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IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
召开年:
2020
召开地:
Singapore(SG)
出版时间:
-
会议文集:
-
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769
条结果
1.
Nanoscale thermally induced strain and stress analysis by complementary Scanning Thermal Microscopy Techniques
机译:
纳米级热诱导应变和应力分析互补扫描热显微镜技术
作者:
Fakhri M.
;
Geinzer A.-K.
;
Heiderhoff R.
;
Balk L.J.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
2.
Thermal analysis of high power LEDs at working conditions
机译:
工作条件下高功率LED的热分析
作者:
Jang S. H.
;
Shin M. W.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
3.
General estimation of Stress Induced Voiding for vias connected to large Cu plate
机译:
压力诱导压力估计对大Cu板的通孔的空隙
作者:
Huang Clement
;
Liang James W.
;
Juan Alex
;
Su K. C.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
4.
Degradation of static behaviour of poly-Si CMOS inverters under high frequency operation
机译:
高频操作下多Si CMOS逆变器的静态行为的劣化
作者:
Chen Wei
;
Wang Mingxiang
;
Zhou Yan
;
Wong Man
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
5.
A study on off-state leakage current characteristics of asymmetric-metal—oxide—semiconductor field-effect transistors
机译:
非对称金属氧化物半导体场效应晶体管断线漏电流特性研究
作者:
Seokil Kwon
;
Byoungseon Choi
;
Hyung-Suk Kuh
;
Hyunae Park
;
Byoungdeok Choi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
6.
Practical application of 2D dopant profiling by LV-SEM
机译:
LV-SEM的2D掺杂剂分析的实际应用
作者:
Hyun M.S.
;
Hyun H.Y.
;
Yang J.M.
;
Kwak N.Y.
;
Kim W.
;
Kim H.J.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
7.
Semiconductor layer extraction techniques by SEM
机译:
SEM半导体层提取技术
作者:
Jin Won Koh
;
Gu Teak Hwang
;
Moon Seop Hyun
;
Jun-Mo Yang
;
Jeoung Woo Kim
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
8.
Corrosive tendency of Ag plated lead frame applied to white LED
机译:
Ag电镀引线框架施加到白色LED的腐蚀趋势
作者:
SungSoon Choi
;
ByungJin Ma
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
9.
Whitening phenomena between polyphthalamide sidewall and silicone encapsulant in the light-emitting diode package
机译:
发光二极管封装中的多苯胺侧壁和硅树脂包封剂之间的美白现象
作者:
Kwang-Cheol Lee
;
Sang-Mook Kim
;
Hwa-Sub Oh
;
Jong Hyeob Baek
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
10.
DRAM failure cases under hot-carrier injection
机译:
热载体注射下的DRAM故障情况
作者:
Baeg Sanghyeon
;
Chia Pierre
;
Wen ShiJie
;
Wong Richard
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
关键词:
DRAM;
hot-carrier injection;
pumped voltage;
11.
Interface analysis of epi-Si(111)/Y
2
O
3
/Pr
2
O
3
/Si(111) heterostructures
机译:
EPI-Si(111)/ Y
2 INF>或
3 INF> /是(111)异质结构的界面分析
作者:
Yang J.-M.
;
Kim J. W.
;
Wilke A.
;
Seifarth O.
;
Schroeder T.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
12.
Microstructure evolution of Cu/Sn/Cu bonding stacks impacts on their mechanical properties
机译:
Cu / Sn / Cu键合堆栈对其机械性能影响的微观结构演变
作者:
Byunghoon Lee
;
Lee Hoo-jeong
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
13.
Metal pad failure phenomena of biosensor due to spontaneous nickel silicide formation
机译:
由于自发镍硅化物形成,生物传感器的金属垫失效现象
作者:
Boung Ju Lee
;
Jae Sub Oh
;
Seok Jae Lee
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
14.
Low voltage detection methods by microcolumn
机译:
微柱的低电压检测方法
作者:
Choi S. K.
