extrinsic, Isotopically Controlled Silicon Heterostructures
机译:
外在的,同位素控制的硅异质结构中的同时磷和Si自扩散
作者:
Hughes H. Silvestri
;
Hartmut A. Bracht
;
Ian D. Sharp
;
John Hansen
;
Arne Nylandsted-Larsen
;
Eugene E. Haller
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
7.
Solid Phase Epitaxy process integration on 50-nm PMOS devices: Effects of defects on chemical and electrical characteristics of ultra shallow junctions
机译:
50 nm PMOS器件上的固相外延工艺集成:缺陷对超浅结的化学和电气特性的影响
作者:
R. El Farhane
;
C. Laviron
;
F. Cristiano
;
N. Cherkashin
;
P. Morin
;
M. Juhel
;
P. Stolk
;
F. Arnaud
;
A. Pouydcbasque
;
F. Wacquant
;
D. Lenoble
;
A. Halimaoui
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
8.
Study of Ni(Pt) germanosilicides formation on fully-strained Si_(0.9)Ge_(0.1) and Si_(0.899)Ge_(0.1)C_(0.001) by Raman Spectroscopy
机译:
用拉曼光谱研究在全应变Si_(0.9)Ge_(0.1)和Si_(0.899)Ge_(0.1)C_(0.001)上形成Ni(Pt)锗硅化物
作者:
J. Y. Y. Chaw
;
K. L. Pey
;
P. S. Lee
;
D. Z. Chi
;
J. P. Liu
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
9.
Study of BF_2 ion implantation into crystalline silicon : Influence of fluorine on boron diffusion
机译:
BF_2离子注入晶体硅的研究:氟对硼扩散的影响
作者:
Lilya Ihaddadene -Lecoq
;
Jerome Marcon
;
Kaouther Ketata
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
10.
The Effect of Fluorine Implantation on Boron Diffusion in Metastable Si_(0.86)Ge_(0.14)
机译:
氟注入对亚稳Si_(0.86)Ge_(0.14)中硼扩散的影响
作者:
Huda A. W. A. El Mubarek
;
Yun Wang
;
Janet M. Bonar
;
Peter Hemment
;
Peter Ashburn
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
11.
The Effect of Oxide Trenches on Defect Formation and Evolution in Ion-Implanted Silicon
机译:
氧化物沟槽对离子注入硅中缺陷形成和演化的影响
作者:
Nina Burbure
;
Kevin S. Jones
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
12.
Suppression of Ni Silicide Formation by Se Passivation of Si(001)
机译:
Si(001)的Se钝化抑制Ni硅化物的形成
作者:
Janadass Shanmugatn
;
Michael Coviello
;
Darshak Udeshi
;
Wiley P. Kirk
;
Meng Tao
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
13.
Post-Anneal Stress Reduction of 200 mm Silicon Wafers in Single Wafer Rapid Thermal Annealing
机译:
单晶圆快速热退火中200 mm硅晶圆的退火后应力降低
作者:
Tsuyoshi Setokubo
;
Eiichi Nakano
;
Kazuo Aizawa
;
Hidekazu Miyoshi
;
Jiro Yamamoto
;
Takashi Fukada
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
14.
Process Modeling For Advanced Devices
机译:
先进设备的过程建模
作者:
Mark E. Law
;
Kevin S. Jones
;
Ljubo Radic
;
Robert Crosby
;
Mark Clark
;
Kevin Gable
;
Carrie Ross
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
15.
Doping and Mobility Profiles in Defect-Engineered Ultra-shallow Junctions: Bulk and SOI
机译:
缺陷工程超浅结中的掺杂和迁移率分布:本体和SOI
作者:
A. J. Smith
;
B. Colombeau
;
R. Gwilliam
;
E. Collart
;
N.E.B. Cowern
;
B. J. Sealy
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
16.
