Motorola Advanced Products RD Lab, Mail Drop K-10, 3501 Ed Bluestein Blvd., Austin, Texas, USA78721;
机译:浅结源极/漏极扩展纳米CMOS中栅极感应的漏极泄漏的结深度依赖关系
机译:超越CMOS:III-V器件,RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成,以创建智能微系统
机译:新颖的研究材料,器件扩展了CMOS,提出了革命性的后CMOS方法
机译:CMOS结的材料挑战
机译:III-V材料与Si CMOS的“结级”异质集成,用于新型非对称场效应晶体管。
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:超越CMOS:III-V设备的异构集成,RF MEMS和其他不同材料/设备与SI CMOS创建智能微系统