一款基于BiCMOS工艺的高性能带隙基准电路

摘要

电源电压的变化是影响带隙基准电路稳定性的主要因素之一。本文针对该问题,在采用深度负反馈环路的基础上,增加了一种提高电源电压抑制比的电路结构来降低电源变化对基准的影响。该电路采用BiCMOS工艺设计,同时具有良好的温度性能。文中给出了详细的分析和电路实现。该电路通过Hspice验证,温度系数仅为5.7ppm/℃。