0.18μm锗硅HBT BiCMOS工艺中的pin开关二极管设计

摘要

本文成功地实现了pin开关二极管在0.18μm HBT BiCMOS工艺中的集成。通过不同版图设计对性能影响的对比，结果显示八角形的版图设计性能最优；同时在pin管的总面积不变时，pin二极管单管面积越小，插入损耗越小；而隔离度则与pin的总面积相关，面积越小，隔离度越小。在版图最优的基础上，目前采用优化的i区杂质注入条件，得到了插入损耗<1 dB.隔离度<-20 dB，满足客户产品对pin性能的要求。目前器件性能仍在进一步提高。