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IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
召开年:
2020
召开地:
Singapore(SG)
出版时间:
-
会议文集:
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769
条结果
1.
A Study on the Relationship between Pad Surface Fluorine Concentration and the Formation of Pad Corrosion Defect
机译:
焊盘表面氟浓度与垫腐蚀缺陷的关系的研究
作者:
Ming Li
;
Wei-Ting Kary Chien
;
Qinqin Yu
;
Jane Qi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Pad corrosion;
Pad crystal;
Fluorine;
Bonding;
T/H (temperature and humidity) stress;
Semiconductor fabrication;
2.
Transverse Domain Wall Formation in a Free Layer: A Mechanism for Switching Failure in a MTJ-based STT-MRAM
机译:
在自由层中形成横域壁形成:一种用于在基于MTJ的STT-MRAM中切换故障的机制
作者:
Alexander Makarov
;
Viktor Sverdlov
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
MTJ;
Micromagnetic modeling;
STT-MRAM;
Switching probability;
Failure analysis;
3.
Electrical Properties of N-type CdS and P-type CdTe Thin Films in CdS/CdTe Solar Cells
机译:
CDS / CDTE太阳能电池中N型Cds和p型Cdte薄膜的电性能
作者:
Jingjin Wu
;
Ferryanto Ang
;
Cezhou Zhao
;
Jeremy S. Smith
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
CdTe;
CdS;
Thin films;
Electrical properties;
Morphology;
4.
Innovative Way of Implementing Active Voltage Contrast
机译:
实现主动电压对比度的创新方法
作者:
Andrew C. Sabate
;
Nurashikin Ismail
;
Norazfar Nordin
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
5.
Characteristic analysis of total dose irradiation annealing effect in SOI NMOSFET
机译:
SOI NMOSFET中总剂量辐射退火效应的特征分析
作者:
HE Yujuan
;
LUO Hongwei
;
EN Yunfei
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
关键词:
Total dose effect;
Irradiation;
SOI device;
Bias condition;
6.
Capacitor Dielectric Defect or Damage Localization by Photon Emission Microscopy with the Combination of OBIRCH
机译:
电容器介电缺陷或光子发射显微镜与obirch组合的损伤定位
作者:
Chunlei Wu
;
Suying Yao
;
Grace Song
;
Gaojie Wen
;
Li Tian
;
Miao Wu
;
Diwei Fan
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2013年
7.
Outgassing study of thin films used for poly-SiGe based vacuum packaging of MEMS
机译:
用于MEMS的多SiGe真空包装的薄膜的除气研究
作者:
Wang B.
;
Tanaka S.
;
Guo B.
;
Vereecke G.
;
Severi S.
;
Witvrouw A.
;
Wevers M.
;
De Wolf I.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
8.
Advanced fault isolation technique using electro-optical terahertz pulse reflectometry
机译:
采用电光太赫兹脉冲反射测量的先进故障隔离技术
作者:
Tay M. Y.
;
Cao L.
;
Venkata M.
;
Tran L.
;
Donna W.
;
Qiu W.
;
Alton J.
;
Taday P. F.
;
Lin M.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
9.
Nanoscale physical analysis of localized breakdown events in HfO2/SiOX dielectric stacks: A correlation study of STM induced BD with C-AFM and TEM
机译:
HFO2 / SiOx介质堆栈中局部分解事件的纳米级物理分析:STM诱导BD与C-AFM和TEM的相关性研究
作者:
Shubhakar K.
;
Pey K. L.
;
Bosman M.
;
Thamankar R.
;
Kushvaha S. S.
;
Loke Y. C.
;
Wang Z. R.
;
Raghavan N.
;
Wu X.
;
OShea S. J.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
10.
The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs
机译:
高k门P-MOSFET的NBTI和TDDB之间的链接
作者:
Gao Y.
;
Ang D. S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
11.
Impact of pre-existing voids on electromigration in copper interconnects
机译:
预先存在的空隙对铜互连电迁移的影响
作者:
Mario Hendro
;
Lim Meng Keong
;
Gan Chee Lip
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
12.
Interface trap distribution for HCI reliability assessment on bend gate structure by 3D TCAD simulation
机译:
3D TCAD仿真对弯曲闸门结构的HCI可靠性评估的接口陷阱分布
作者:
Prabowo Briliant Adhi
;
Amethystna Surya Kris
;
Tsai Jung-Ruey
;
Yang Shao-Ming
;
Sheu Gene
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
13.
