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IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
召开年:
2020
召开地:
Singapore(SG)
出版时间:
-
会议文集:
-
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769
条结果
1.
Failure localization methods for System-on-Chip (SoC) using Photon Emission Microscopy
机译:
使用光子发射显微镜进行片上系统(SoC)的故障定位方法
作者:
Y. Chen
;
H. Chen
;
X. W. Zhang
;
P. Lai
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
2.
Application of Atomic Force Microscopy in IC/Discrete Failure Analysis
机译:
原子力显微镜在IC /离散故障分析中的应用
作者:
Poo Khai Yee
;
Lim Saw Sing
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
3.
Study on the interface properties and reliability of the electric-double-layer gate dielectric for Hf-In-Zn-O MIS capacitors
机译:
HF-In-Zn-O MIS电容器电双层栅极电介质的界面性能和可靠性研究
作者:
Hong-Jiu Wang
;
Yao Li
;
Xiao Zou
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
4.
Non-destructive Open Fault Isolation in Flip-chip Devices with Space-domain Reflectometry
机译:
具有空间域反射仪的倒装芯片器件中的非破坏性开放故障隔离
作者:
W. Qiu
;
S. C. Tan
;
M. Y. Tay
;
J. Gaudestad
;
V. V. Talanov
;
M. S. Wei
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
5.
Low Frequency Noise in Polycrystalline p-β-FeSi_2/Ge Heterojunction Solar Cells
机译:
多晶P-β-Fesi_2 / GE异质结太阳能电池的低频噪声
作者:
A. Bag
;
C. Mukherjee
;
S. Mallik
;
C. K. Maiti
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
6.
Fast 3D Tomography at package level by using Xe Plasma Focused Ion Beam
机译:
通过使用XE等离子聚焦离子束快速3D断层扫描
作者:
T. Hrncir
;
L. Hladik
;
M. Zadrazil
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
7.
Development of High Resolution Scanning Acoustic Tomograph for Advanced LSI Packages
机译:
高级LSI套件高分辨率扫描声学断层扫描仪的开发
作者:
Kaoru Kitami
;
Masafumi Takada
;
Osamu Kikuchi
;
Shigeru Ohno
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
8.
Corrosion Failure Analysis about Package Box of Aluminum Silicon Alloy Used for Microwave Module
机译:
用于微波模块的铝硅合金包装盒的腐蚀失效分析
作者:
Hongwei Li
;
Qiantao Cao
;
Zhiming Song
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
9.
Application of PVC to Significantly Improve the Success Rate in Locating Trench Defect using FIB after Electrical Failure Localization
机译:
PVC在电气故障定位后使用FIB显着提高定位沟槽缺陷的成功率
作者:
Nurhanani Zakaria
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
10.
Development of Failure Analysis Technique for Temperature Dependent Failures
机译:
温度依赖失败故障分析技术的开发
作者:
Noorsyuhada Hat
;
Andrew Sabate
;
Khairul Aiman Yusof
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
11.
Optimize Design on Quantum Effect Photo-detector Array Board-level Packaging
机译:
优化量子效应光检测器阵列板级包装设计
作者:
Y. P. Ge
;
F. M. Guo
;
Lin Ding
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
MCM;
Thermal Stress;
Photo-detector;
TSV(Through Silicon Via);
Coupling;
Crosstalk;
12.
Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of a PMOS transistor in 90nm technology
机译:
建立90nm技术中PMOS晶体管的脉冲光电激光激光刺激的电模型
作者:
Alexandre Sarafianos
;
Olivier Gagliano
;
Mathieu Lisart
;
Valerie Serradeil
;
Jean-Max Dutertre
;
Assia Tria
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Component;
PMOS transistor;
Pulsed PLS;
1064nm wavelength;
Parasitic bipolar transistor;
13.
Electrical Fault Isolation of Intermittent Frequency-Dependent BRAM Functional Failure using Fast Frequency Initialized Read-Only Test and Failure Pattern Commonality Analysis
机译:
使用快速频率初始化只读测试和故障模式共性分析,电气故障隔离间歇频率依赖性BRAM功能故障
作者:
Yeoh Karkeong
;
Chew Su Fang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
14.
