Department of Electrical Computer Engineering McMaster University, Hamilton, ON, Canada;
机译:生长条件对分子束外延生长硅锗结构空位型缺陷的影响
机译:原子硅和锗梁对Si-GEH4分子束外延的Si1-X Ge(X)层生长动力学的影响
机译:生长条件对分子束外延生长Ga(In)NP外延层中缺陷的形成和发光效率的影响
机译:缓冲层生长条件对分子束外延硅锗中空位浓度的影响
机译:硅(011)和硅锗(011)气源分子束外延:表面重建,生长动力学和锗偏析。
机译:等离子体辅助分子束外延在抛光钴箔上大面积生长多层六方氮化硼
机译:分子束外延生长嵌入式锗纳米晶体二氧化硅层的结构和电性能