;
Babin S.
;
Oh T.S.
;
Kim D. W.
;
Ahn S.
;
Kim H. S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
15.
Investigation of organic thin-film transistors for electrostatic discharge applications
机译:
用于静电放电应用有机薄膜晶体管的研究
作者:
Liou Juin J.
;
Wen Liu
;
Kuribara Kazunori
;
Fukuda Kenjiro
;
Sekitani Tsuyoshi
;
Someya Takao
;
Luo Sirui
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
16.
The effect of SiO
2
/SiN
x
bilayer structure on the bias and light-induced instability in InGaZnO TFTs
机译:
SiO
2 INF> / SIN
双层结构对Ingazno TFT的偏置和光引起的不稳定的影响
作者:
Ji Kwang Hwan
;
Kim Ji-In
;
Hong Yoon Jung
;
Se Yeob Park
;
Mo Yeon-Gon
;
Jeong Jae Kyeong
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
17.
Comparison of classical and two-photon photoelectric laser stimulation capabilities for failure analysis
机译:
古典和双光子光电激光刺激能力对故障分析的比较
作者:
Shao K.
;
Pouget V.
;
Faraud E.
;
Larue C.
;
Lewis D.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
18.
Reliability characteristics of cerium dioxide thin films
机译:
二氧化铈薄膜的可靠性特性
作者:
Chiu Fu-Chien
;
Shu-Hao Chang
;
Chih-Yao Huang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
19.
The effect of plasma pre-cleaning on the Cu-Cu direct bonding for 3D chip stacking.
机译:
等离子体预清洗对3D芯片堆叠Cu-Cu直接键合的影响。
作者:
Kim Jae-Won
;
Kim Kwang-Seup
;
Lee Hak-Joo
;
Hee-yeon Kim
;
Park Young-Bae
;
Hyun Seungmin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
20.
Integration of atomistic and continuum-level electromigration models
机译:
集成原子和连续级电迁移模型
作者:
Ceric H.
;
de Orio R. L.
;
Selberherr S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
21.
Reliability characterizations of resistive switching devices using zinc oxide thin film
机译:
氧化锌薄膜电阻开关装置的可靠性特征
作者:
Fu-Chien Chiu
;
Peng-Wei Li
;
Chang Wen-Yuan
;
Wu Tai-Bor
;
Chen Chih-Chi
;
Chih-Yao Huang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
22.
Threshold voltage changed by floating gate control in electrolyte-insulator-semiconductor structure
机译:
电解液绝缘体半导体结构中浮栅控制改变的阈值电压
作者:
Kwon Hyurk-Choon
;
Heng Yuan
;
Se-Hyuk Yeom
;
Kang Shin-Won
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
23.
Electrostatic discharge influence on carrier dynamics and reliability characteristics of GaN-based blue light-emitting diodes
机译:
静电放电对GaN基蓝光二极管载体动力学和可靠性特性的影响
作者:
Min-Jung Park
;
Jin-Chul Kim
;
Hyun-Ki Lee
;
Seon-Ho Jang
;
Ja-Soon Jang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
24.
Degradation model of LED based on accelerated life test
机译:
基于加速寿命试验的LED劣化模型
作者:
Je Wook Jang
;
Seung Yoon Choi
;
Joong Kon Son
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
25.
Analysis of low-frequency noise in a-Si:H thin-film transistor by using a unified model
机译:
使用统一模型分析A-Si:H薄膜晶体管的低频噪声
作者:
Younghwan Son
;
Jaehong Lee
;
Jaeho Lee
;
Shin Hyungcheol
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
26.
The streched-exponential dependence of V
T
shift by gate bias and temperature stress in undoped Ge nanowire
机译:
V
T INF>通过栅极偏置和温度应力在未掺杂GE纳米线中的拉伸指数依赖性
作者:
Sung-Won Yoo
;
Hyun-Seung Lee
;
Moon-Ho Jo
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
27.