An effective broken scan chain diagnosis flow combining software and hardware solutions for systematic failures
机译:
一种有效的破碎扫描链诊断流量,组合软件和硬件解决方案的系统故障
作者:
Goh S. H.
;
You G. F.
;
Yeoh B. L.
;
Chan Y. H.
;
Tey C. K. Chua
;
Yap C. P.
;
Lim T. Y.
;
Fei T.
;
Herrmann Thomas
;
Ho H. W.
;
He R.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
14.
Case studies on application of Time Resolved Imaging Emission Microscopy for backside timing analysis
机译:
时间分辨成像发射显微镜在后续定时分析中施加的案例研究
作者:
Uchikado A.
;
Kawanab S.
;
Okubo T.
;
Shimase A.
;
Majima T.
;
Hirai N.
;
Ito Y.
;
Nakamura T.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
15.
Ultrafast submicron thermal characterization of integrated circuits
机译:
UltraFast亚微米的集成电路热表征
作者:
Shakouri Ali
;
Maize Kerry
;
Jackson Philip
;
Wang Xi
;
Vermeersch Bjorn
;
Yazawa Kazuaki
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
16.
Failure analysis on ultra-low k film de-lamination by TOF-SIMS composition analysis
机译:
TOF-SIMS成分分析超低K薄膜去层压的失效分析
作者:
Teo Han Wei
;
Chen Shuting
;
Zhu Lei
;
Hua Younan
;
Yuan Zhao Xin
;
Heng Yong Seng
;
Li Chao Yong
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
17.
Au/Pt/Ti-Si3N4 interfacial defects analysis of a stressed SiGe HBT by using STEM nanometric characterization
机译:
使用茎纳米鉴定抗应激SiGE HBT的Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷分析
作者:
Alaeddine A.
;
Genevois C.
;
Chevalier L.
;
Daoud K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
18.
Reliability of circuits under pads for Au and Cu wire bonding
机译:
用于AU和Cu线键合垫下电路的可靠性
作者:
Gambino J. P.
;
Malinowski J.
;
Cote A.
;
Guthrie B.
;
Chapman P.
;
Vize A.
;
Bowe W.
;
Griffin C.
;
Cooney E.
;
Aoki T.
;
Chen Y.
;
Wang D.
;
Jaffe M.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
19.
Analysis of data pad open failure
机译:
数据焊盘打开失败分析
作者:
Yang Heejung
;
Lee Jaemin
;
Han Gyuwon
;
Han Seunghoon
;
Oh Duseok
;
Kim Dongsun
;
Kim Hyungtae
;
Ho Wonjoon
;
Jeong Juyoung
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
20.
Lock-in IR-OBIRCH assisted with current detection probe head extend its application to high voltage high current failure analysis
机译:
锁定IR-OBIRCH辅助电流检测探头探头将其应用于高压高电流故障分析
作者:
Wu Chunlei
;
Tian Li
;
Wu Miao
;
Fan Diwei
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
21.
Ab initio method for electromigration analysis
机译:
AB Initio用于电迁移分析方法
作者:
Ceric H.
;
De Orio R. L.
;
Zisser W. H.
;
Selberherr S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
22.
Failure analysis of latent damage in low temperature poly-silicon TFT for OLED applications
机译:
OLED应用低温聚硅TFT潜伏损伤的故障分析
作者:
Kim Dong-Sun
;
Lim Chun-Bae
;
Jung Seung-Won
;
Oh Du-Seok
;
Kim Hyung-Tae
;
Ho Won-Joon
;
Jung Ju-Young
;
Shim Jong-Pil
;
Kim Tae-Young
;
Suh Kwang S.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
23.
Fault isolation challenges and opportunities for proximal-probe imaging
机译:
近端探测成像的故障隔离挑战和机遇
作者:
Vallett D. P.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
24.
Impact of field enhancement on TDDB lifetimes of Cu/Low-k test structures
机译:
现场增强对Cu / Low-K测试结构的TDDB寿命的影响
作者:
Ong R. X.
;
Tan T. L.
;
Gan C. L.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
25.
The Auger chemical state analysis on leadframe surface contamination
机译:
引线框架表面污染的螺旋钻化学状态分析
作者:
Zakaria Nurhanani
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
26.
