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IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
召开年:
2020
召开地:
Singapore(SG)
出版时间:
-
会议文集:
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769
条结果
1.
ESD Protection Design with Lateral DMOS Transistor in 40-V BCD Technology
机译:
在40V BCD技术中使用横向DMOS晶体管ESD保护设计
作者:
Chang-Tzu Wang
;
Ming-Dou Ker
;
Tien-Hao Tang
;
Kuan-Cheng Su
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
2.
How Could Device Security Against Unauthorized Internal Chip Access be Married with Design For Testability?
机译:
如何将设备安全性与未经授权的内部芯片访问进行结婚,以进行可测试性?
作者:
Peter Jacob
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
3.
In-Situ Polyimide Removal Using Modified Dual Acid Decapsulator
机译:
使用改性双酸解膜的原位聚酰亚胺去除
作者:
C. Ramachandra
;
Sarat Kumar Dash
;
M. Ravindra
;
A. M. Khan
;
B. M. Sweety
;
U. G. Chandan
;
D. Jaypal
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
4.
Advanced Direct Contact Via (DCV) Process with Ta/TaN/Ta Tri-layer Barrier for Advanced BEOL Dual Damascene Cu Interconnects
机译:
高级直接接触通孔(DCV)工艺,带TA / TAN / TA三层屏障,用于高级BEOL双镶嵌CU互连
作者:
F. X. Deng
;
D. H. Zhang
;
H. Liao
;
H. Hu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
5.
Stochastic Modeling of the Resistive Switching Mechanism in Oxide-Based Memory
机译:
基于氧化氧气的电阻切换机制的随机造型
作者:
A. Makarov
;
V. Sverdlov
;
S. Selberherr
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
6.
Ultra-Low-k Porous SiCOH Dielectric Degradation Process before Breakdown
机译:
超低k多孔SICOH介电降解过程击穿前
作者:
T. Breuer
;
U. Kerst
;
C. Boit
;
E. Langer
;
H. Ruelke
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
7.
300mm Wafer Atomic Force Probe Characterization Methodology
机译:
300mm晶圆原子力探针表征方法
作者:
Terence Kane
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
8.
Instability of p-Channel Poly-Si Thin-Film Transistors under Dynamic Negative Bias Temperature Stress
机译:
动态负偏置温度应力下P沟道多Si薄膜晶体管的不稳定性
作者:
Jie ZHOU
;
Mingxiang WANG
;
Man WONG
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
9.
Study of Ion Beam Damage on FIB Prepared TEM Samples
机译:
对FiB准备的TEM样品的离子束损伤研究
作者:
L. J. Tang
;
Y. J. Zhang
;
M. Bosnian
;
Jasmine Woo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
10.
Charge Trapping Characteristics of HfYO_x Gate Dielectrics on SiGe
机译:
SiGe上HFYO_X栅极电介质的电荷诱捕特性
作者:
S. Mallik
;
C. Mahata
;
M. K. Hota
;
C. K. Sarkar
;
C. K. Maiti
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
11.
STUDY OF ANNEALING CONDITION OF INSBN ALLOYS FABRICATED BY ION IMPLANTATION
机译:
离子注入制造的INSBN合金退火条件研究
作者:
X. Z. Chen
;
D. H. Zhang
;
Y. Wang
;
Y. J. Jin
;
J. H. Li
;
F. X. Deng
;
Sam Zhang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
12.
Current stressing effects on the reliability of Cu pillar bump with shallow solder
机译:
目前对浅焊料Cu柱凸块可靠性的强调影响
作者:
Byoung-Joon Kim
;
Myeong-Hyeok Jeong
;
Jae-Won Kim
;
Kiwook Lee
;
Jaedong Kim
;
Young-Bae Park
;
Ohsung Song
;
Young-Chang Joo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
13.
The analysis of failure rate and reliability test for LED based general lighting
机译:
基于LED的普通照明的故障率和可靠性测试分析
作者:
S. H. Park
;
K. H. Kim
;
Y. C. Ryu
;
Y. C. Lee
;
S. H. Lim
;
Y. I. Cho
;
N. Hwang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
14.
Electromigration Anisotropy and Mechanical Stress in Modern Copper Interconnect
机译:
现代铜互连中的电迁移各向异性和机械应力
作者:
H. Ceric
;
R. L. de Orio
;
S. Selberherr
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
15.
Characterization of Transient Behavior and Failure Mechanism of Polysilicon-Bound Diode under CDM-like Very-fast Transmission Line Pulsing
机译:
CDM型非常快速传输线脉冲下多晶硅结合二极管瞬态行为及失效机理的表征
作者:
You Li
;
Juin J. Liou
;
Wen Liu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
16.