Application of Wright Etch in failure analysis on localized abnormal implant profile in wafer fabrication
机译:
赖特蚀刻在晶圆制造中局部异常植入物简析失败分析中的应用
作者:
Lee W.F.
;
Chin Aaron
;
Seah P.H.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
28.
Study of the charge leakage of dual layer Pt metal nanocrystal-based high-#x03BA;/SiO
2
flash memory cell - a relaxation current point of view
机译:
基于双层PT金属纳米晶高κ/ SiO
2 INF>闪存单元的电荷泄漏研究 - 放松电流点
作者:
Chen Y. N.
;
Pey K. L.
;
Goh K. E. J.
;
Lwin Z. Z.
;
Singh P. K.
;
Mahapatra S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
29.
Effects of dopings on the electric-field-induced atomic migration and void formation in Ge
2
Sb
2
Te
5
机译:
掺杂对Ge
2 IM> 2 INF> TE
5 INF>的电气场诱导原子迁移和空隙形成的影响
作者:
Yang Tae-Youl
;
Cho Ju-Young
;
Yong-Jin Park
;
Joo Young-Chang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
关键词:
Gelt;
infgt;
2lt;
/infgt;
Sblt;
infgt;
2lt;
/infgt;
Telt;
infgt;
5lt;
/infgt;
electromigration;
phase change memory;
reliability;
set-stuck;
30.
Numerical analysis and experimental verification of ISC(Integrated Smart Card) during bending and twist test
机译:
弯曲和扭曲试验期间ISC(集成智能卡)的数值分析与实验验证
作者:
Jae-Oh Bang
;
Hyo-Soo Lee
;
Kyong-Jun An
;
Seung-Boo Jung
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
31.
An innovative method for fast TEM sample transfer and immediate analysis thereafter
机译:
一种创新的快速TEM样本传递方法和立即分析
作者:
Utess D.
;
Wuerfel A.
;
Langer E.
;
Engelmann H.J.
;
Lehmann R.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
32.
Negative drain pulse stress induced two-stage degradation of P-channel poly-Si thin-film transistors
机译:
负漏脉冲应力诱导P沟道多Si薄膜晶体管的两级劣化
作者:
Lu Xiaowei
;
Wang Mingxiang
;
Zhang Meng
;
Wong Man
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
33.
Reconfiguration algorithm for low temperature sub-array on VLSI/WSI arrays with faults
机译:
具有故障的VLSI / WSI阵列低温子阵列的重新配置算法
作者:
Wu Jigang
;
Zhipeng Niu
;
Yuanbo Zhu
;
Srikanthan Thambipillai
;
Qingni Shen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
关键词:
Reconfiguration;
algorithm;
cool VLSI array;
fault-tolerance;
34.
Comparisons of mechanical reliabilities of Sn-3.0Ag-0.5Cu solder between ENIG and immersion Sn pad finishes
机译:
SN-3.0AG-0.5CU焊料在ENIG和浸入式SN焊盘上的机械可靠性比较
作者:
Kim Jae-Myeong
;
Jeong Myeong-Hyeok
;
Sang-Hyun Kwon
;
Yoo Sehoon
;
Park Young-Bae
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
35.
Characterization and passivation of band gap states in metal-oxide-semiconductor field effect transistors with polycrystalline silicon channel
机译:
具有多晶硅通道的金属氧化物半导体场效应晶体管中带隙状态的表征与钝化
作者:
Tae-Young Jang
;
Dong-Hyoub Kim
;
Jungwoo Kim
;
Jun Suk Chang
;
Hoichang Yang
;
Jeong Jae Kyeong
;
Daeseok Lee
;
Hyunsang Hwang
;
Choi Rino
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
36.
Conduction mechanisms and reliability characteristics in MgO resistive switching memory devices
机译:
MgO电阻切换存储器装置中的传导机制和可靠性特性
作者:
Fu-Chien Chiu
;
Jun-Jea Feng
;
Wen-Chieh Shih
;
Po-Yueh Cheng
;
Chih-Yao Huang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
37.
