BiCMOS工艺中HBT基区锗硅外延层质量优化工艺方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中HBT基区锗硅外延层质量优化工艺方法，包括步骤：形成第一栅氧化层；对第一栅氧化层进行刻蚀；形成第二栅氧化层，第二栅氧化层的厚度小于第一栅氧化层的厚度；生长第一多晶硅层，光刻刻蚀形成多晶硅栅；SC film生长，光刻刻蚀形成锗硅窗口；进行热氧化生长并湿法去除，以消除锗硅窗口区域内的硅衬底表面的缺陷；进行锗硅外延层生长。本发明通过在锗硅窗口形成后，进行热氧化并湿法去除热氧化层来消除锗硅窗口区域内的硅衬底表面的缺陷，从而能消除基区锗硅外延层形成区域的有源区表面的损伤，提高HBT基区锗硅外延层质量、从而提高HBT性能。