Current Understanding and Modeling of B Diffusion and Activation Anomalies in Preamorphized Ultra-Shallow Junctions
机译:
预变形超浅结中B扩散和活化异常的当前理解和建模
作者:
B. Colombeau
;
A.J. Smith
;
N.E.B. Cowern
;
B.J. Pawlak
;
F. Cristiano
;
R. Duffy
;
A. Claverie
;
C.J. Ortiz
;
P. Pichler
;
E. Lampin
;
C. Zechner
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
17.
Channel engineering and junction overlap issues for ultra-shallow junctions formed by SPER in the 45 nm CMOS technology node
机译:
SPER在45 nm CMOS技术节点中形成的超浅结的通道工程和结重叠问题
作者:
Simone Severi
;
Kirklen Henson
;
Richard Lindsay
;
Anne Lauwers
;
Bartek J. Pawlak
;
Radu Surdeanu
;
K. De Meyer
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
18.
Concentration Dependence of Boron-Interstitial Cluster (BIC) Formation in Silicon-on-Insulator (SOI)
机译:
绝缘体上硅(SOI)中硼-间隙团簇(BIC)形成的浓度依赖性
作者:
A. F. Saavedra
;
K. S. Jones
;
L. Radic
;
M. E. Law
;
K. K. Chan
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
19.
Enhanced Boron Diffusion in Amorphous Silicon
机译:
非晶硅中硼的扩散增强
作者:
J.M. Jacques
;
N. Burbure
;
K.S. Jones
;
M.E. Law
;
L.S. Robertson
;
D.F. Downey
;
L.M. Rubin
;
J. Bennett
;
M. Beebe
;
M. Klimov
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
20.
Formation and Morphology Evolution of Nickel Germanides on Ge (100) under Rapid Thermal Annealing
机译:
快速热退火下锗(100)上锗化物的形成和形貌演化
作者:
K.Y. Lee
;
S.L. Liew
;
S.J. Chua
;
D.Z. Chi
;
H.P. Sun
;
X.Q. Pan
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
21.
Influence of Atomic Hydrogen on Nickel Silicide Formation
机译:
原子氢对硅化镍形成的影响
作者:
A. Vengurlekar
;
Satheesh Balasubramanian
;
S. Ashok
;
N. D. Theodore
;
D.Z. Chi
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
22.
Indium in silicon: interactions with native defects and with C impurities
机译:
硅中的铟:与天然缺陷和C杂质的相互作用
作者:
P. Alippi
;
A. La Magna
;
S. Scalese
;
V. Privitera
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
23.
Non-contact Electrical Measurements of Sheet Resistance and Leakage Current Density for Ultra-shallow (and other) Junctions
机译:
超浅(和其他)结的薄层电阻和泄漏电流密度的非接触式电气测量
作者:
Vladimir N. Faifer
;
Michael I. Current
;
Wojtek Walecki
;
Vitali Souchkov
;
Georgy Mikhaylov
;
PhucVan
;
Tim Wong
;
Tan Nguyen
;
Jiansong Lu
;
S.H. Lau
;
Ann Koo
会议名称:
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|
2004年
24.
Interactions of Indium, Arsenic and Carbon in Silicon Using the Pseudopotential Technique
机译:
伪电位技术在硅中铟,砷和碳的相互作用
作者:
M. Shishkin
;
A. Yan
;
M. M. De Souza
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
25.
Investigation of Fluorine Effect on the Boron Diffusion by Mean of Boron Redistribution in Shallow Delta-doped Layers
机译:
氟在硼掺杂浅层掺杂层中对硼扩散的影响研究
作者:
A. Halimaoui
;
J. M. Hartmann
;
C. Laviron
;
R. El-Farhane
;
F. Laugier
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
26.
MILLISECOND MICROWAVE ANNEALING: REACHING THE 32 NM NODE
机译:
微妙的微波退火:达到32海里的节点
作者:
Keith Thompson
;
John H. Booske
;
R.L. Ives
;
John Lohr
;
Yurii A. Gorelov
;
Ken Kajiwara
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
27.
