首页> 中文期刊>微计算机信息 >基于BiCMOS工艺的带隙基准电压源设计

基于BiCMOS工艺的带隙基准电压源设计

     

摘要

电压基准是模拟集成电路的重要单元模块,本文在0.35um BiCMOS工艺下设计了一个带隙基准电压源.仿真结果表明,该基准源电路在典型情况下输出电压为1.16302V,在-45℃~105℃范围内,其温度系数为3.6ppm/℃,在在电源电压为3V~3.6V范围内,参考电压从.16295V~1.16308V,变化了130uV,电源电压调整率为0.0186%/V.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号