Benefits Of Dopant Profile Approach Using Spreading Resistance Profiling
机译:
掺杂剂型材方法的优点采用抗锯齿分析
作者:
Lim Saw Sing
;
Lim Siew Ping
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
15.
Ultra High Precision Circuit Diagnosis Through Seebeck Generation and Charge Monitoring
机译:
超高精度电路诊断通过塞贝克生成和充电监控
作者:
Christian Boit
;
Clemens Helfmeier
;
Dmitry Nedospasov
;
Alexander Fox
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
16.
New Gas Applications of Backside Circuit Edit for Voiding Spontaneous Damage
机译:
背面电路编辑的新气体应用,用于排尿自发性损伤
作者:
Chun Ming Tsai
;
Yi Shiuan Huang
;
Ya Hui Lu
;
Mingte Lin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
17.
A High Latchup - Immune ESD Protection SCR-Incorporated BJT in Deep Submicron Technology
机译:
高锁定 - 免疫ESD保护SCR掺入的BJT在深度亚微米技术中
作者:
Chih-Yao Huang
;
Fu-Chien Chiu
;
Ji-Fan Chi
;
Yi-Jou Huang
;
Quo-Ker Chen
;
Jen-Chou Tseng
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
18.
Failure analysis of complicated case by functional OBIRCH method
机译:
功能性obirch方法复杂案例的故障分析
作者:
Diwei Fan
;
Li Tian
;
Miao Wu
;
Chunlei Wu
;
Winter Wang
;
Gaojie Wen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Failure analysis;
Failure mode;
Leakage current path;
Functional OBIRCH;
19.
Investigation of Chromium Contamination induced TDDB Degradation in MOSFET
机译:
MOSFET中铬污染诱导TDDB降解的研究
作者:
Chih-Jen Hsiao
;
An-Shun Teng
;
Wei-Chuan Chang
;
Yi-Yueh Chen
;
Ming-Yi Lee
;
Yuan-Shan Tsai
;
Ta-Wei Lee
;
Ding-Jang Lin
;
Allen Dai
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
20.
Real-Time Analysis of Ultra-Thin Gate Dielectric Breakdown and Recovery - A Reality
机译:
超薄栅极介电击穿和恢复的实时分析 - 现实
作者:
K. L. Pey
;
N. Raghavan
;
W. H. Liu
;
X. Wu
;
K. Shubhakar
;
M. Bosman
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Breakdown;
Filamentation;
Percolation;
Post breakdown;
Soft breakdown;
Thermal runaway;
21.
FAILURE ANALYSIS FOR VIA WITH SOLDER BUBBLE
机译:
焊泡的VIA失效分析
作者:
Wang Yang
;
Luo Daojun
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Solder bubbles;
Via;
Failure;
Cross section;
SEM;
PCBA;
22.
Dynamic HC-Induced Degradation in n-Type Poly-Si Thin Film Transistors under Off-state Gate Pulse Voltage
机译:
在断开状态栅极脉冲电压下N型多Si薄膜晶体管中的动态HC引起的劣化
作者:
Huaisheng Wang
;
Mingxiang Wang
;
Meng Zhang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Low temperature polycrystalline silicon (LTPS);
Thin-film transistor (TFT);
Hot carrier effect;
Dynamic stress;
Non-equilibrium PN junction;
23.
Thickness Measurement of Si Substrate with Infrared Laser of Optical Beam Induced Resistor Change (OBIRCH) in Failure Analysis
机译:
具有光束诱导电阻器变化(Obirch)的红外激光器在故障分析中的Si衬底的厚度测量
作者:
Li Tian
;
Miao Wu
;
Diwei Fan
;
Chunlei Wu
;
Gaojie Wen
;
Dong Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
24.
Reliability of Oxide TFT for Display Application
机译:
显示应用氧化物TFT的可靠性
作者:
J. Jang
;
J. K. Um
;
M. Mativenga
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
25.
A Novel Methodology for Passive Voltage Contrast Fault Isolation on Ultra Thin Gate Oxide Failure
机译:
一种新的超薄栅极氧化物故障被动电压对比故障隔离方法
作者:
Jinyu Tong
;
Kite Li
;
Excimer Gong
;
Qiang Guo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
26.
