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Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International
Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International
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1.
Electromigration test on via line structure with a self-heated method
机译:
用自热方法对过孔结构进行电迁移测试
作者:
Yap H.K.
;
Yap A.
;
Tan Y.C.
;
Lo K.F.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
2.
A systematic leakage current analysis of gate oxide soft breakdown
机译:
栅极氧化物软击穿的系统泄漏电流分析
作者:
Reiner J.C.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
3.
A new approach in flash-memory testing to increase quality and reduce cycle time on improvements
机译:
闪存测试中的一种新方法,可以提高质量并减少改进周期
作者:
Giglio G.
;
Masi T.
;
Mastrocola M.
;
Morgana F.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
4.
Model for NBTI in p-MOSFETs with ultra thin nitrided gated oxides
机译:
具有超薄氮化栅氧化层的p-MOSFET的NBTI模型
作者:
Houssa M.
;
Parthasarathy C.R.
;
Huard V.
;
Revil N.
;
Vincent E.
;
Autran J.L.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
5.
DI water tribocharging damage at CMP
机译:
CMP的去离子水摩擦损坏
作者:
Lloyd B.
;
Zeid F.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
6.
Fast wafer level monitoring of stress induced leakage current in deep sub-micron embedded non-volatile memory processes
机译:
在深亚微米嵌入式非易失性存储过程中,对应力引起的泄漏电流进行快速晶圆级监控
作者:
Guoqiao Tao
;
Scarpa A.
;
Valk H.
;
van Marwijk L.
;
van Dijk K.
;
Kuper F.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
7.
Parametric reliability test: wafer surface contamination study
机译:
参数可靠性测试:晶圆表面污染研究
作者:
Bersuker G.
;
Guan J.
;
Gale G.
;
Lysaght P.
;
Riley D.
;
Huff H.R.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
8.
The impact of NBTI and HCI on deep sub-micron PMOSFETs' lifetime
机译:
NBTI和HCI对深亚微米PMOSFET寿命的影响
作者:
Chul-Hee Jeon
;
Sam-Young Kim
;
Hyun-Soo Kim
;
Chae-Bog Rim
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
9.
Light enhanced tungsten via corrosion
机译:
通过腐蚀使光增强钨
作者:
Westergard L.
;
Belisle C.
;
Florence D.
;
Haskett T.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
10.
Bias and temperature dependent hot-carrier characteristics of sub-100 nm partially depleted SOI MOSFETs
机译:
低于100 nm的部分耗尽SOI MOSFET的偏置和温度相关的热载流子特性
作者:
Zhao E.-X.
;
Chan J.
;
Zhang J.
;
Marathe A.
;
Taylor K.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
11.
Real case study of SWEAT EM test on via/line structure as process reliability monitor methodology
机译:
通过过孔/线路结构进行SWEAT EM测试的真实案例研究,作为过程可靠性监控方法
作者:
Andrew K.L.Y.
;
Bee Hoon Lim
;
Yap H.K.
;
Tan Y.C.
;
Lo K.F.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
12.
Biographies
机译:
传记
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
13.
A practical methodology for multi-modality electromigration lifetime prediction
机译:
一种多模态电迁移寿命预测的实用方法
作者:
Lin M.H.
;
Yang G.S.
;
Lin Y.L.
;
Lin M.T.
;
Lin C.C.
;
Yeh M.S.
;
Chang K.P.
;
Su K.C.
;
Chen J.K.
;
Chang Y.J.
;
Tahui Wang
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
14.
Conducting atomic force microscopy studies for reliability evaluation of ultrathin SiO
2
films
机译:
进行原子力显微镜研究以评价SiO
2 sub>超薄薄膜的可靠性
作者:
Benstetter G.
;
Frammelsberger W.
;
Schweinboeck T.
;
Stamp R.J.
;
Kiely J.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
15.
New applications of the infrared emission microscopy to wafer-level backside and flip-chip package analyses
机译:
红外发射显微镜在晶圆级背面和倒装芯片封装分析中的新应用
作者:
Hsiung S.
;
Tan K.
;
Luo J.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
16.
Infrared Optical Beam Induced Resistance Change (IROBIRCH) technology for IC failure localization and analysis
机译:
用于IC故障定位和分析的红外光束感应电阻变化(IROBIRCH)技术
作者:
Weaver K.
;
Acedo H.
;
Gao G.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
17.
Temperature determination methods on copper material for highly accelerated electromigration tests (e.g. SWEAT)
机译:
用于高度加速电迁移测试的铜材料的温度确定方法(例如SWEAT)
作者:
von Hagen J.
;
Schafft H.A.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
18.