On the 'Life' of {113} Defects
机译:
论{113}缺陷的“生命”
作者:
N. Cherkashin
;
P. Calvo
;
F. Cristiano
;
B. de Mauduit
;
A. Claverie
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
28.
Measurements of Ultra-Shallow Junction (USJ) Sheet Resistance with a Non-Penetrating Four Point Probe
机译:
使用非穿透四点探针测量超浅结(USJ)薄层电阻
作者:
Robert J. Hillard
;
Robert G. Mazur
;
William J. Alexander
;
C. Win Ye
;
Mark C. Benjamin
;
John O. Borland
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
29.
Role of C and Ge in the electrical activation of In implanted in Silicon
机译:
C和Ge在注入硅中In的电活化中的作用
作者:
S. Scalese
;
V. Privitera
;
M. Italia
;
A. La Magna
;
P. Alippi
;
L. Renna
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
30.
Recessed and Epitaxially Regrown SiGe(B) Source/Drain Junctions with Ni salicide contacts
机译:
硅化镍接触的凹进和外延生长的SiGe(B)源/漏结
作者:
Christian Isheden
;
Per-Erik Hellstroem
;
Henry H. Radamson
;
Mikael Oestling
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
31.
Technology Computer Aided Design of Ultra-shallow Junctions in Si Devices Formed by Laser Annealing Processes
机译:
激光退火工艺形成的硅器件中超浅结的技术计算机辅助设计
作者:
Antonino La Magna
;
Paola Alippi
;
Vittorio Privitera
;
Guglielmo Fortunato
;
MarcoCamalleri
;
Bengt Svensson
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
32.
Applications of Ni-based silicides to 45 nm CMOS and Beyond
机译:
镍基硅化物在45 nm CMOS及以上应用
作者:
Jorge A. KM
;
Anne Lauwers
;
Oxana Chamirian
;
Malgorzata A. Pawlak
;
Mark Van Dal
;
Amal Akheyar
;
Muriel De Potter
;
Anil Kottantharayil
;
Geoffrey Pourtois
;
Richard Lindsay
;
Karen Maex
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
33.
Arsenic diffusion in Si and Si_(0.9)Ge_(0.1) alloys: Effect of defect injection
机译:
Si和Si_(0.9)Ge_(0.1)合金中的砷扩散:缺陷注入的影响
作者:
Suresh Uppal
;
J. M. Bonar
;
Jing Zhang
;
A. F. W. Willoughby
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
34.
Effect of Ge-rich Si_(1-z)Ge_z Segregation on the Morphological Stability of NiSi_(1-u)Ge_u Film Formed on Strained (001) Si_(0.8)Ge_(0.2) Epilayer
机译:
富Ge的Si_(1-z)Ge_z偏析对应变(001)Si_(0.8)Ge_(0.2)外延层上形成的NiSi_(1-u)Ge_u膜的形态稳定性的影响
作者:
H.B. Yao
;
D.Z. Chi
;
S. Tripathy
;
S.Y. Chow
;
W.D. Wang
;
S. J. Chua
;
H.P. Sun
;
X.Q. Pan
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
35.
Advanced Thermal Processing of Semiconductor Materials by Flash Lamp Annealing
机译:
闪光灯退火对半导体材料的先进热处理
作者:
W. Skorupa
;
D. Panknin
;
M. Voelskow
;
W. Anwand
;
T. Gebel
;
R. A. Yankov
;
Silke Paul
;
Wilfried Lerch
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
36.
Study of Ge Out-diffusion During Nickel (Platinum ~ 0,5,10 at. ) Germanosilicide Formation
机译:
镍(铂〜0,5,10 at。%)锗硅化物形成过程中Ge扩散的研究
作者:
L. J. Jin
;
K. L. Pey
;
W. K. Choi
;
E. A. Fitzgerald
;
D. A. Antoniadis
;
A. J. Pitera
;
M. L. Lee
;
D. Z. Chi
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
37.