Degradation Characteristics and Analysis of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors under Reverse Gate Bias Step Stress
机译:
反向栅极偏置步骤应力下的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的劣化特性及分析
作者:
Chang Zeng
;
Yuansheng Wang
;
Xiao Hong
;
Ping Lai
;
Yun Huang
;
Yunfei En
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
27.
Nondestructive analysis solution using combination of Lock-in Thermography(LIT) and 3D oblique X-ray CT technology
机译:
使用锁定热成像(点亮)和3D斜X射线CT技术的组合的无损分析解决方案
作者:
Naoki Seimiya
;
Takuhei Watanabe
;
Takashi Ichinomiya
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
28.
Application of transmission EBSD in aluminium metal layer and GaAs/AlAs epitaxial layers
机译:
变速箱EBSD在铝金属层和GaAs / Alas外延层中的应用
作者:
Yi Qiang Shen
;
Esther Lee
;
Shue Yin Chow
;
Bing Sheng Khoo
;
Cambridge Kon
;
Dong Gui
;
Zhen Xiang Xing
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
29.
Failure Rate Calculation for NMOS Devices under Multiple Failure Mechanisms
机译:
多次故障机制下NMOS设备的故障率计算
作者:
Zhenwei Zhou
;
Xin Liu
;
Qian Shi
;
Yunfei En
;
Xiaohan Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
30.
Factors that affect hotspot localization in Infrared Lock-in Thermography
机译:
影响红外锁定热成像中热点定位的因素
作者:
T. M. Hoe
;
S. Y. Tan
;
K. K. Ng
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
31.
A Novel Analysis Method of Power Signal for Integrated Circuits Trojan Detection
机译:
集成电路特洛伊木马检测电力信号的一种新型分析方法
作者:
Li-wei Wang
;
Hai Xie
;
Hong-wei Luo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
32.
NBTI Life Time of a High Voltage PMOS FET
机译:
NBTI寿命的高压PMOS FET
作者:
James Yingbo Jia
;
Fengliang Xue
;
Patty Liu
;
Jon Tien
;
Alex Cai
;
Fethi Dhaoui
;
Pavan Singaraju
;
Frank Hawley
;
John McCollum
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
33.
Application of TEM for Distinguishing the Primary and Secondary Abrasives of Undiluted CMP Slurry
机译:
TEM在区分未稀释CMP浆料中的初级和二次磨料的应用
作者:
C. J. Sun
;
L. A. Tai
;
P. Sharma
;
Y. F. Ko
;
Y. C. Chen
;
C. H. Chu
;
Y. F. Hsieh
;
C. S. Yang
;
T. R. Yew
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
34.
The Evaluation of Quality and Reliability Management System in the Foundry process
机译:
铸造过程中质量和可靠性管理系统的评价
作者:
Zhang XiaoWen
;
En yunfei
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
35.
Geometric Effect on InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Analyzed with the Aid of EDX Mapping
机译:
借助EDX映射分析INAS / GAAS量子点激光器的几何效果
作者:
Rui Wang
;
Kian Seng Yee
;
Reese Phua
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
36.
Identification Of Mega Electron Volt Arcing Mechanism Through Detail Microscopic Analysis Approach
机译:
通过细节微观分析方法识别Mega电子伏电弧机构
作者:
Yong Foo Khong
;
Hong Lay Leng
;
Lim Saw Sing
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
37.
Electrical Properties of Low-k Dielectric in Copper Interconnect Structures
机译:
铜互连结构低k电介质的电性能
作者:
Mingte Lin
;
J. Liang
;
A. Juan
;
K. C. Su
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
38.
Failure Analysis Approach For TrenchMOS Devices
机译:
Trenchmos设备的故障分析方法
作者:
Oh Chong Khiam
;
Yao Yujin
;
Anna Gao
;
Li Yan
;
Loh Sock Khim
;
Lim Seng Keat
;
King Mingchu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
39.
Investigation of EOS damage Issue Induced by Failure Analysis on Back-end Test Vehicle
机译:
后端试验车失效分析诱导eos损伤问题的调查
作者:
Hong Bo Zhang
;
Kaeng Nan Liew
;
Ren De Lin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
40.