How Do Power Supply Voltage, Pixel Dwell Time and Test Program Duration Affect the Accuracy of Soft Defect Localization Technique
机译:
电源电压,像素停留时间和测试程序持续时间如何影响软缺损定位技术的准确性
作者:
Wu Chunlei
;
Linda Zhai
;
Masuda Motohiko
;
Horse Ma
;
Winter Wang
;
John Liu
;
Jonathon Liu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
17.
Electrical properties and thermal stability of Ta/TaN/SiCN tri-layer barrier
机译:
TA / TAN / SICN三层屏障的电气性能和热稳定性
作者:
L. Y. Yang
;
D. H. Zhang
;
F. X. Deng
;
C. Y. Li
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
18.
Failure Analysis Methodology for Gate Oxide Breakdown Induced by PID
机译:
PID诱导栅极氧化术分解的故障分析方法
作者:
David Zhu
;
S. K. Loh
;
S. P. Neo
;
Ghim Boon Ang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
19.
Electrical Instabilities and Low-Frequency Noise in InGaZnO Thin Film Transistors
机译:
Ingazno薄膜晶体管中的电气稳定性和低频噪声
作者:
Jong-Ho Lee
;
Hyuck-In Kwon
;
Hyungcheol Shin
;
Byung-Gook Park
;
Young June Park
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
20.
Photovoltaics: from Alternative Energy to Mature Industry
机译:
光伏:从替代能源到成熟行业
作者:
Rob A. Steeman
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
21.
Layout Debugging Demonstration by FIB Circuit Edit
机译:
通过FIB电路编辑布局调试演示
作者:
Po Fu Chou
;
Chun Ming Tsai
;
Yu Hsiang Shu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
22.
Analysis of Worst-Case Hot-Carrier Conditions for High Voltage Transistors Based on Full-Band Monte-Carlo Simulations
机译:
基于全带Monte-Carlo模拟的高压晶体管最坏情况热载体条件的分析
作者:
L. A. Starkov
;
S. E. Tyaginov
;
O. Triebl
;
J. Cervenka
;
C. Jungemann
;
S. Carniello
;
J. M. Park
;
H. Enichlmair
;
M. Karner
;
Ch. Kernstock
;
E. Seebacher
;
R. Minixhofer
;
H. Ceric
;
T. Grasser
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
23.
CDM ESD Protection Design With Initial-On Concept in Nanoscale CMOS Process
机译:
CDM ESD保护设计与纳米级CMOS过程中的初始概念
作者:
Chun-Yu Lin
;
Ming-Dou Ker
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
24.
Improved Reliability of Copper Interconnects Using Alloying
机译:
利用合金化提高铜互连的可靠性
作者:
Jeffrey P. Gambino
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
25.
Absorbed-specimen Current Imaging Implementation and Characterization in Nano-Prober for Resistive Interconnects Isolation in 45-nm Silicon-on-Insulator Microprocessors
机译:
用于电阻互连的纳米探针的吸收试样电流成像和表征在45-nm硅与绝缘体微处理器中隔离
作者:
Chen Yaliang
;
Lim Soon-Huat
;
Vinod Narang
;
J. M. Chin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
26.
ESD PROTECTION DESIGN FOR LOW TRIGGER VOLTAGE AND HIGH LATCH-UP IMMUNITY
机译:
用于低触发电压和高闩锁免疫力的ESD保护设计
作者:
Jen-Chou Tseng
;
Chung-Ti Hsu
;
Chia-Ku Tsai
;
Yu-Ching Liao
;
Ming-Dou Ker
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
关键词:
ESD;
Latch-up;
Device reliability;
27.
Disparate Tendency of Stress Evolution of Thin and Thick Electroplated Cu Films at Room Temperature
机译:
在室温下薄厚电镀Cu膜的应力演化的不同趋势
作者:
Rui Huang
;
Werner Robl
;
Gerhard Dehrn
;
Hajdin Ceric
;
Thomas Detzel
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
28.
Influence of Copper Contamination on Contact Quality between Gold Wire and Nickel-Palladium Bond Pad through X-ray Photoelectron Spectroscopy
机译:
铜污染对通过X射线光电子谱的金线和镍 - 钯键合垫之间的接触质量的影响
作者:
L. F. Lew
;
A. N. L. Lau
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
29.