Electromigration simulation in Cu-low-K multilevel interconnect segments
机译:
Cu-low-K多层互连段中的电迁移模拟
作者:
Sukharev V.
;
Choudhury R.
;
Park C.W.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
19.
Comparison of low leakage and high speed deep submicron PMOSFETs submitted to hole injections
机译:
进行空穴注入的低泄漏和高速深亚微米PMOSFET的比较
作者:
Bravaix A.
;
Goguenheim D.
;
Revil N.
;
Vincent E.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
20.
Evidence for defect-generation-driven wear-out of breakdown conduction path in ultra thin oxides
机译:
缺陷生成驱动超薄氧化物中击穿传导路径磨损的证据
作者:
Monsieur F.
;
Vincent E.
;
Ribes G.
;
Huard V.
;
Bruyere S.
;
Roy D.
;
Pananakakis G.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
21.
Gate oxide reliability correlation between test structures and DRAM product chips
机译:
测试结构与DRAM产品芯片之间的栅极氧化物可靠性相关性
作者:
Vollertsen R.-P.
;
Nierle K.
;
Wu E.Y.
;
Wen S.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
22.
Wafer-level reliability assessment of SiGe NPN HBTs after high temperature electrical operation
机译:
高温电气操作后SiGe NPN HBT的晶圆级可靠性评估
作者:
Hofmann K.
;
Bruegmann G.
;
Lill A.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
23.
Hot carrier luminescence for backside 0.15 μm CMOS device analysis
机译:
热载流子发光用于背面0.15μmCMOS器件分析
作者:
Ng W.
;
Gao G.
;
Abraham A.
;
Lundquist T.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
24.
Interface traps and oxide charges during NBTI stress in p-MOSFETs
机译:
p-MOSFET在NBTI应力期间的界面陷阱和氧化物电荷
作者:
Huard V.
;
Monsieur F.
;
Parthasarathy C.R.
;
Bruyere S.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
25.
Using life-cycle information for reliability assessment of electronic assemblies
机译:
使用生命周期信息进行电子组件的可靠性评估
作者:
Middendorf A.
;
Griese H.
;
Reichl H.
;
Grimm W.M.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
26.
Comparison of calculated AC to DC Hot Carrier lifetimes based on combined single MOST DC stress results and inverter simulations with AC stress measurements on single MOST's to check the duty factor approach
机译:
基于组合的单个MOST直流应力结果和逆变器仿真以及单个MOST上的交流应力测量结果,计算出的AC到DC热载流子寿命的比较,以检查占空比法
作者:
Kuge H.-H.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
27.
One-dimensional estimation of interconnect temperatures
机译:
互连温度的一维估计
作者:
Labun A.
;
Jensen J.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
28.
2002 IEEE International Integrated Reliability Workshop. Final Report (Cat. No.02TH8634)
机译:
2002 IEEE国际综合可靠性研讨会。最终报告(货号02TH8634)
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
29.
Negative bias temperature instability of deep sub-micron p-MOSFETs under pulsed bias stress
机译:
脉冲偏置应力下深亚微米p-MOSFET的负偏置温度不稳定性
作者:
Zhu B.
;
Suehle J.S.
;
Chen Y.
;
Bernstein J.B.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
30.
Self-consistent integrated system for susceptibility to terrestrial neutron induced soft-error of sub-quarter micron memory devices
机译:
自洽的集成系统,对亚中子微米存储设备的地面中子诱发的软错误敏感
作者:
Yasuo Yahagi
;
Saito Y.
;
Terunuma K.
;
Nunomiya T.
;
Nakamura T.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
31.
Electrical properties and reliability of HfO
2
deposited via ALD using Hf(NO
3
)
4
precursor
机译:
Hf(NO
3 sub>)
4 sub>前驱体通过ALD沉积的HfO
2 sub>的电性能和可靠性
作者:
Conley J.F. Jr.
;
Ono Y.
;
Zhuang W.
;
Stecker L.
;
Stecker G.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
32.
Sub-quarter micron SRAM cells stability in low-voltage operation: a comparative analysis
机译:
四分之一微米的SRAM单元在低压操作中的稳定性:比较分析
作者:
Semenov O.
;
Pavlov A.
;
Sachdev M.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
33.
Extrapolation of highly accelerated electromigration tests on copper to operation conditions
机译:
将铜的高度加速电迁移测试外推至工作条件
作者:
von Hagen J.
;
Bauer R.
;
Penka S.
;
Pietsch A.
;
Walter W.
;
Zitzelsberger A.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
34.
Direct correlation of electrical reliability data to SEM analysis for deep trench dielectric weakness
机译:
电气可靠性数据与SEM分析的直接相关性,用于深沟槽电介质弱点
作者:
Wuhn M.
