Institute of Materials Research and Engineering, Singapore;
机译:Cu-德国锗化物肖特基接触n型Ge的电学性质取决于其由快速热退火驱动的微观结构演变
机译:锗化硅(100)上自组装镍锗化物纳米环的扩散动力学和演化
机译:射频磁控溅射和快速热处理在硅(100)上形成硅盖锗岛的过程:退火时间的作用
机译:快速热退火下GE(100)镍锗的形成和形态演化
机译:(100)硅上溅射镍钛薄膜的等温和等时退火过程中的应力演变。
机译:高温退火沉积在Si(100)上的Ge层的表面形貌转变
机译:用EX原位和原位透射电子显微镜研究的超薄钽层增强了镍锗的形态和热稳定性