An overview of physical analysis of nanosize conductive path in ultrathin SiON and high-K gate dielectrics in nanoelectronic devices
机译:
纳米电子器件中超高型膜和高k栅极电介质中纳米导电路径物理分析概述
作者:
K. L. Pey
;
X. Wu
;
W. H. Liu
;
X. Li
;
N. Raghavan
;
K. Shubhakar
;
M. Bosman
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
关键词:
Failure analysis;
Filamentation;
High-K dielectric;
Interfacial layer;
Metal gate;
Percolation;
Post-breakdown;
Random telegraph noise (RTN);
Switching;
Time dependent dielectric breakdown (TDDB);
30.
Design analysis of novel substrate-triggered GGNMOS in 65nm CMOS process
机译:
65NM CMOS工艺中新型衬底触发GGNMOS的设计分析
作者:
Bo Song
;
Yan Han
;
Mingliang Li
;
Juin J. Liou
;
Shurong Dong
;
Wei Guo
;
Dahai Huang
;
Fei Ma
;
Meng Miao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
31.
Oxide Traps in MOS Transistors: Semi-Automatic Extraction of Trap Parameters from Time Dependent Defect Spectroscopy
机译:
MOS晶体管中的氧化物陷阱:从时间依赖性缺陷光谱的半自动提取陷阱参数
作者:
P.-J. Wagner
;
T. Grasser
;
H. Reisinger
;
B. Kaczer
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
32.
Temperature Control with a Thermoelectric Cooler (TEC) during Laser Decapsulation of Plastic Packages
机译:
在激光封装期间用热电冷却器(TEC)温度控制塑料包装
作者:
H. B. Kor
;
A. C. K. Chang
;
C. L. Gan
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
33.
Component Failure Analysis Using Neutron Beam Test
机译:
使用中子梁测试的组件故障分析
作者:
Tilak Gaitonde
;
Shi-Jie Wen
;
Richard Wong
;
Mark Warriner
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
34.
Hot-Carrier Degradation Modeling Using Full-Band Monte-Carlo Simulations
机译:
使用全带Monte-Carlo模拟的热载体降解建模
作者:
S. E. Tyaginov
;
L. A. Starkov
;
O. Triebl
;
J. Cervenka
;
C. Jungemann
;
S. Carniello
;
J. M. Park
;
H. Enichlmair
;
M. Karner
;
Ch. Kernstock
;
E. Seebacher
;
R. Minixhofer
;
H. Ceric
;
T. Grasser
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
35.
A new FA method used for OTP disturbance failure
机译:
一种用于OTP干扰失败的新FA方法
作者:
Chen Changqing
;
Ang Ghim Boon
;
TEO Angela
;
Neo Soh Ping
;
Wang Qingxiao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
36.
Reliability and breakdown characteristics of HfO_2-based GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors with a thin Si interface layer
机译:
基于HFO_2的GaAs金属氧化物半导体电容器的可靠性和击穿特性,具有薄Si接口层
作者:
T. Das
;
C. Mahata
;
G. K. Dalapati
;
D. Chi
;
G. Sutradhar
;
P. K. Bose
;
C. K. Maiti
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
37.
Threshold Voltage Shift in FIB Circuit Edit of Embedded Flash Device
机译:
嵌入式闪存设备的FIB电路电路阈值电压移位
作者:
Joon Chai Yeoh
;
K. C. Chong
;
Khairizam A. R.
;
Mei-Mei I. Sim
;
Meng Chuan Lee
;
Susan Li
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
38.
Flip-chip package soft failure analysis and case studies using time domain reflectometry
机译:
使用时域反射测量仪的倒装芯片封装软件分析和案例研究
作者:
L. Cao
;
L. Tran
;
A. R. Prabhu
;
M. Y. Tay
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
39.
FIB Sample Preparation for TEM Failure Analysis of Advanced Devices
机译:
FIB样品准备用于先进器件的TEM失效分析
作者:
J. Zhu
;
Q. X. Wang
;
C. Q. Chen
;
S. P. Neo
;
A. Y. Du
;
Y. N. Hua
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
40.
Physical Failure Analysis of Package Qualification for New Product and Process
机译:
新产品及流程包资质的物理故障分析
作者:
Yi-Chen Lin
;
Hung-Jia Chang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
41.
The Influence Of Decoupling Capacitor On The Discharge Behavior Of Fully Silcided Power-Clamped Device Under HBM ESD Event
机译:
去耦电容对HBM ESD事件下全硅化电力钳位装置的放电行为的影响
作者:
Jian-Hsing Lee
;
J. R. Shih
;
H. P. Kuan
;
Kenneth Wu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
42.
