一种单层多晶硅BiCMOS工艺研究

摘要

介绍了一种单层多晶硅ＣＭＯＳ工艺。该工艺采用Ｐ型衬底、Ｎ型Ｐ型双埋层、Ｎ型薄外延结构，掺杂多晶硅作为ＣＭＯＳ晶体管栅极和双极ＮＰＮ晶体管的发射极。ＣＭＯＳ晶体管采用源漏自对准结构，钛和铝双层金属作为元件互连线，ＰＥＣＶＤＳｉＮｘ介质作为钝化薄膜。