退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
李建军; 李正孝;
不详;
晶体管; 理论模型; 多晶硅; 发射极; 锗硅合金基区;
机译:使用电子全息图可视化带有多晶硅发射极的硅锗HBT的掺杂轮廓
机译:C对具有IDP发射极的单多晶硅SiGe:C HBT的发射极基极设计的影响
机译:硅锗HBTS发射极外围的隧道
机译:用于SiGe HBT的F注入,低热预算的多晶硅发射极的增加的电流增益和减小的发射极电阻
机译:用于毫米波应用的硅锗虚拟衬底生长和硅(1-y)锗(y)/硅(1-x)锗(x)/硅(1-y)锗(y)HBT。
机译:基于多晶硅 - 锗的微血频仪阵列的制备
机译:锗在锗注入制备的siGe异质结双极晶体管多晶硅发射极中的扩散
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:硅锗hbt中多晶硅锗的独立控制方法及相关结构
机译:在生产与双极晶体管的非本征基极自对准的发射极时使用的多晶硅层刻蚀工艺涉及停止在锗或硅锗中间层上或之中的等离子体刻蚀,以形成凹槽
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。