Quantitative Strain Analysis for Advanced CMOS Technology by Nano Beam Diffraction
机译:
纳米梁衍射对高级CMOS技术的定量应变分析
作者:
Q. X. Wang
;
J. Zhu
;
A. Y. Du
;
J. P. Liu
;
Y. N. Hua
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
43.
Simple but Efficient Reconfiguration Algorithm for Degradable VLSI/WSI Arrays
机译:
可降解VLSI / WSI阵列简单但有效的重新配置算法
作者:
Wu Jigang
;
Ting Lei
;
Thambipillai Srikanthan
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
关键词:
Degradable VLSI array;
Fault-tolerance;
Algorithm;
Routing;
Reconfiguration;
44.
Non-destructive defect depth determination at fully packaged and stacked die devices using Lock-in Thermography
机译:
使用锁定热处理的完全包装和堆叠模具设备的非破坏性缺陷深度测定
作者:
Christian Schmidt
;
Frank Altmann
;
Rudolf Schlangen
;
Herve Deslandes
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
45.
Study of turn-on characteristics of SCRs for ESD Protection with TDR-O and TDR-S TLPs
机译:
用TDR-O和TDR-S TLP研究ESD保护SCR的开启特性
作者:
Ming-xu HUO
;
Yan HAN
;
You LI
;
Bo Song
;
Juin-jie Liou
;
Shu-rong DONG
;
Kou-bao Ding
;
Wei GUO
;
Dahai Huang
;
Mingliang LI
;
Fei MA
;
Meng MIAO
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
46.
Localized degradation and breakdown study of cerium-oxide high-K gate dielectric material using scanning tunneling microscopy
机译:
扫描隧道显微镜氧化铈高k栅极电介质材料的局部降解和击穿研究
作者:
K. Shubhakar
;
K. L. Pey
;
S. S. Kushvaha
;
S. J. OShea
;
M. Bosman
;
M. Kouda
;
K. Kakushima
;
H. Iwai
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
47.
A 3-D Simulation Study of A Novel Vertical MOSFET with Source-Tied (STVMOS)
机译:
一种新型垂直MOSFET的三维仿真研究(STVMOS)
作者:
Chih-Hsuan Tai
;
Jyi-Tsong Lin
;
Yi-Chuen Eng
;
Kuan-Yu Lu
;
Cheng-Hsin Chen
;
Yu-Che Chang
;
Yi-Hsuan Fan
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
48.
Advanced failure analysis of photon emission on FEOL failing of 45nm technology node
机译:
45nm技术节点FEOL失效的光子发射的高级故障分析
作者:
Chen Changqing
;
Ang Ghim Boon
;
Ng Hui Peng
;
Yip Kim Hong
;
Wang Qingxiao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
49.
Stability of a-Si Thin Film Transistors Under Negative Gate Bias Stress
机译:
负栅极偏压下A-Si薄膜晶体管的稳定性
作者:
Dapeng ZHOU
;
Mingxiang WANG
;
Huagang LI
;
Jie ZHOU
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
50.
FIB Process for Selective and Clean Etching Copper in High Aspect Ratio Holes
机译:
在高纵横比孔中选择性和清洁蚀刻铜的FIB工艺
作者:
Vladimir V. Makarov
;
Leo Ya. Krasnobaev
;
Kirill V. Makarov
;
Pascal Gounet
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
51.
Mechanical Characterization of Copper based Metallizations with different Via-Bottom Geometries
机译:
不同通孔底几何形状的铜基金属化的力学表征
作者:
Johar Ciptokusumo
;
Kirsten Weide-Zaage
;
Oliver Aubel
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
52.
Reliability Qualification of Photovoltaic Smart Panel Electronics
机译:
光伏智能面板电子设备的可靠性资格
作者:
Prasad Chaparala
;
Erhong Li
;
Sameer Bhola
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
53.
Characterization of Hot Carrier Degradation in n-Type Poly-Si TFTs under Dynamic Drain Pulse Stress with DC Gate Bias
机译:
DC栅极偏压动态漏极脉冲应力下N型多Si TFT热载流降解的谱表征
作者:
Meng ZHANG
;
Mingxiang WANG
;
Xiaowei LU
;
Man WONG
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
54.
Reliability and Failure Analysis in Designing a Typical Operation Amplifier
机译:
设计典型操作放大器的可靠性和故障分析
作者:
W. L. Chang
;
J. Y. Luo
;
Y. Qi
;
B. Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
55.
Failure Analysis of A Low Yield Mixed-Signal Product due to Deep-Nwell Fabrication Process Marginality
机译:
低产量混合信号产品由于深层制造过程边缘性的失效分析
作者:
Aaron K. Y. Chin
;
P. H. Seah
;
F. L. Chow
;
C. Q. Koh
;
C. C. Heng
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
56.