Modeling B clustering in Si and SiGe
机译:
在Si和SiGe中建模B聚类
作者:
Ljubo Radic
;
Aaron D. Lilak
;
Mark E. Law
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
38.
Ni-Silicided Deep Source/Drain Junctions Formed by Solid Phase Epitaxial Regrowth
机译:
固相外延生长形成的镍硅化深源极/漏极结
作者:
Anne Lauwers
;
Richard Lindsay
;
Kirklen Henson
;
Simone Severi
;
Amal Akheyar
;
Bartek J. Pawlak
;
Muriel de Potter
;
Karen Maex
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
39.
Lattice strain and composition of Boron-Interstitial Clusters in Crystalline Silicon
机译:
晶硅中的晶格应变和硼间隙簇的组成
作者:
D. De Salvador
;
G. Bisognin
;
E. Napolitani
;
L. Aldegheri
;
A.V. Drigo
;
A. Camera
;
S. Mirabclla
;
E. Bruno
;
G. Impellizzeri
;
F. Priolo
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
40.
Optimization of Fluorine Co-implantation for PMOS Source and Drain Extension Formation for 65nm Technology Node
机译:
用于65nm工艺节点的PMOS源极和漏极扩展形成的氟共注入工艺的优化
作者:
H. Graoui
;
M. Hilkene
;
B. McComb
;
M. Castle
;
S. Felch
;
N.E.B. Cowern
;
A. Al-Bayati
;
A. Tjandra
;
M. A. Foad
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
41.
Ni Silicide Morphology On Small Features
机译:
硅化镍形态的小特征
作者:
Oxana Chamirian
;
Anne Lauwers
;
Jorge A. Kittl
;
Mark Van Dal
;
Muriel De Potter
;
Christa Vrancken
;
Richard Lindsay
;
Karen Maex
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
42.
Materials Challenges for CMOS Junctions
机译:
CMOS结的材料挑战
作者:
William J. Taylor
;
Michael J. Rendon
;
Eric Verret
;
Jack Jiang
;
Cristiano Capasso
;
Dave Sing
;
Jen-Yee Nguyen
;
James Smith
;
Eric Luckowski
;
Arturo Martinez
;
Jamie Schaeffer
;
Phil Tobin
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
43.
Modeling Dopant Diffusion in SiGe and SiGeC alloys
机译:
模拟SiGe和SiGeC合金中的掺杂扩散
作者:
Ardechir Pakfar
;
Philippe Holliger
;
Alain Poncet
;
Cyril Fellous
;
Didier Dutartre
;
Thierry Schwartzmann
;
Herve Jaouen
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
44.
Modeling Atomistic Ion-Implantation and Diffusion for Simulating Intrinsic Fluctuation in MOSFETs arising from Line-Edge Roughness
机译:
建模原子离子注入和扩散,以模拟由线边缘粗糙度引起的MOSFET的固有波动
作者:
Masami Hane
;
Takeo Ikezawa
;
Tatsuya Ezaki
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
45.
(A)thermal migration of Ge during junction formation in s-Si layers grown on thin SiGe-buffer layers
机译:
(A)在薄SiGe缓冲层上生长的s-Si层中结形成期间Ge的热迁移
作者:
W. Vandervorst
;
B.J. Pawlak
;
T.Janssens
;
B.Brijs
;
R. Delhougne
;
M. Caymax
;
R.Loo
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
46.
A photothermal method of simultaneous determination of ultra-shallow junction depth and abruptness
机译:
同时测定超浅结深度和突变率的光热方法
作者:
Alex Salnick
;
Lena Nicolaides
;
Jon Opsal
;
Amitabh Jain
;
Duncan Rogers
;
Lance Robertson
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
47.
Simulation and Electron Energy-Loss Spectroscopy of Electron Beam Induced Point Defect Agglomerations in Silicon
机译:
硅中电子束诱导的点缺陷团聚的模拟和电子能量损失谱
作者:
Nathan G. Stoddard
;
Gerd Duscher
;
Wolfgang Windl
;
George A. Rozgonyi
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
48.
