基于锗硅BiCMOS工艺的射频带隙基准电流源设计

摘要

射频电路偏置电流源对噪声的要求越来越高,引进的噪声不容忽视,带隙基准源在保证温漂系数的同时要求有较低的噪声.设计了一款不采用运放结构简单的射频带隙基准源电路,电源电压3.3 V,基准电压VREF为3.14V,采用PNP双极管和电阻,利用缓冲器负载实现输出DC点和输出摆幅不变,改善了温度系数并且降低了噪声.基于0.18 μm SiGeBiCMOS工艺的仿真结果表明,在-55～125℃温度范围内,温漂系数为9.613×10-6/℃;7.5 GHz频率下,100 kHz处噪声为6.164 nV/sqrt(Hz),总输出噪声低至2.08×10-6V.