锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法，包括步骤：淀积第一层多晶硅并进行掺杂；对第一层多晶硅进行光刻刻蚀形成多晶硅电阻；淀积第二层氧化硅并进行回刻形成多晶硅电阻的侧墙；采用热氧化工艺形成第三氧化硅层；依次淀积第四氧化硅层和第五多晶硅仔晶层；采用光刻和刻蚀工艺打开锗硅外延层窗口；淀积锗硅外延层和第六氧化硅层；采用光刻工艺定义出锗硅HBT的基区形成区域；采用湿法刻蚀工艺将基区外的第六氧化硅层去除；采用干法刻蚀工艺将基区外的锗硅外延层和第五多晶硅仔晶层去除并形成基区。本发明能够消除多晶硅电阻周围的多晶硅残留，提高多晶硅电阻的面内均匀性。