带隙基准电压源

摘要： 高精度数模转换器内部一般集成有带隙基准电压源,其作用是为数模转换器内部电路提供参考电压,带隙基准电压源参考电压的精度和抗干扰能力直接决定了整个数模转换器的稳定性.本文介绍了一种高精度、低温度系数的带隙基准电源源电路的设计,并对带隙基准电压源的启动电路、温度系数以及电源电压抑制比进行了仿真,结果表明本次设计的带隙基准电压源电路具有低温度系数、高电源电压抑制比的特点.

摘要： 高精度数模转换器内部一般集成有带隙基准电压源,其作用是为数模转换器内部电路提供参考电压,带隙基准电压源参考电压的精度和抗干扰能力直接决定了整个数模转换器的稳定性。本文介绍了一种高精度、低温度系数的带隙基准电源源电路的设计,并对带隙基准电压源的启动电路、温度系数以及电源电压抑制比进行了仿真,结果表明本次设计的带隙基准电压源电路具有低温度系数、高电源电压抑制比的特点。

摘要： 本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源.设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比.电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,供电电源为1.8 V,仿真结果表明:电路在-40～130°C温度范围内,温度系数为1.54×10-6°C-1,输出基准电压为1.154 V,电源抑制比在10 Hz处为-76 dB,在100 kHz处为-85 dB,在15 MHz处为-63 dB.本基准源具有较好的综合性能,可为数模转换电路、模数转换电路、电源管理芯片等提供高精度的基准电压,具有较大的应用价值.

摘要： 采用含运算放大器钳位结构的带隙基准核心电路,设计一种低温漂系数高抑制比带隙基准电压源.针对基准核心电路输出电压中高阶温度分量对温漂系数的影响,加入了一种电流抽取与注入结构的高精度曲率校正电路,在基准输出电压随温度上升而增大阶段抽取一部分正温度系数电流,在基准输出电压随温度上升而减小阶段注入一部分正温度系数电流,利用单一的正温度系数电流对基准输出电压高阶温度分量进行校正,达到降低温漂系数的目的.在0.5 μm CMOS工艺模型下,使用Cadence Spectre软件对电路进行仿真,仿真结果表明,温度特性得到了较大的改善,当温度在-40～+125°C范围内时,温漂系数仅为0.5057×104/°C,低频段时电源抑制比为-81.8 dB.带隙基准电路正常工作的最低电源电压为2.4 V.

摘要： 高速光接收芯片的片上电源稳定性至关重要,片上电源管理单元 (PMU,Power Management Unit)为各子模块提供稳定的供电,低温漂带隙基准电压源是PMU设计中的核心模块.提出一种用于高速光接收芯片的低温漂带隙基准电压源的设计.为克服随机失调对基准电压温度系数的影响,在运放设计中采用了OOS(输出失调存储,Output Offset Storage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,有效降低了不同PVT情况下的失调电压.采用0.18 μm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,在运放输入端的初始失调电压为7 mV时,输入失调电压可被降低到0.1 mV以下.量产测试结果显示,温度系数最高为20.5×10-6/°C,不修调精度0.8％以内,输出纹波电压最大为88 μV,满足了高速光接收芯片的稳定性要求.

摘要： 为了减小基准源输出信号随温度变化的波动,设计了一种基于温度曲率补偿的带隙基准电压源电路结构,采用负反馈箝位技术,简化了电路结构,减小了噪声和失调误差;同时应用β倍增器电流源作为温度曲率补偿电路,有效降低了温度系数.仿真结果表明,在-20~105°C范围内,所设计的带隙基准电压源的温度系数仅为0.904 ppm/°C,低频时电源电压抑制比为46 dB.该电路结构可以有效地提高带隙基准电压源的温度性能.%In order to reduce the fluctuation of output signal of the reference source vary with temperature changes,a bandgap voltage reference circuit structure was proposed based on the temperature curvature compensation. The negative feedback clamp technology was used to simplify the design and reduce noise and offset error.Theβmultiplier current source was adopted as tem-perature curvature compensation circuit,effectively reducing the temperature coefficient.Simulation results show that,within the range of -20~105 °C,the temperature coefficient of the bandgap reference voltage source designed is only 0.904 ppm /°C,when the low-frequency power supply rejection ratio is 46 dB.The circuit structure can effectively improve the temperature performance of bandgap voltage reference source.