Plasma damage failure analysis cases study by EBIC detection on nano-probing SEM system
机译:
含有EBIC检测对纳米探测SEM系统的血浆损伤失败分析案例研究
作者:
Chiu E Tseng
;
Wen Pin Lin
;
Yi Heang Chen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
38.
Optimization of Cu electrodeposition parameters for Through Silicon Via (TSV)
机译:
通过硅通孔(TSV)的Cu电沉积参数优化
作者:
Sang-Soo Noh
;
Eun-Hey Choi
;
Yong-Hyuk Lee
;
Hyun-jin Ju
;
Sa-Kyun Rha
;
Boung-ju Lee
;
Dong-Kyu Kim
;
Youn-Seoung Lee
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
39.
Analysis on thermal resistance of LED module with various thermal vias
机译:
各种热通孔的LED模块热阻分析
作者:
Hyeong Won Shin
;
Hyo Soo Lee
;
Seung Boo Jung
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
关键词:
LED;
heat dissipation;
thermal resistance;
thermal via;
40.
Effect of light illumination on the low-frequency noises in amorphous-IGZO TFTs
机译:
光照射对无定形IGZO TFT的低频噪声的影响
作者:
Cho I. T.
;
Park J. M.
;
Cheong W. S.
;
Hwang C. S.
;
Kwon H. I.
;
Cho I. H.
;
Park B. G.
;
Shin H.
;
Lee J. H.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
41.
A new approach to the study of single bit failure mechanism in semiconductor devices
机译:
半导体器件中单比特故障机制研究的一种新方法
作者:
Soon Ju Lee
;
Ju Hee Lee
;
Won Kim
;
Jong Hyeop Kim
;
Hyung Do Kim
;
Hee Chang Jang
;
Hyoung Ryeun Kim
;
Ho Joung Kim
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
42.
Effects of side reservoirs on the electromigration lifetime of copper interconnects
机译:
侧储层对铜互连电迁移寿命的影响
作者:
Mario Hendro
;
Gan Chee Lip
;
Yeow Kheng Lim
;
Juan Boon Tan
;
Jun Wei
;
Chookajorn Tongjai
;
Thompson Carl V.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
43.
Drain bias stress-induced degradation in amorphous silicon thin film transistors with negative gate bias
机译:
具有负栅极偏压的无定形硅薄膜晶体管中的漏极偏压应力引起的降解
作者:
Zhou Dapeng
;
Wang Mingxiang
;
Lu Xiaowei
;
Zhou Jie
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
44.
Application of AFP (Atomic Force Probing) on the failure analysis of 65nm technology SRAM
机译:
AFP(原子力探测)在65NM技术SRAM失效分析中的应用
作者:
Chen Changing
;
Li Yan
;
Ang GhimBoon
;
Wang Qingxiao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
45.
Failure isolation using FIB assist Photon Emission Microscopy analysis and microprobe analysis
机译:
使用FIB辅助光子发射显微镜分析和微探针分析失败隔离
作者:
Gaojie Wen
;
Binghai Liu
;
Winter Wang
;
Jinglong Li
;
Li Tian
;
Xuezhu Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
46.
Leakage issues in failure analysis of p+ SiGe active area short monitor
机译:
P + SiGe活动区域短监测器失效分析泄漏问题
作者:
Arya Ankur
;
Johnson Greg M
;
Ronsheim Paul
;
Nxumalo Jochonia
;
Molella Christopher M
;
Murphy Richard J
;
Seung Chul Lee
;
Daleo Chris
;
Bum Ki Moon
;
Onoda Hiroyuki
;
Chung Woh Lai
;
Shenzhi Yang
;
Yew Tuck
;
Chow Clament
;
Lee James
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
47.
