一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法

摘要

本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；4)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管基区外延材料层；5)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；6)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7)在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGe HBT晶体管。本发明采用局部两次氮化硅硬掩膜氧化工艺方法，减小了HBT晶体管外基区高台阶，从而减小了外基区高台阶反射对发射结多晶光刻造成的影响。