摘要： 设计了一种高阶曲率补偿低温漂系数的CMOS带隙基准电压源,采用自偏置共源共栅结构,降低了电路工作的电源电压.采用电流抽取电路结构,在高温阶段抽取与温度正相关电流,低温阶段抽取与温度负相关的电流,使得电压基准源在整个工作温度范围内有多个极值点,达到降低温漂系数的目的.在0.5 μm CMOS工艺模型下,Cadence Spectre电路仿真的结果表明,在-40～+145°C范围内,温度特性得到了较大的改善,带隙基准电压源的温漂系数为7.28×10-7/°C.当电源电压为2.4V时电路就能正常工作.%A low temperature drift coefficient CMOS bandgap voltage reference source with high-order curvature compensation was designed.A self-biased cascode circuit structure was used to reduce the working supply voltage.Using the circuit structure of the current extraction,different currents were extracted at different temperatures.A positive temperature coefficient current could be extracted from its output branch in the period of high temperature;on the contrary,a negative temperature coefficient current could be extracted in the period of low temperature.In this way,the voltage reference source has multiple poles in the whole operating temperature range and the goal of lower temperature drift coefficient is achieved.Based on 0.5 μm CMOS process,the results of Cadence Spectre circuit simulation shows that the temperature characteristics are improved greatly in the temperature range of-40 °C to 145 °C,and the temperature drift coefficient is 7.28 × 10-7/°C.The circuit can work properly when the power supply voltage is 2.4 V.

摘要： 带隙基准电压源是各类模拟/混合集成电路的基础组件.在典型带隙基准源的基础上,采用了电流补偿、多种电阻的一阶补偿以及电阻与电流的高阶补偿在内的多级多类型的温度补偿技术,并结合输出电压可配置方案,提出了一种输出电压可配置的低温漂带隙基准电压源电路.基于65nm CMOS工艺的实现结果表明,输出电压的可配置范围为0.1V～1.5V,在-40°C～125°C范围内,其温度系数稳定在0.66ppm门°C～0.92ppm/°C之间.

摘要： 低温漂、低输出电压和可配置输出电压是带隙基准电压源的发展方向.本文在典型的带隙电压源的基础上,提出一种电流补偿模型,通过电流一阶补偿、正负电阻补偿以及正负电阻补偿后的高阶补偿等多元件多次补偿技术构建电路,采用4位可编程输出电路控制输出电压,实现了具有低温漂、低输出电压和输出可配置的技术特点.基于65nm CMOS工艺的HSPICE模拟结果表明,输出电压从0.12V～2V,以0.13V为步长递进,其温度系数稳定在0.9～1.033ppm/°C之间(-40°C～125°C).

摘要： 本文设计了一个在0.8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61V的基准电压.该电路中采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器；采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法,实现了大于59dB电源抑制比和-30°C至150°C范围内11.7ppm/°C的温度系数。

摘要： 本文采用0.5μmCMOS工艺设计了一种高精度低压基准电压源.提出了一种结构比较新颖的基准电压源电路,该基准电压源电路具有较低的温度系数、较大的温度范围和较高的电源抑制比.此外,还增加了提高电源抑制比电路、启动电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.Spice仿真结果表明:低频时电源抑制比可达70dB;在-40～120°C范围内,输出变化仅为0.004V,温度系数可达25×10-6V/°C;静态功耗小,在电源电压Vdd=3.3V时,总功耗约为0.025mW.

摘要： 本发明实施例的目的在于提供带隙基准电压源电路和带隙基准电压源，以解决现有带隙基准电压源电路，因为包含误差放大器及相应的偏置电路，存在面积较大的问题。同时，现有带隙基准电压源电路由于基准电压由一支路单独生成，因此，还存在其镜像电流源间的镜像失配也会加大基准电压的失调电压的问题。为解决上述问题，本发明实施例中所提供的带隙基准电压源电路中，没有用到误差放大器，因此省去了误差放大器自身的失调电压电压及噪声对基准电压输出端的影响，并且节省了功耗和面积；同时，本发明实施例中的基准电压输出支路并未如现有电路一样，由一个支路单独产生，也在一定程度上避免了电流镜像失配引起的失调电压的影响。

摘要： 本发明公开了一种应用于带隙基准电压源的加速启动电路，其为通过在带隙基准电压源的主体电路上镜像一路电流，通过该镜像电流产生另一带隙基准电压，而后通过比较器来比较两个输出电压，开启一个晶体管开关，利用电流源通过开启的晶体管开关对带隙基准电压源充电，从而保证了带隙基准电压源的加速开启。本发明还公开了一种带隙基准电压源。

摘要： 本发明涉及一种带隙基准电压源启动电路及CMOS带隙基准电压源，包括一个运算放大器A1，所述运算放大器A1包括由晶体管M6和晶体管M7组成的共源放大级，该共源放大级构成该运算放大器A1的第二级，晶体管M7的漏极与晶体管M6的漏极连接，其中，作为电流源的晶体管M7是负载管，晶体管M6是放大管，还包括源跟随器A2，该源跟随器由晶体管M8和晶体管M9组成，其中，作为电流源的晶体管M9是负载管。本发明所述的带隙基准电压源启动电路稳定、可靠，而且电路简单、低功耗，解决了带隙基准电压源的上电启动问题。