Applications of C-AFM analysis techniques at advanced IC on ATPG/Scan failure
机译:
C-AFM分析技术在高级IC对ATPG /扫描失败的应用
作者:
Chee Hong Chong
;
Wilson Lee Cheng Hoe
;
Ren De Lin
;
Hong Bo Zhang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
48.
The novel TEM sample preparations technique for long dimension trench
机译:
长尺寸沟槽的新型TEM样品制备技术
作者:
Po Fu Chou
;
Shu Mei Fang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
49.
Approximations to field-effect factor and their use in GIDL modeling
机译:
近似于现场效应因子及其在GIDL建模中的使用
作者:
Kozhukhov Nikita
;
Byoungchan Oh
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
50.
Optical degradation of white GaN-based light emitting diodes stressed under DC current and temperatures
机译:
在DC电流和温度下应力的白色GaN的发光二极管的光学劣化
作者:
Jung E.
;
Kim H.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
51.
Positive bias temperature stress induced degradation in p-channel poly-Si thin-film transistors
机译:
P沟道多Si薄膜晶体管中的正偏置温度应力诱导降解
作者:
Lu Xiaowei
;
Wang Mingxiang
;
Wong Man
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
52.
Novel sample preparation techniques in exposing die backside on molded packages
机译:
在模压包装上曝光模板的新型样品制备技术
作者:
Mendaros Raymond
;
Capito Eugene
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
53.
Non-ideal characteristic analysis of GaN-based light-emitting diode using current-voltage (I–V) and low-frequency noise experiment
机译:
采用电流 - 电压(I-V)和低频噪声实验的GaN基发光二极管的非理想特征分析
作者:
Jungjin Park
;
Taewook Kang
;
Daeyoung Woo
;
Joong-Kon Son
;
Jong-Ho Lee
;
Byung-Gook Park
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
54.
On-chip LDO voltage regulator failure analysis and yield improvement
机译:
片上LDO电压调节器故障分析和产量改进
作者:
Re-Long Chiu
;
Higgins Jason
;
Shu-Lan Ying
;
Gang Wang
;
Chiu Quincy
;
Delilah Bernabe
;
Chung Jones
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
55.
Advanced scanning acoustic technique application in flip-chip devices
机译:
倒装芯片器件中的高级扫描声学技术应用
作者:
Hu X.H.
;
Tay M. Y.
;
Tan M.C.
;
Zhao X.L.
;
Chin J.M.
;
Lei H.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
56.
Stress induced hump in p-channel poly-Si TFTs under dynamic negative bias temperature stress
机译:
在动态负偏置温度应力下,应力诱导P沟道多Si TFT中的驼峰
作者:
Zhou Jie
;
Wang Mingxiang
;
Wong Man
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
57.
Time Resolved Imaging at low power supply on 45nm technology
机译:
45nm技术的低电源时的时间分辨成像
作者:
Bascoul G.
;
Perdu P.
;
Celi G.
;
Dudit S.
;
Lewis D.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
58.
The properties comparison between Au and Cu wires bond in DRAM component
机译:
DRAM组件中AU和Cu线键合的特性比较
作者:
Yi Heang Chen
;
Meiying Hsiao
;
Tseng Chiu E
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
59.
A novel method to analyze analog and mixed mode IC failure by Soft Defect Localization (SDL)
机译:
一种通过软缺损定位分析模拟和混合模式IC失效的新方法(SDL)
作者:
Jinglong Li
;
Zhai Linda
;
Wang Winter
;
Motohiko Masuda
;
Fan Bird
;
Zhang Andy
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
60.
Electrical failure and damage analysis of multi-layer metal films on flexible substrate during cyclic bending deformation
机译:
循环弯曲变形期间柔性基板多层金属膜的电气故障及损伤分析
作者:
Byoung-Joon Kim
;
Hae-A-Seul Shin
;
In-Suk Choi
;
Young-Chang Joo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
61.