Scrubber clean induced device IDDQ fail
机译:
洗涤器清洁诱导装置IDDQ失败
作者:
Chiu Re-Long
;
Higgins Jason
;
Ying Shu-Lan
;
Chang Shih-Tzung
;
Chung Jones
;
Dick Barry
;
Lee Easton
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
27.
Power MOSFET breakdown voltage study for process control by SIMS
机译:
功率MOSFET击穿电压研究SIMS的过程控制
作者:
Ong K. K.
;
Zhu L.
;
Huang Y. H.
;
Hua Y. N.
;
Oh S. C.
;
Liu Z. Y.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
28.
Failure analysis on gate-driven ESD clamp circuit after TLP stresses of different voltage steps in a 16-V CMOS process
机译:
16 V CMOS工艺中不同电压步骤TLP应力后栅极驱动ESD钳位电路的故障分析
作者:
Dai Chia-Tsen
;
Chiu Po-Yen
;
Ker Ming-Dou
;
Tsai Fu-Yi
;
Peng Yan-Hua
;
Tsai Chia-Ku
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
29.
Quantitative aspects of optical IC debug using state-of-the-art backside preparation
机译:
使用最先进的背面准备光学IC调试的定量方面
作者:
Boit C.
;
Glowacki A.
;
Pagano C.
;
Kerst U.
;
Yokoyama Y.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
30.
Application of Seebeck Effect Imaging on failure analysis of via defect
机译:
塞贝克效应成像在通过缺陷的故障分析中的应用
作者:
Nordin Noor Faizah
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
31.
Dynamic degradation mechanisms of low temperature polycrystalline silicon thin-film transistors
机译:
低温多晶硅薄膜晶体管的动态劣化机制
作者:
Wang Mingxiang
;
Wang Huaisheng
;
Zhang Meng
;
Lu Xiaowei
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
32.
Charge-pumping extraction techniques for hot-carrier induced interface and oxide trap spatial distributions in MOSFETs
机译:
用于热载体诱导界面和氧化物捕集空间分布的电荷泵的提取技术在MOSFET中
作者:
Starkov I.
;
Enichlmair H.
;
Tyaginov S.
;
Grasser T.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
33.
Die-level leakage current path analysis based on IR-OBIRCH technology
机译:
基于IR-OBIRCH技术的模级漏电流路径分析
作者:
Li Jinglong
;
Wen Gaojie
;
Yu Joe
;
Song Grace
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
34.
Electrical and charge trapping properties of HfO2/Al2O3 bilayer gate dielectrics on In0.53Ga0.47As substrates
机译:
HFO2 / AL2O3双层栅极电介质电气和电荷捕获性能IN0.53GA0.47AS基板
作者:
Ghosh A. K.
;
Das T.
;
Mukherjee C.
;
Bandyopadhyay A. S.
;
Dalapati G. K.
;
Chi D.
;
Maiti C. K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
35.
A novel internal field enhanced retention degradation model for localized charge trapping memory device
机译:
局部电荷诱捕内存装置的新型内部场增强型保持劣化模型
作者:
Yu Xiao
;
Pan Liyang
;
Qiao Fengying
;
Shi Guangjian
;
Xu Jun
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
36.
Real time identification of contaminants in assembly and test
机译:
大会和试验中的污染物实时鉴定
作者:
Basilio Christopher
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
37.
Quantitative investigation of the adhesion failure of Ti-based metal thin films on Si wafers
机译:
Si晶片Ti基金属薄膜粘附失效的定量研究
作者:
Shuting Chen
;
Jie Zhu
;
Anyan Du
;
Younan Hua
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
38.
Phase and microstructure analysis by electron diffraction in semiconductor failure analysis
机译:
半导体破坏分析中电子衍射的相位和微观结构分析
作者:
Liu Binghai
;
Mo Zhiqiang
;
Lei Qiang
;
Seah Soo Sien
;
Ye Chen
;
Li Lee Gek
;
Changqing Chen
;
Oh Chong Khiam
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
39.
Improved failure analysis in 3D electronic packages by MicroCT
机译:
通过Microct改进了3D电子包中的失效分析
作者:
Roth Holger
;
Neubrand Tobias
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
40.
TEM dark-field off-axis electron holography strain measurement on embedded-SiGe pMOSFETs and comparison with nano-beam diffraction strain measurement
机译:
TEM暗场脱轴电子全息术应变测量嵌入式 - SiGe PMOSFET和纳米梁衍射应变测量的比较
作者:
Zhu J.
;
Zhou Y. K.
;
Toh S. L.