Radiation Response Analyzer of Semiconductor Dies
机译:
半导体模具的辐射响应分析仪
作者:
Mu Yifei
;
Zhao Cezhou
;
Su Shengmao
;
Zhao Yue
;
Ivona Mitrovic
;
Stephen Taylor
;
Paul Chalker
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Radiation effects;
High-k dielectrics;
41.
Photo-induced Instability and Temperature Dependence of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors
机译:
无定形IN-ZN-O薄膜晶体管的光诱导的不稳定性和温度依赖性
作者:
Jie Chen
;
Jie Xu
;
Mingxiang Wang
;
Lu Cai
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO);
Thin-film transistor (TFT);
Photo-induced instability;
Oxygen vacancy;
Spontaneous recovery;
Temperature dependence;
42.
Advanced Methodologies for Atomic-Scale Nanofabrication and Dynamic Characterization
机译:
原子级纳米制剂和动态特征的先进方法
作者:
Xing Wu
;
Litao Sun
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Transmission electron microscopy;
Dynamic characterization;
Nanofabrication;
Nanodevice;
43.
HV PMOSFET Vth (Threshold Voltage) Shift caused by HEIP after HTOL
机译:
H HTOL后Heip引起的HV PMOSFET VTH(阈值电压)换档
作者:
Lee Kyenam
;
Jang Hyunho
;
Kim Kihyun
;
Park Jeonghyeon
;
Byunghoon Lee
;
Seo Ulkyu
;
Kim Byungsub
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
44.
Anomalous Degradation Behavior of p-Type Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors under Negative Gate Bias Stress
机译:
负栅极偏压下P型多晶硅薄膜晶体管的异常降解行为
作者:
Meng ZHANG
;
Wei ZHOU
;
Rongsheng CHEN
;
Man WONG
;
Hoi-Sing KWOK
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
45.
Failure analysis based on dummy TIVA spot
机译:
基于虚拟TIVA现货的故障分析
作者:
C. Q. Chen
;
G. B. Ang
;
S. P. Zhao
;
H. P. Ng
;
S. K. LOH
;
K. H. Yip
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
46.
The Real-time Fault Diagnosis of Electrolytic Filter Capacitors in Switching Mode Power Supply
机译:
切换模式电源中电解滤波电容的实时故障诊断
作者:
Shi Zheng-Yu
;
Lu Yu-Dong
;
Ning Tao
;
Li Meng-Qi
;
Feng Jing-Dong
;
Zhou Zhen-Wei
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Switching mode power supply;
Electrolytic filter capacitor;
Fault diagnosis;
Output-ripple voltage;
47.
The Example of Circuit Analysis to Assist 2nd-generation Hot Spot for the Failure Localization
机译:
电路分析的例子,以帮助故障定位的第2代热点
作者:
Shouzhu Guo
;
Andrew Pan
;
Mingjie Xu
;
Tommy Sun
;
Li-Lung Lai
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
48.
Charge Pumping in Floating-Body SOI FinFETs
机译:
在浮体SOI FinFet中充电泵送
作者:
D. M. Fleetwood
;
E. X. Zhang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
49.
Understanding Correlated Drain and Gate Current Fluctuations
机译:
了解相关漏极和栅极电流波动
作者:
W. Goes
;
M. Toledano-Luque
;
O. Baumgartner
;
M. Bina
;
F. Schanovsky
;
B. Kaczer
;
T. Grasser
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
50.
Channel Hot-Carrier Degradation Characteristics and Trap Activities of High-k/Metal Gate nMOSFETs
机译:
高k /金属门NMOSFET的通道热载波劣化特性和陷阱活动
作者:
Weichun Luo
;
Hong Yang
;
Wenwu Wang
;
Hao Xu
;
Shangqing Ren
;
Bo Tang
;
Zhaoyun Tang
;
Jing Xu
;
Jiang Yan
;
Chao Zhao
;
Dapeng Chen
;
Tianchun Ye
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
CHC degradation;
HK/MG;
Nit;
Not;
51.
Effect of via geometry on thermal stress in dual-damascene Cu interconnects
机译:
通过几何对双镶嵌Cu互连热应力的影响
作者:
L. Chen
;
C. J. Li
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
52.