Strain Relaxation of Ion-implanted Strained Silicon on Relaxed SiGe
机译:
松弛SiGe上离子注入应变硅的应变弛豫
作者:
R. T. Crosby
;
K. S. Jones
;
M. E. Law
;
A. F. Saavedra
;
J. L. Hansen
;
A. N. Larsen
;
J. Liu
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
49.
The Effect of Photoresist Outgassing on Boron Clustering and Diffusion in Low Energy BF_2~+ Ion Implantation
机译:
光刻胶除气对低能BF_2〜+离子注入中硼团簇和扩散的影响
作者:
Peter Kopalidis
;
Serguei Kondratenko
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
50.
Suppression of Boron Diffusion by Fluorine Implantation in Preamorphized Silicon
机译:
预先注入非晶硅中的氟注入抑制硼的扩散
作者:
Giuliana Impellizzeri
;
Jose H. R. dos Santos
;
Salvatore Mirabella
;
Francesco Priolo
;
Enrico Napolitani
;
Alberto Camera
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
51.
Dopant diffusion in amorphous silicon
机译:
掺杂剂在非晶硅中的扩散
作者:
R. Duffy
;
V.C. Venezia
;
A. Heringa
;
M.J.P. Hopstaken
;
G.C.J. Maas
;
T. Dao
;
Y. Tamminga
;
F. Roozeboom
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
52.
Boron Diffusion and Silicon Self-Interstitial Recycling between SiGeC layers
机译:
SiGeC层之间的硼扩散和硅自填隙回收
作者:
M. S. Carroll
;
J. C. Sturm
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
53.
Boron-Interstitial Cluster Kinetics: Extraction of Binding Energies from Dedicated Experiments
机译:
硼-间隙团簇动力学:专用实验中结合能的提取
作者:
Christophe J. Ortiz
;
Peter Pichler
;
Volker Haeublein
;
Giovanni Mannino
;
Silvia Scalese
;
Vittorio Privitera
;
Sandro Solmi
;
Wilfried Lerch
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
54.
BIC Formation and Boron Diffusion in Relaxed Si_(0.8)Ge_(0.2)
机译:
松弛Si_(0.8)Ge_(0.2)中的BIC形成和硼扩散
作者:
R. T. Crosby
;
L. Radic
;
K. S. Jones
;
M. E. Law
;
P.E. Thompson
;
J. Liu
;
M. Klimov
;
V. Craciun
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
55.
Atomistic Analysis of the Role of Silicon Interstitials in Boron Cluster Dissolution
机译:
硅间隙物在硼团簇溶解中作用的原子分析
作者:
Maria Aboy
;
Lourdes Pelaz
;
Luis A. Marques
;
Pedro Lopez
;
Juan Barbolla
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
56.
BEHAVIOR OF Si INTERSTITIALS AND BORON-INTERSTITIAL PAIRS AT THE Si/SiO_2 INTERFACE
机译:
Si / SiO_2界面处的Si间隙和硼间隙对的行为
作者:
Taras A. Kirichenko
;
Decai Yu
;
Sanjay K. Banerjee
;
Gyeong S. Hwang
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
57.
Atomistic Modeling and Simulation of Impurity Atmosphere in Silicon and Edge Dislocation Locking Effects
机译:
硅中杂质气氛的原子建模与模拟及边缘位错锁定效应
作者:
A. Karoui
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
58.
Atomistic Modeling of Ion Beam Induced Defects in Si: From Point Defects to Continuous Amorphous Layers
机译:
硅中离子束诱导缺陷的原子建模:从点缺陷到连续非晶层
作者:
Lourdes Pelaz
;
Luis A. Marques
;
Pedro Lopez
;
Ivan Santos
;
Maria Aboy
;
Juan Barbolla
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
59.
Accurate Monte Carlo Simulation of Ion Implantation into Arbitrary 1D/2D/3D Structures for Silicon Technology
机译:
硅技术向任意1D / 2D / 3D结构中注入离子的精确Monte Carlo模拟
作者:
Shiyang Tian
;
Victor Moroz
;
Norbert Strecker
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
60.