Resistive vias defect localization methodology in failure analysis
机译:
电阻通过缺陷故障分析中的定位方法
作者:
Wu Chunlei
;
Motohiko Masuda
;
Wang Winter
;
Song Grace
;
Wu Miao
;
Tian Li
;
Yu Joe
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
62.
Stress induced self aligned contact failure during tungsten-poly gate process in sub-60 nm memory device
机译:
钨 - 多栅极工艺中的应力诱导自对准接触失效在Sub-60 nm存储器件中
作者:
Sung Min-Gyu
;
Kim Yong Soo
;
Park Sung-Ki
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
63.
Multi variation mapping for Dynamic Laser Stimulation analysis
机译:
动态激光刺激分析的多变形映射
作者:
Kevin Sanchez
;
Perdu Philippe
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
64.
Failure analysis of semiconductor device using Nano Electro-static field Probe Sensor (NEPS)
机译:
纳米电静电场探针传感器(NEPS)的半导体器件失效分析
作者:
Ito Seigo
;
Takiguchi Kiyoaki
;
Sodeyama Hiroko
;
Matsumoto Toru
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
65.
Failure analysis using LVP for tolerant design about BEOL parasitic effects in nanoscale technology
机译:
利用LVP对纳米技术BEOL寄生效应进行耐受性设计的故障分析
作者:
Jung-Tae Kim
;
Yong-Seop Kim
;
Moo-Jong Hong
;
Yun-Woo Lee
;
Eun-Chul Lee
;
Gab-Soo Han
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
66.
Novel methodology for predictive interface reliability analysis in IC packages by a dual experimental and numerical approach
机译:
通过双重实验和数值方法对IC包装预测界面可靠性分析的新方法
作者:
Hertl M.
;
Weidmann D.
;
Chauffleur X.
;
Dubois G.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
67.
Non-electrical-contact LSI failure analysis using non-bias laser terahertz emission microscope
机译:
使用非偏置激光太赫兹发射显微镜的非电气接触LSI失效分析
作者:
Nikawa Kiyoshi
;
Yamashita Masatsugu
;
Matsumoto Toru
;
Otani Chiko
;
Tonouchi Masayoshi
;
Midoh Yoshihiro
;
Miura Katsuyoshi
;
Nakamae Koji
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
68.
Surface cleaning method for elimination of Cu-oxide layer formed on Cu film
机译:
用于消除在Cu膜上形成的Cu-氧化物层的表面清洁方法
作者:
Hyun-jin Ju
;
Yong-Hyuk Lee
;
Sang-Soo Nho
;
Eun-Hey Choi
;
Sa-Kyun Rha
;
Youn-Seoung Lee
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
69.
Review on induced CDM-ESD test methodologies for flash memory device
机译:
临界闪存设备诱导的CDM-ESD测试方法
作者:
Law Che Seong
;
Yeoh Lai Seng
;
Edumban Kaneasan
;
Lee Meng Chuan
;
Steven Fan Choo Kean
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
70.
Wire bonding, bumping assembly related failures improvements
机译:
引线键合,凸起和组装相关的故障和改进
作者:
Lim Y. K.
;
Yuan S.
;
Tan J. B.
;
Yeo A.
;
Hua Y. N.
;
Rao N. R.
;
Siah S. Y.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
71.
The field modulation effect of fluoride plasma treatment on blocking characteristics of AlGaN/GaN HEMT
机译:
氟化物等离子体处理对AlGaN / GaN HEMT阻断特性的现场调制效应
作者:
Young shil Kim
;
O Gyun Seok
;
Min Woo Ha
;
Min Koo Han
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
72.
Study of C4F8 gas for etch process in slow erase failure of flash memory devices
机译:
闪存器件缓慢擦除蚀刻过程中C4F8气体的研究
作者:
Sang il Hwang
;
Kim Yeong sil
;
Ki chae Yoon
;
Sang kwon Kim
;
Young sun Ko
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
73.
Geometric-component modeling in charge-pumping technique
机译:
电荷泵技术中的几何组件建模
作者:
Djezzar B.
