锗硅HBT选择性外基区的注入方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT选择性外基区的注入方法，在外基区注入之前，先淀积一层氧化膜，然后进行回刻，在外基区与外侧墙之间再形成侧墙，填充外基区与外侧墙之间的不规则间隙，然后进行外基区注入。在外基区注入时，保护住外基区与外侧墙之间区域的下层不被注入，降低基极‑集电极电容。