Activation, Diffusion and Defect Analysis of a Spike Anneal Thermal Cycle
机译:
尖峰退火热循环的活化,扩散和缺陷分析
作者:
Silke Paul
;
Wilfried Lerch
;
Xavier Hebras
;
Nikolay Cherkashin
;
Fuccio Cristiano
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
61.
Diffusion of Fluorine at High Concentration in Silicon: Experiments and Models
机译:
高浓度氟在硅中的扩散:实验和模型
作者:
Robert R. Robison
;
Antonio F. Saavedra
;
Mark E. Law
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
62.
Device Characteristics of Ultra-shallow Junctions Formed by fRTP Annealing
机译:
fRTP退火形成的超浅结的器件特性
作者:
A. Satta
;
R. Lindsay
;
S. Seven
;
K. Henson
;
K. Maex
;
S. McCoy
;
J. Gelpey
;
K. Elliott
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
63.
Enhancement of Boron Activation in Shallow Junctions by Hydrogen
机译:
氢增强浅结中的硼活化
作者:
A. Vengurlekar
;
S. Ashok
;
C. E. Kalnas
;
N. D. Theodore
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
64.
Erbium-Silicided Source/Drain Junction Formation by Rapid Thermal Annealing Technique for Decananometer-Scale Schottky Barrier Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
机译:
十米级肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的快速热退火技术形成Formation硅化源漏结。
作者:
Moongyu Jang
;
Yarkyeon Kim
;
Jaeheon Shin
;
Kyoungwan Park
;
Seongjae Lee
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
65.
Electrical profiles of ultra-low energy antimony implants in silicon
机译:
硅中超低能锑植入物的电学特征
作者:
T. Alzanki
;
R. Gwilliam
;
N. Emerson
;
B. J. Sealy
;
E. Collart
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
66.
Effects of Alloying on Properties of NiSi for CMOS Applications
机译:
合金化对CMOS应用NiSi性能的影响
作者:
Mark van Dal
;
Amal Akheyar
;
Jorge A. Kittl
;
Oxana Chamirian
;
Muriel De Potter
;
Caroline Demeurisse
;
Anne Lauwers
;
Karen Maex
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
67.
Growth of epitaxial CoSi_2 from Cobalt Carbonyl on Si(100) Substrate
机译:
Si(100)衬底上钴羰基外延CoSi_2的生长
作者:
R. Singanamalla
;
D.W. Greve
;
K. Barmak
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
68.
Fabrication of p+ Ultra Shallow Junctions (USJ) in silicon by excimer laser doping from spin-on glass sources
机译:
通过旋涂玻璃源的准分子激光掺杂在硅中制造p + / n超浅结(USJ)
作者:
S. Coutanson
;
E. Fogarassy
;
J. Venturini
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
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2004年
69.
Impact of Buffered Layer Growth Conditions on Grown-In Vacancy Concentrations in Molecular Beam Epitaxy Silicon Germanium
机译:
缓冲层生长条件对分子束外延硅锗中空位浓度的影响
作者:
Kareem M. Shoukri
;
Yaser M. Haddara
;
Andrew P. Knights
;
Paul G. Coleman
;
Mohammad M. Rahman
;
C.C. Tatsuyama
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
70.
The Role of Preamorphization and Activation for Ultra Shallow Junction Formation on Strained Si Layers Grown on SiGe Buffer
机译:
SiGe缓冲层上生长的应变Si层上超浅结形成过程中预非晶化和活化的作用
作者:
B.J. Pawlak
;
W. Vandervorst
;
R. Lindsay
;
I. De Wolf
;
F. Roozeboom
;
R. Delhougne
;
A. Benedetti
;
R. Loo
;
M. Caymax
;
K. Maex
;
N.E.B. Cowern
会议名称:
《Silicon Front-End Junction Formation-Physics and Technology》
|
2004年
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