;
Mai Z. H.
;
Lam J.
;
Du A. Y.
;
Hua Y. N.
;
Rajgopal R.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
41.
Surface potential and electric field mapping of p-well/n-well junction by secondary electron potential contrast and in-situ nanoprobe biasing
机译:
通过二次电子电位对比度和原位纳米孔偏置的P孔/ N阱结的表面电位和电场映射
作者:
Lee Jeng-Han
;
Liu Po-Tsun
;
Wang M. H.
;
Lin Y. T.
;
Huan Y. S.
;
Su David
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
42.
Low frequency noise in iron disilicide hetero-junction solar cells
机译:
铁二硅化物异结太阳能电池的低频噪声
作者:
Bag A.
;
Mukherjee C.
;
Mallik S.
;
Maiti C. K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
43.
Sideways FIB TEM sample preparation for improved construction analysis in TEM
机译:
侧面FIB TEM样品制剂改进的TEM施工分析
作者:
Chong H. B.
;
Van Leer Brandon
;
Narang V.
;
Ho M. Y.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
44.
TID characterization of 0.13#x00B5;m SONOS cell in 4Mb NOR flash memory
机译:
在4MB中的0.13μmsonos细胞的TID表征NOR闪存
作者:
Qiao Fengying
;
Yu Xiao
;
Pan Liyang
;
Ma Haozhi
;
Wu Dong
;
Xu Jun
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
45.
Laser voltage probing in failure analysis of advanced integrated circuits on SOI
机译:
SOI先进集成电路故障分析的激光电压探讨
作者:
Ravikumar V. K.
;
Wampler R.
;
Ho M. Y.
;
Christensen J.
;
Phoa S. L.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
46.
Reliability concerns in copper TSV's: Methods and results
机译:
铜TSV的可靠性问题:方法和结果
作者:
Croes Kristof
;
Cherman Vladimir O.
;
Li Yunlong
;
Zhao Larry
;
Barbarin Yohan
;
De Messemaeker Joke
;
Civale Yann
;
Velenis Dimitrios
;
Stucchi Michele
;
Kauerauf Thomas
;
Redolfi Augusto
;
Dimcic Biljana
;
Ivankovic Andrej
;
Van der Plas Geert
;
De Wolf Ingrid
;
Beyer Gerald
;
Swinnen Bart
;
Tokei Zsolt
;
Beyne Eric
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
47.
Improving yield learning by rapid electrical fault inspection and localization
机译:
快速电气故障检查和定位提高产量学习
作者:
Kim Beomjun
;
Hong Jongtaek
;
Han Yongwoon
;
Kapilevich Izak
;
Block Jeff
;
Lundquist Ted
;
Kim Myung Hwan
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
48.
The correlation of performance in CdTe photovoltaics with grain boundaries
机译:
具有晶界CdTe光伏性能的相关性
作者:
Nowell M. M.
;
Wright S. I.
;
Scarpulla M. A.
;
Compaan A. D.
;
Liuc X.
;
Paudel N. R.
;
Wieland K. A.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
49.
Characterization and TCAD simulation of 90 nm technology transistors under continous photoelectric laser stimulation for failure analysis improvement
机译:
持续光电激光激光刺激下90nm技术晶体管的表征和TCAD模拟,以进行故障分析改进
作者:
Llido R.
;
Sarafianos A.
;
Gagliano O.
;
Serradeil V.
;
Goubier V.
;
Lisart M.
;
Haller G.
;
Pouget V.
;
Lewis D.
;
Dutertre J. M.
;
Tria A.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
50.
Copper wirebond package decapsulation technique using mixed acid chemistry
机译:
铜线封装封装解占技术采用混合酸化学
作者:
Ng Soo Whye
;
Zhang Hong Bo
;
Liew Kaeng Nan
;
Lee Wilson
;
De Lin Ren
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
51.
EELS chemical bond characterization of process induced damages in low-k dielectric films
机译:
鳗化学键对工艺诱导低k介电膜损伤的表征
作者:
Zhou YongKai
;
Zhu Jie
;
Du AnYan
;
Hua YouNan
;
Zhao SiPing
;
Liu Wei
;
Zhang Fan
;
Tan Juan Boon
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
52.
Local current measurements for avalanche breakdown in Silicon p-n junctions
机译:
硅P-N结中雪崩击穿的局部电流测量
作者:
Ding Y.
;
Poenar D. P.
;
Isakov D. V.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
53.