New Capability of Laser Ablation in Failure Analysis
机译:
失效分析中的激光消融的新能力
作者:
C. N. Liew
;
K. L. Khoo
;
L. S. Tiang
;
Y. J. Ng
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
53.
Recent Advances in Fault Isolation for Semiconductor Industry
机译:
半导体行业故障隔离的最新进展
作者:
Jiann Min Chin
;
Vinod Narang
;
Meng Yeow Tay
;
Shei Lay Phoa
;
Ravikumar Venkat
;
Lwin Hnin Ei
;
Soon Huat Lim
;
Chea Wei Teo
;
Syahirah Zulkifli
;
Wen Qiu
;
Joseph Tan
;
Gopi Ranganathan
;
Zi Ying Oh
;
Fang Jie Foo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
54.
The Worst Stress Condition of Hot Carrier Degradation on High Voltage LDMOSFET
机译:
高压LDMOSFET热载流子降解的最差应力条件
作者:
Sarah Zhou Huayang
;
Yongliang Song
;
Zhuo Song
;
Lisa Yu Yanju
;
Atman Zhao Yong
;
Jeff Wu
;
Venson Chang
;
Kary Chien
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
55.
Development and application of prognostics and health management technology
机译:
预后和健康管理技术的开发与应用
作者:
Xie Shao-feng
;
En Yun-fei
;
Lin Xiao-ling
;
Lu Yu-dong
;
Chen Yi-qiang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Prognostics and health management;
Fault model;
Data mining;
Sensor;
56.
Optimal Vth window in Endurance and Retention Enhancement of MLC Flash
机译:
耐久性的最佳vth窗口MLC闪光灯的保留增强
作者:
Ko Chen Hsien
;
Kuo Shuen Chao
;
Yi Heng Chen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
57.
A Novel Optical Structure of Numerical Aperture Increasing Lens (NAIL) for Resolution Improvement in Backside Failure Analysis
机译:
数字孔径增加透镜(钉子)的新型光学结构,用于改进背面故障分析
作者:
Li Tian
;
Kuibo Lan
;
Gaojie Wen
;
Miao Wu
;
Chunlei Wu
;
Diwei Fan
;
Dong Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
58.
Optical Probing of FinFETs
机译:
FINFET的光学探测
作者:
J. Fine
;
C. D. Young
;
C. Hobbs
;
G. Bersuker
;
T. Lundquist
;
C. C. Tsao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
59.
Comparative Study of Different Copper Wire Decapsulation Techniques for Failure Analysis
机译:
不同铜线解封技术对破坏分析的比较研究
作者:
Em Julius N. De La Cruz
;
Andrew C. Sabate
;
Shiela Lyn A. Estrera
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
60.
Analysis of Dynamic Retention Characteristics of NWL Scheme in High Density DRAM
机译:
高密度DRAM中NWL方案动态保留特性分析
作者:
Myungjae Lee
;
Hyungshin Kwon
;
Jonghyoung Lim
;
Hongsun Hwang
;
SeongJin Jang
;
Yonghan Roh
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
61.
New statistical post processing approach for precise fault and defect localization in TRI database acquired on complex VLSI
机译:
在复杂的VLSI上获取的TRI数据库中的精确故障和缺陷定位的新统计后处理方法
作者:
S. Chef
;
P. Perdu
;
G. Bascoul
;
S. Jacquir
;
K. Sanchez
;
S. Binczak
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
62.
Failure Analysis Considerations in Designing for EOS/ESD Robustness
机译:
EOS / ESD鲁棒性设计的故障分析考虑因素
作者:
Jean-Jacques (J-J) Hajjar
;
Alan Righter
;
Ed Wolfe
;
Andrew Olney
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
63.
Reliability Characterization exploring extreme conditions for chips' design optimization
机译:
可靠性表征探索芯片设计优化的极端条件
作者:
T. P. Chu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
64.
Interconnect Reliability Assurance for Circuits with Billions of Transistors
机译:
数十亿晶体管的电路互连可靠性保证
作者:
Timothy E. Turner
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Electromigration;
ILD TDDB Semiconductor Reliability;
65.
ISTFA Best Paper: FemtoFarad/TeraOhm Endpoint Detection for Microsurgery of Integrated Circuit Devices
机译:
ISTFA最佳纸张:集成电路器件显微外科的Femtofarad / Teraohm终点检测
作者:
Jim Colvin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
66.