;
Diestel G.
;
Obry M.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
35.
Alternate method of TDDB study for aluminum oxide using magneto-resistance
机译:
TDDB研究利用磁阻法研究氧化铝的另一种方法
作者:
Kumar S.
;
Knowlton W.B.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
36.
Comparison of isothermal wafer-level EM and package-level EM for via test structure in dual damascene low k/Copper process
机译:
双镶嵌低k /铜工艺中通孔测试结构的等温晶圆级EM和封装级EM的比较
作者:
Chang M.N.
;
Chang K.P.
;
Sue K.C.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
37.
Polarity dependent reliability of advanced MOSFET using MOCVD nitrided Hf-silicate high-k gate dielectric
机译:
使用MOCVD氮化H硅酸盐高k栅极电介质的先进MOSFET的极性依赖可靠性
作者:
Zhang J.
;
Zhao E.
;
Xiang Q.
;
Chan J.
;
Jeon J.
;
Goo J.-S.
;
Marathe A.
;
Ogle B.
;
Lin M.-R.
;
Taylor K.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
38.
Effect of reduced current density stress on the results of isothermal electromigration test for Cu single damascene line
机译:
电流密度应力降低对铜单镶嵌线等温电迁移测试结果的影响
作者:
Kin Leong
;
Andrew Y.
;
Bee Hoon Lim
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
39.
Fast and reliable WLR monitoring methodology for assessing thick dielectrics test structures integrated in the kerf of product wafers
机译:
快速可靠的WLR监测方法,用于评估集成在产品晶圆切口中的厚电介质测试结构
作者:
Martin A.
;
von Hagen J.
;
Fazekas J.
;
Allers K.-H.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
40.
Time-dependent dielectric breakdown evaluation of deep trench capacitor with sidewall hemispherical, polysilicon grains for gigabit DRAM technology
机译:
具有侧壁半球形多晶硅晶粒的深沟槽电容器的时变介电击穿评估,用于千兆位DRAM技术
作者:
Fen Chen
;
Parkinson P.
;
McStay I.
;
Settlemyer K.
;
Reviere R.
;
Tews H.
;
Seitz M.
;
Min-soo Kim
;
Ruprecht M.
;
Jinghong Li
;
Jammy R.
;
Strong A.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
41.
Defect generation in ultra-thin oxide over large fluence range
机译:
大注量范围内的超薄氧化物中的缺陷产生
作者:
Heh D.
;
Vogel E.M.
;
Bernstein J.B.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
42.
Intra-metal leakage reliability characteristics for line/via in copper/low-k interconnect structures
机译:
铜/低k互连结构中线/通孔的金属内泄漏可靠性特性
作者:
Jeung-Woo Kim
;
Nam-Hyung Lee
;
Hyung-Woo Kim
;
Hyun-Soo Kim
;
Chae-Bog Rim
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
43.
1-D and 2-D hot carrier layout optimization of N-LDMOS transistor arrays
机译:
N-LDMOS晶体管阵列的一维和二维热载流子布局优化
作者:
Brisbin D.
;
Strachan A.
;
Chaparala P.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
44.
How to check the design for the possible reliability problems?
机译:
如何检查设计中可能存在的可靠性问题?
作者:
Zaslavsky M.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
45.
Thermal and dielectric breakdown for metal insulator metal capacitors (MIMCAP) with tantalum pentoxide dielectric
机译:
五氧化二钽电介质对金属绝缘子金属电容器(MIMCAP)的热和介电击穿
作者:
Allers K.-H.
;
Schwab R.
;
Walter W.
;
Schrenk M.
;
Korner H.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
46.
Reliability concerns for HfO
2
/Si devices: interface and dielectric traps
机译:
HfO
2 sub> / Si器件的可靠性问题:接口陷阱和介电陷阱
作者:
Kang A.Y.
;
Lenahan P.M.
;
Conley J.F. Jr.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
47.
Relationship between interfacial adhesion and electromigration in Cu metallization
机译:
铜金属化过程中界面附着力与电迁移的关系
作者:
Lloyd J.R.
;
Lane M.W.
;
Liniger E.G.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
48.
Combined AFM methods to improve reliability investigations of thin oxides
机译:
结合AFM方法可改善薄氧化物的可靠性研究
作者:
Frammelsberger W.
;
Benstetter G.
;
Stamp R.J.
;
Stamp J.
;
Kiely J.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
49.
Linear logistic regression: an introduction
机译:
线性逻辑回归:简介
作者:
Haifley T.
会议名称:
《Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International》
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