Future Technology Research Division, Electronics and Telecommunication Research Institute, Daejon, 305-350, Korea;
机译:硅化er的形成,作为癸烷级肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和漏极
机译:激光退火形成的Pt-锗化物及其与TaN /化学气相沉积HfO_2 / Ge栅叠层集成的肖特基源/漏金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:具有自对准NiGe / Ge结和可大规模缩放的高k栅极叠层的肖特基源/漏锗基金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:通过快速热退火技术进行铒 - 硅化源/漏极形成,用于DEDANANTOMETER-SCATE SCOTTKY屏障金属氧化物 - 半导体场效应晶体管
机译:后收缩肖特基源极金属氧化物半导体场效应晶体管。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:使用掺杂剂隔离的绝缘体上硅基肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管有效降低肖特基势垒
机译:大漏极电压下结型场效应晶体管的场分布。