A Study of Latch-up Mechanisms for Adjacent Pins on Multiple Power Supply Circuits
机译:
多电源电路相邻引脚的闩锁机构研究
作者:
Sanan Liang
;
Annie Guo
;
Jackie Ji
;
Jason Chen
;
Jamie Su
;
Juley Wang
;
Jeff Wu
;
Johnson Lin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Failure Analysis;
Latch-up;
Guard Ring;
SCR;
BJT;
67.
New Technique of Sample Preparation for 3DIC Micro_bumps Observation
机译:
用于3DIC微_bumps观察的新型样品制备技术
作者:
Chun-An Huang
;
Han-Yun Long
;
King-Ting Chiang
;
Li Chuang
;
Kevin Tsui
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
68.
Advanced Transient Thermoreflectance 2D Imaging for Integrated Circuit Sub-Micron Defect Detection and Thermal Analysis
机译:
先进的瞬态热反射2D成像,用于集成电路副微米缺陷检测和热分析
作者:
Dustin Kendig
;
Yan Zhang
;
Kazuaki Yazawa
;
Ali Shakouri
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Thermoreflectance imaging;
Thermal analysis;
Transient;
Defect detection;
69.
Faulty Failure Analyses
机译:
故障故障分析
作者:
G. Mura
;
M. Vanzi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
70.
Analysis of Dummy-Gate Dual-Directional SC (dSCR) Device for ESD Protection
机译:
用于ESD保护的虚设栅极双向SC(DSCR)设备分析
作者:
Yuan Wang
;
Guangyi Lu
;
Jian Cao
;
Song Jia
;
Ganggang Zhang
;
Xing Zhang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Electrostatic discharge (ESD);
Dual-directional silicon controlled rectifier (dSCR);
Triggering voltage;
Holding voltage;
71.
Bias-Temperature Instability of Si and Si(Ge)-channel sub-1nm EOT p-MOS devices: challenges and solutions
机译:
Si和Si(GE)的偏置 - 温度不稳定性-Channel Sub-1nm EOT P-MOS设备:挑战和解决方案
作者:
G. Groeseneken
;
M. Aoulaiche
;
M. Cho
;
J. Franco
;
B. Kaczer
;
T. Kauerauf
;
J. Mitard
;
Lars-Ake Ragnarsson
;
P. Roussel
;
M. Toledano-Luque
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
NBTI;
Charge trapping;
Sub 1-nanometer EOT;
Si(Ge) devices;
Logic device;
72.
Method to Increase Defect Localization Success Rate on Open Failure by Combining Circuit Layout Analysis with Photon Emission Microscopy
机译:
通过将电路布局分析与光子发射显微镜相结合来提高开放失效的缺陷定位成功率的方法
作者:
Lee Guan Siong
;
Aaron Chin
;
Chow Fong Ling
;
Pee Kok Keng
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
73.
Study of Abnormal Appearances on the Failed Die by FIB Milling Technology
机译:
FIB铣削技术研究失败模具的异常外观
作者:
Liyuan Liu
;
Guangning Xu
;
Fuyao Mo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
74.
An unique method to fabricate on-chip capacitors for chip-level EMC evaluation
机译:
用于制造片上电容器的独特方法,用于芯片级EMC评估
作者:
Sheng-Yu Chen
;
Vicky Siao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
EMC/EMI;
FIB;
Circuit edit;
75.
Analysis of Solder Bump Electromigration Reliability
机译:
焊料凸块电迁移可靠性分析
作者:
H. Ceric
;
R. L. de Orio
;
S. Selberherr
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
76.
Study of FIB Milling Induced Damage and Contamination on Ex-situ Lift-out TEM Specimen and Methodology to Reduce the Artifacts
机译:
纤维碾磨诱导损伤和污染在原位升空TEM标本和方法中的污染,减少伪影
作者:
Liew Kaeng Nan
;
Lee Meng Lung
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
77.
Application of EMMI Contrast Method in Failure Analysis
机译:
EMMI对比法在故障分析中的应用
作者:
Xuanlong Chen
;
Xianjun Kuang
;
Guangning Xu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
78.