摘要： 本发明提供一种改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路，该带隙基准电压产生电路包含：改进型带隙基准电压源和级联的电流镜像电路，本发明带隙基准电压产生电路通过级联的电流镜像电路将电流反馈至该改进型带隙基准电压源的正向电源输入端，同时本发明改进型带隙基准电压源通过在电源端与传统的带隙基准电压源之间增加一P型MOSFET，使得电源输入端的阻抗近似为该MOSFET的跨导倒数，从而提高了电源的电源抑制比，并且本发明改进型带隙基准电压源在传统带隙基准电压源基础上增加了两个电阻，使得差分电路的两组对称管互相之间的漏端电压更接近，同时使得电流更匹配。

摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源的调整电路、方法及带隙基准电压源，其中带隙基准电压源的调整电路包括第一电压调整单元和第二电压调整单元，第一电压调整单元对应差分放大器的正输入端设置，第二电压调整单元对应差分放大器的负输入端设置，第一电压调整单元通过对流入差分放大器的正输入端的电流进行抽取控制以调整第一电压，第二电压调整单元通过对流入差分放大器的负输入端的电流进行抽取控制以调整第二电压，以便对放大器的失调电压进行调整；由此，能够明显减小失调电压，且基本不会影响带隙基准的温漂系数，从而提高带隙基准输出电压的精度和稳定性。

摘要： 本发明公开一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源，包括：启动电路用于启动基准电压源；偏置电流源电路通过在亚阈值区的场效应晶体管的栅源电压差控制在线性区的场效应晶体管的电阻，并根据工作在线性区的场效应晶体管的漏源电压和电阻得到偏置电流；低阈值源跟随电路通过控制运算放大器的输出阻抗控制环路增益；带隙基准核心电路根据双极型晶体管在负温度系数的基极‑发射极电压和正温度系数的基极‑发射极电压，得到基准电压；曲率补偿电路产生与温度系数呈反比的补偿电流，以对基准电压进行曲率补偿。获得低功耗高性能高精度的带隙基准电压源。

摘要： 本发明实施例的目的在于提供带隙基准电压源电路和带隙基准电压源，以解决现有带隙基准电压源电路，因为包含误差放大器及相应的偏置电路，存在面积较大的问题。同时，现有带隙基准电压源电路由于基准电压由一支路单独生成，因此，还存在其镜像电流源间的镜像失配也会加大基准电压的失调电压的问题。为解决上述问题，本发明实施例中所提供的带隙基准电压源电路中，没有用到误差放大器，因此省去了误差放大器自身的失调电压电压及噪声对基准电压输出端的影响，并且节省了功耗和面积；同时，本发明实施例中的基准电压输出支路并未如现有电路一样，由一个支路单独产生，也在一定程度上避免了电流镜像失配引起的失调电压的影响。

摘要： 本发明公开了一种应用于带隙基准电压源的加速启动电路，其为通过在带隙基准电压源的主体电路上镜像一路电流，通过该镜像电流产生另一带隙基准电压，而后通过比较器来比较两个输出电压，开启一个晶体管开关，利用电流源通过开启的晶体管开关对带隙基准电压源充电，从而保证了带隙基准电压源的加速开启。本发明还公开了一种带隙基准电压源。

摘要： 本发明涉及一种带隙基准电压源启动电路及CMOS带隙基准电压源，包括一个运算放大器A1，所述运算放大器A1包括由晶体管M6和晶体管M7组成的共源放大级，该共源放大级构成该运算放大器A1的第二级，晶体管M7的漏极与晶体管M6的漏极连接，其中，作为电流源的晶体管M7是负载管，晶体管M6是放大管，还包括源跟随器A2，该源跟随器由晶体管M8和晶体管M9组成，其中，作为电流源的晶体管M9是负载管。本发明所述的带隙基准电压源启动电路稳定、可靠，而且电路简单、低功耗，解决了带隙基准电压源的上电启动问题。

摘要： 本发明提供一种改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路，该带隙基准电压产生电路包含：改进型带隙基准电压源和级联的电流镜像电路，本发明带隙基准电压产生电路通过级联的电流镜像电路将电流反馈至该改进型带隙基准电压源的正向电源输入端，同时本发明改进型带隙基准电压源通过在电源端与传统的带隙基准电压源之间增加一P型MOSFET，使得电源输入端的阻抗近似为该MOSFET的跨导倒数，从而提高了电源的电源抑制比，并且本发明改进型带隙基准电压源在传统带隙基准电压源基础上增加了两个电阻，使得差分电路的两组对称管互相之间的漏端电压更接近，同时使得电流更匹配。