Applications of C-AFM Analysis Techniques at Advanced IC on SRAM Soft Failure
机译:
C-AFM分析技术在高级IC对SRAM软衰竭的应用
作者:
Hong Bo Zhang
;
Wilson Lee Cheng Hoe
;
Ren De Lin
;
Wai Tuck Leong
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
57.
The Instability of n-type LTPS TFTs Alternately Operated in OFF Region with Drain Biased
机译:
N型LTPS TFT的不稳定性在截止区域时交替地使用漏极偏置
作者:
Han-Wen Liu
;
Si-Ming Chiou
;
Fang-Hsing Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
58.
Optical Induce Tungsten Plug Corrosion in CMP Process
机译:
光学诱导CMP工艺中的钨栓腐蚀
作者:
Re-Long Chiu
;
Jason Higgins
;
Sharon Ying
;
Yajiang Liu
;
Barry Dick
;
Brian Peterson
;
Ohnmar Nyi
;
Wen-Szu Chung
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
59.
FACING MORE THAN MOORE, IS MAGNETIC MICROSCOPY THE NEW SWISS KNIFE FOR 3D DEFECT LOCALIZATION IN SIP?
机译:
面对摩尔,是磁性显微镜新的瑞士刀3D缺陷定位在SIP?
作者:
P. Perdu
;
Fulvio Infante
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
60.
Hydrostatic Stress in Cu Damascene Interconnects
机译:
Cu镶嵌互连的静液压应力
作者:
G. J. Yuan
;
L. Chen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
61.
Orientation and Recrystallization of Grain Evolution in CSP Package on Board with Different Low Ag Solder
机译:
不同低AG焊料船上CSP封装中粮食演化的定向和重结晶
作者:
Chi-Ko Yul
;
Graver Chang
;
Tina Shao
;
Cherie Chen
;
Jeffrey Lee
;
TaraNylese
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
62.
Thermal Characteristics of an Advanced bMPI-based 1T-DRAM Cell
机译:
基于BMPI的1T-DRAM单元的热特性
作者:
Cheng-Hsin Chen
;
Jyi-Tsong Lin
;
Yi-Chuen Eng
;
Hsien-Nan Chiu
;
Tzu-Feng Chang
;
Yi-Hsuan Fan
;
Yu-Che Chang
;
Kuan-Yu Lu
;
Chih-Hsuan Tai
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
63.
Hot Carrier Stress Induced Negative Differential Resistance in the Output Characteristic of Poly-Si TFTs
机译:
热载体应力在多Si TFT的输出特性中引起负差分电阻
作者:
Chunfeng HU
;
Mingxiang WANG
;
Meijuan XU
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
64.
Cu-Al IMC Micro Structure Study in Cu Wire Bonding With TEM
机译:
Cu-A1MC微结构研究CU线与TEM键合
作者:
Y. Y. Tan
;
F. K. Yong
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
关键词:
Copper;
Aluminium;
IMC;
Temperature aging;
TEM;
65.
Characterization of Oxide Traps by RTN Measurement in MOSFETs and Memory Devices
机译:
MOSFET和存储器件中RTN测量的氧化阱表征
作者:
Hyungcheol Shin
;
Byoungchan Oh
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
66.
Defect Localization Using Photon Emission Microscopy Analysis with the Combination of OBIRCH Analysis
机译:
使用光子发射显微镜分析与obirch分析的组合缺陷定位
作者:
Wu Chunlei
;
Linda Zhai
;
Winter Wang
;
Grace Song
;
Li Jinglong
;
Yu Joe
;
Masuda Motohiko
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
67.
Novel Fault Localization Approach For ATPG / Scan-Fault Failures in Complex Sub-Nano FPGA/ASIC Debugging
机译:
复杂子纳米FPGA / ASIC调试中ATPG /扫描故障故障的新型故障定位方法
作者:
L. L. GOH
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
68.
Substrate Current and Its Correlation with Degradation of Poly-Si Thin Film Transistors
机译:
基板电流及其与多Si薄膜晶体管劣化的相关性
作者:
Lei LU
;
Mingxiang WANG
;
Man WONG
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
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2010年
69.
Topography and Deformation Measurement and FE Modeling Applied to substrate-mounted large area wafer-level packages (including stacked dice and TSVs)
机译:
适用于基板安装大面积晶片级包装的地形和变形测量和Fe型号(包括堆叠骰子和TSV)
作者:
M. Herd
;
S. Carniello
;
C. Cassidy
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2010年
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