机译:浅结源极/漏极扩展纳米CMOS中栅极感应的漏极泄漏的结深度依赖关系
The Dept. of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Korea;
GIDL; junction; halo; nanoscale CMOS;
机译:间隔型浅源/排水延伸结的分析模型与分析,双闸门(SDE-JLDG)MOSFET结合了流苏现场效应
机译:锗含量对凹陷的SiGe源/漏结泄漏电流的依赖性
机译:具有极浅的源极-漏极结的亚微米级栅长p沟道和n沟道MOSFET
机译:深亚微米CMOSFET特性对浅源极/漏极结深度的依赖性
机译:用于纳米级CMOS集成电路的硅,硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
机译:胸腔镜下的T-排水食管术治疗食管胃癌食管切除术后的胸腔镜用于食管胃癌癌症:案例报告
机译:通过优化22 nm和32 nm sOI nFET中的结型线来抑制栅极引起的漏极泄漏
机译:通过磁场中的电阻测量确定Nb / alO(sub x)/ Nb Josephson结中Nb的穿透深度的温度依赖性