High Resolution Magnetic Current Imaging for Die Level Short Localization
机译:
用于模级短定位的高分辨率磁电流成像
作者:
J. Gaudestad
;
N. Gagliolo
;
V. V. Talanov
;
R. H. Yeh
;
C. J. Ma
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
79.
Evaluation of Thermal Mapping Analysis Technique for Failure Mechanism
机译:
失效机制热映射分析技术评价
作者:
Yusnani Mohamad Yusof
;
Izhar Helmi Ahmad
;
Nur Ainn Hanis Abd Halim
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
80.
Application of Photoemission Microscopy (PEM) and Computer Aided Design (CAD) Navigation System in Localization of High Side Power Switch Open Contact Failure
机译:
光曝光显微镜(PEM)和计算机辅助设计(CAD)导航系统在高侧电源开关本地化中的应用打开触点失效
作者:
Lee Nean Sern
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
81.
Reliability Comparison on Self-Aligned Via and Punch-Through Via Etch Methods of Hard-Mask Based Cu/Ultra Low-K Interconnects
机译:
基于硬掩模CU / Ultra低k互连的硬掩模的自对准通孔和穿孔通过蚀刻方法可靠性比较
作者:
Jie Zhou
;
Zhenghao Gan
;
Minda Hu
;
Fanfei Bai
;
Lei Zhou
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Punch through (PT);
Self align via (SAV);
82.
Strain Measurement of Fin Structure using TEM Objective Lens Dark-Field Off-Axis Holography
机译:
使用TEM物镜镜片暗场脱轴全息术的翅片结构的应变测量
作者:
J. Zhu
;
H. Tan
;
A. Bello
;
D. Pham
;
Y. K. Zhou
;
B. H. Liu
;
Z. H. Mai
;
A. Y. Du
;
S. P. Zhao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
83.
Successful Failure Analysis Using Fault Diagnosis Tool and Product Characterization Board in BiCMOS Technology Low Yield Investigation
机译:
使用故障诊断工具和产品特征板在BICMOS技术低产调查中成功的故障分析
作者:
Renee Liu
;
Aaron Chin
;
Seah Pei Hong
;
Lee Wenfeng
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
84.
Failure Mechanism of Leakage Induced by Pattern-Dependent Photo Resist Distortion
机译:
图案依赖性光致抗体诱导泄漏失效机制
作者:
Miao Wu
;
Li Tian
;
Diwei Fan
;
Chunlei Wu
;
Gaojie Wen
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
85.
Design of Prognostic Circuit for Electromigration Failure of Integrated Circuit
机译:
集成电路电迁移失效预后电路设计
作者:
Y. Q. Chen
;
B. Wang
;
Y. F. Zhang
;
Y. F. En
;
Y. Huang
;
Y. D. Lu
;
L. X. Liu
;
X. H. Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Electromigration;
Prognostic circuit;
Interconnect line;
Integrated circuit;
86.
Analysis of Satellite Defects Formed in Photolithograph Process by TOF-SIMS and XPS
机译:
TOF-SIMS和XPS在光刻过程中形成的卫星缺陷分析
作者:
Lei Zhu
;
H. W. Teo
;
Y. N. Hua
;
H. L. Loh
;
C. C. Leong
;
C. H. Kam
;
S. P. Zhao
;
S. Redkar
;
D. Gui
;
Y. Q. Sheng
;
Z. X Xing
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
87.
Failure Mechanism of Flip-Chip Circuit Interconnects Induced by Electromigration
机译:
电迁移诱导的倒装芯片电路互连的故障机制
作者:
Y. D. Lu
;
B. Y. F. En
;
Z. Y. Shi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Flip chip;
Electromigration;
Interconnect;
Failure;
88.
A new failure analysis approach to predict and localize defects and weakness areas in trough-glass-vias for a multifunctional package level camera
机译:
一种新的失效分析方法,以预测槽玻璃通孔的缺陷和弱点区域进行多功能包装级相机
作者:
A. El Amrani
;
M. Bouya
;
Y. Bouissa
;
A. Benali
;
M. Faqir
;
M. Ghogho
;
A. Hadjoudja
;
L. Hlou
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
89.