;
Tahi H.
;
Benabdelmoumen A.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
74.
Fault localization using infra-red lock-in thermography for SOI-based advanced microprocessors
机译:
用于基于SOI的高级微处理器的红外线锁定热成像故障定位
作者:
Tan M.C.
;
Tay M.Y.
;
Qiu W.
;
Phoa S.L.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
75.
Photographic distinction of defects in multicrystalline Si by spectroscopic electroluminescence
机译:
光谱电致发光荧光缺陷的摄影区分
作者:
Kudo Kohei
;
Suzuki Hiroyoshi
;
Matsumoto Toru
;
Sugimura Emi
;
Tani Ayumi
;
Tsujii Shinichiro
;
Takamoto Soichiro
;
Fuyuki Takashi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
76.
Unipolar resistive switching and retention of RTA-treated zinc oxide (ZnO) resistive RAM
机译:
UniPolar电阻切换和RTA处理的氧化锌(ZnO)电阻RAM的保持性
作者:
Cheng-Li Lin
;
Shu-Ching Wu
;
Chi-Chang Tang
;
Yi-Hsiu Lai
;
Syuan-Ren Yang
;
Shich-Chuan Wu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
关键词:
RTA treatment;
Resistive RAM (RRAM);
Resistive switching;
Switching cycle;
Zinc oxide (ZnO);
77.
Mechanical property characterization of cu-Sn-In intermetallic thin films using microcantilevers
机译:
Cu-Sn-用微电子金属间薄膜的力学性能特征
作者:
Sasangka W.A.
;
Gan C.L.
;
Thompson C.V.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
78.
Back-side De-processing using CMP for bulk silicon 40-nm graphics processors
机译:
使用CMP为散装硅40-NM图形处理器的背面解扫处理
作者:
Wei M.S.
;
Teo C.W.
;
Chong H.B.
;
Lim S.H.
;
Narang V.
;
Chin J.M.
;
Ong M.C.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
79.
Non-destructive mechanical characterization of metal to metal bond interface for 3D-ICs
机译:
3D-ICS的金属金属的非破坏性力学表征
作者:
Made Riko I
;
Gan Chee Lip
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
80.
Impact of line spacing on microstructure and texture in damascene Cu interconnects
机译:
线间距对大胆Cu互连微观结构和纹理的影响
作者:
Guo F.
;
Chen L.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
81.
Application of X-Ray MicroCT for non-destructive failure analysis and package construction characterization
机译:
X射线MICROCT在非破坏性故障分析和包装施工表征中的应用
作者:
Cason Morgan
;
Estrada Raleigh
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
82.
Failure of gold and copper ball bonds due to intermetallic oxidation and corrosion
机译:
由于金属间氧化和腐蚀,金和铜球键失败
作者:
Breach C. D.
;
Hun Shen Ng
;
Lee Teck Kheng
;
Holliday R.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
83.
3D LSI and reliability
机译:
3D LSI和可靠性
作者:
Koyanagi Mitsumasa
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
84.
Experimental insights on the degradation and recovery of pMOSFET under non-uniform NBTI stresses
机译:
非均匀NBTI应力下PMOSFET降解和回收的实验见解
作者:
Yandong He
;
Ganggang Zhang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
85.
3D current path in stacked devices: Metrics and challenges
机译:
3D堆叠设备中的电流路径:指标和挑战
作者:
Kor H.B.
;
Infante F.
;
Perdu P.
;
Gan C.L.
;
Lewis D.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
86.
Characterization and modeling of NBTI stress, recovery, material dependence and AC degradation using R-D framework
机译:
NBTI应力,恢复,材料依赖性和AC利用R-D框架的表征及建模
作者:
Mahapatra S.
;
Islam A. E.
;
Deora S.
;
Maheta V. D.
;
Joshi K.
;
Alam M A.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
87.
Surface roughness metrology study on flip-chip substrate
机译:
倒装芯片衬底的表面粗糙度计量研究
作者:
Ong M.C.
