首页> 外文会议>Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002. IEEE International >A new approach in flash-memory testing to increase quality and reduce cycle time on improvements
【24h】

A new approach in flash-memory testing to increase quality and reduce cycle time on improvements

机译:闪存测试中的一种新方法,可以提高质量并减少改进周期

获取原文

摘要

We have developed a methodology to reduce cycle time on improvements in FLASH-Memory 0.18um CMOS devices, utilizable on all non-volatile memories. With this method it is possible to perform speedily all improvements even having statistic on few devices.
机译:我们已经开发出一种方法,可以减少FLASH存储器0.18um CMOS器件的改进周期时间,该方法可在所有非易失性存储器上使用。使用此方法,即使在少数设备上具有统计信息,也可以快速执行所有改进。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号