气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法

摘要

一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法，其是用乙硼烷∶磷烷为掺杂剂生长N-P-N双极晶体管材料时，将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流，降低残余硼、磷杂质的本底浓度，并减少氢对硅生长速率的影响；掺硼结束时，速关断乙硼烷气流并降低乙硼烷裂解炉温度，可将硼严格限制在基区内；生长硅发射区时，将磷炉温度升高，可提高磷掺杂浓度并减少磷烷对硅生长速率的影响。