Failure Analysis of a 2.5D stacking using μinsert technology
机译:
用μinsert技术进行2.5D堆叠的故障分析
作者:
Antoine Nowodzinski
;
Vincent Mandrillon
;
David Bouchu
;
Remi Franiatte
;
Herve Boutry
;
Didier Bloch
;
Karine Rousseau
;
Chevalier Lionel
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Bonding;
Insert;
Failure analysis;
STEM;
EDX;
Failure mode;
3D;
90.
Divide and Conquer Algorithm for Parallel Reconfiguration of VLSI Array with Faults
机译:
分割和征服算法,以便与故障进行平行重新配置VLSI数组
作者:
Meiting Zhou
;
Jigang Wu
;
Guiyuan Jiang
;
Xu Wang
;
Jizhou Sun
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
VLSI array;
Reconfiguration;
Divide and conquer;
Parallel algorithm;
91.
Study of process influences on the break down limit of High Voltage transistors in an embedded EEPROM CMOS technology by using EMMI and Nanoprobing
机译:
用EMMI和Nanoprobing对嵌入式EEPROM CMOS技术中高压晶体管分解极限的过程影响
作者:
Alexandre Acovic
;
Joerg Dreybrodt
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
92.
Stress Evolution on Tungsten Thin-Film of an Open Through Silicon Via Technology
机译:
通过技术通过硅的钨薄膜的压力演变
作者:
A. P. Singulani
;
H. Ceric
;
E. Langer
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
93.
Reliability Evaluation and Failure Analysis of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor by Photo Emission Microscope
机译:
光发射显微镜AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性评价与故障分析
作者:
Yuansheng Wang
;
Xiao Hong
;
Chang Zeng
;
Ping Lai
;
Yun Huang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
AlGaN/GaN;
HEMT;
Reliability;
Failure analysis;
PEM;
94.
Critical Factors on the Hermetic Characteristics of DC/DC Power Module
机译:
DC / DC电源模块密封特性的关键因素
作者:
Li Xunping
;
He Xiaoqi
;
En Yunfei
;
Guo Qi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Critical factor;
Hermetic;
DC/DC;
Glass insulator;
FEA;
95.
The Effect of Pb Contamination on the Solidification Behaviors and Mechanical Properties of Backward Compatible Solder Joints
机译:
PB污染对向后兼容焊点的凝固行为和力学性能的影响
作者:
Li Xunping
;
Zhou Bin
;
En Yunfei
;
He Xiaoqi
;
Wei Xiongfeng
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Solidification behavior;
Shear properties;
Backward compatible;
Solder joint;
96.
A Failure Analysis Technique using the Nano Electrostatic Field Probe Sensor (NEPS)
机译:
使用纳米静电场探针传感器(Neps)的故障分析技术
作者:
Seigo Ito
;
Toru Matsumoto
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
97.
Putting the Die Contour Back - Methods in Advanced Sample Preparation for 3D and Flip-Chip Devices
机译:
将模具轮廓背部置于高级样品准备中的3D和倒装芯片装置
作者:
Chris Richardson
;
Gary Liechty
;
Clay Smith
;
Michael Karow
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
98.
Investigation of Time Domain Reflectometry (TDR) on Power Mosfet Semiconductor Device
机译:
功率MOSFET半导体器件时时域反射测量仪(TDR)的研究
作者:
K. K. Ng
;
C. K. Sin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
TDR;
Backside grinding;
Laser;
Mosfet;
Characterization;
Wire configuration;
99.
Failure Analysis on non-visible front-end defects in deep NWELL implantation related process
机译:
深NWELL植入相关过程中不可见前端缺陷的故障分析
作者:
Ang Ghim Boon
;
Chen Changqing
;
Zhao Si Ping
;
Neo Soh Ping
;
Yip Kim Hong
;
Loh Sock Khim
;
Ng Hui Peng
;
Angela Teo
;
Ng Peng Tiong
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
100.
Thermal Effect on Die Warpage during Back-side Die Polishing of Flip-chip BGA Device
机译:
倒装芯片BGA器件背面模具抛光过程中模具翘曲的热效应
作者:
Monjur M.
;
Mezanur Rahman
;
Wei M. S.
;
Chong H. B.
;
Nasar-Abdat L.
;
Narang Vinod
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
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