;
Lim S.H.
;
Zhao X.L.
;
Chin J.M.
;
Wang S.R.
;
Sun W.X.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
88.
Phase transformation of programmed NiSi electrical fuse: Diffusion, agglomeration and thermal stability
机译:
编程的NISI电气保险丝的相位变换:扩散,聚集和热稳定性
作者:
Park Jongwoo
;
Kang Han-Byul
;
Gun-Rae Kim
;
Min Kim
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
关键词:
Ni agglomeration;
TEM;
eFuse;
electromigration;
phase transformation;
resistance;
89.
Advanced failure analysis of memory devices
机译:
内存设备的高级故障分析
作者:
Li Susan X.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
90.
Landscape for semiconductor analysis: Issues and challenges
机译:
半导体分析景观:问题和挑战
作者:
Kim Kinam
;
Park Gyeong-Su
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
91.
Interconnect processes and reliability for RF technology
机译:
互连的RF技术的过程和可靠性
作者:
Gambino J.P.
;
Anderson F.
;
Cooney E.
;
He J.
;
Bolam R.
;
Webb B.C.
;
Cabral C.
;
Shaw T.
;
Vanslette D.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
92.
Determination of the local Electric Field Strength near Electric Breakdown
机译:
电击局部电场强度的测定
作者:
T. Geinzer
;
R. Heiderhoff
;
J. C. H. Phang
;
L. J. Balk
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
93.
Failure Analysis of Die Crack in Lidless Packages
机译:
无盖包装中模具裂缝的故障分析
作者:
F. J. Foo
;
M. C. Ong
;
M. Y. Tay
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
94.
Evaluation of Nanowire Field-effect Transistors for Electrostatic Discharge (ESD) Applications
机译:
用于静电放电(ESD)应用的纳米线场效应晶体管的评价
作者:
Wen Liu
;
Juin J. Liou
;
You Li
;
J. Chung
;
Y. H. Jeong
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
95.
Combining High Resolution Pulsed TIVA and Nanoprobing Techniques to identify Drive Strength issues in Mixed Signal Circuits
机译:
结合高分辨率脉冲TIVA和纳米体技术来识别混合信号电路中的驱动强度问题
作者:
Ravikumar V. K.
;
Ho M. Y.
;
Goruganthu R. R.
;
Phoa S. L.
;
Narang V.
;
Chin J. M.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
96.
Electrical Characterization of Contact Level PVC (Passive Voltage Contrast) Test Using a Nanoprober
机译:
使用NaNopober的接触电平PVC(无源电压对比)测试的电气表征
作者:
Sang-Cheol Han
;
Seong-Jun Cho
;
Jeong-Un Choi
;
Jeong-Uk Han
;
Sang-Rok Hah
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
97.
The Correlation of Capacitance-Voltage Hysteresis Measurements with Performance During Accelerated Lifetime Testing of Polycrystalline Thin Film Solar Cells
机译:
电容 - 电压滞后测量在多晶薄膜太阳能电池加速寿命试验期间的性能相关性
作者:
David S.Albin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
98.
Physical Failure Analysis Cases by Electron Beam Absorbed Current Electron Beam Induced Current Detection on Nano-Probing SEM System
机译:
电子束吸收电流和电子束诱导电流检测对纳米探测SEM系统的物理故障分析案例
作者:
Wen Pin Lin
;
Hsiu Ju Chang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
99.
Degradation Behavior of TaYO_x-based Metal-Insulator-Metal Capacitors
机译:
基于Tayo_x的金属绝缘金属 - 金属电容器的降解行为
作者:
M. K. Hota
;
C. Mahata
;
S. Mallik
;
C. K. Sarkar
;
C. K. Maiti
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
100.
3-D ICs: Motivation, Performance Analysis, Technology and Applications
机译:
3-D IC:动机,性能分析,技术和应用
作者:
Krishna C. Saraswat
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
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