Reliability analysis of CrSi Thin Film Resistors
机译:
CRSI薄膜电阻的可靠性分析
作者:
Khor C. W.
;
Leung Calvin
;
Le Neel Olivier
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
54.
Developing functional Prototypes by package modification using plasma FIB technology
机译:
使用等离子体FIB技术通过包装改性开发功能原型
作者:
Gonzales Michael
;
Cruz Roddy
;
Parley Martin
;
Lau Jonathan
;
DiBattista Michael
;
Routh Bryan
;
Landin Trevan
;
Carleson Peter
;
Huggins Ebb
;
Mani Kenny
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
55.
Diffusion ability of Stress Induced Voiding in advanced BEOL copper process
机译:
压力诱导在高级BEOL铜过程中排尿的扩散能力
作者:
Huang Clement
;
Liang James W.
;
Juan Alex
;
Su K. C.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
56.
A simple solution for low-driving-current output buffer failed at the low voltage ESD zapping event
机译:
低电压ESD ZPAPPAPPAPPEFER的低驱动电流输出缓冲器的简单解决方案失败
作者:
Lee Jian-Hsing
;
Shih J. R.
;
Yang Dao-Hong
;
Kuan Hing-Poh
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
57.
New and novel failure analysis technique of COL package device with WBC non conductive epoxy and The failure mechanisms of the electrical shorting of the die back to the lead
机译:
具有WBC非导电环氧树脂的Col包装装置的新功能和新型故障分析技术及芯片电气短路的故障机制回到铅
作者:
Lau Zhi Jie
;
Foo Huey Shan
;
Yusof Yusnani Mohamad
;
Lee Yee Sinn
;
Law Lik Ting
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
58.
Studies on Lattice vibration, impurity and defects in MIS structures using Hf-based dielectrics on Si and SiGe substrates
机译:
基于Si和SiGe基板的HF基介质晶格振动,杂质和MIS结构缺陷的研究
作者:
Mukherjee C.
;
Mallik S.
;
Hota M. K.
;
Das T.
;
Maiti C. K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
59.
Capacitor dendrite failure analysis for lidless CPU testing
机译:
无盖CPU测试的电容器枝晶故障分析
作者:
Weidong Huang
;
Changhong Yu
;
Cimi Cui
;
Dolphin Zuo
;
Hongwei Guo
;
Chris Xie
;
Majed Anani
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
60.
Novel electrostatic discharge (ESD) protection solution in GaAs pHEMT technology
机译:
GaAs PHEMT技术的新型静电放电(ESD)保护溶液
作者:
Liou Juin J.
;
Cui Qiang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
61.
Innovative methodology for failure rate estimation from quality incidents, for ISO26262 standard requirements
机译:
质量事件的故障率估算的创新方法,用于ISO26262标准要求
作者:
Berges C.
;
Chandon Y.
;
Gubian R.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
62.
Investigation of electrochemical migration on fine pitch BGA package
机译:
精细间距BGA包装电化学迁移的研究
作者:
Chen Yi Heng
;
Hsiao Meiying
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
63.
Characterization of Si nanowires-based piezoresistive pressure sensor by dynamic cycling test
机译:
动态循环试验表征基于Si纳米线的压阻式压力传感器
作者:
Lou Liang
;
Yan Hongkang
;
He Cairan
;
Park Woo-Tae
;
Kwong Dim-Lee
;
Lee Chengkuo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
64.
Thermal analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by Infrared Microscopy
机译:
红外显微镜AlGaN / GaN高电子 - 迁移率晶体管的热分析
作者:
Zhao Miao
;
Liu Xinyu
;
Yingkui Zheng
;
Wei Ke
;
Mingzeng Peng
;
Yankui Li
;
Guoguo Liu
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
65.
Failure analysis on plasma charging induced damage due to effect of circuit layout device structure marginality
机译:
电路布局与装置结构效应血浆充电造成损伤失效分析
作者:
Chow Fong Ling
;
Chin Aaron
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
66.
Comparison of failure mechanisms of ESD GGNFET subjected to VFTLP robustness and reliability tests
机译:
VFTLP稳健性和可靠性测试的ESD GGNFET失效机制的比较
作者:
Lai Weng Hong
;
Koh C. K.
;
Khoo B. S.
;
Chen Y.
;
Chow S. Y.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
67.
Shifting time waveform induced CMOS latch up in bootstrapping technique applications
机译:
移位时间波形诱导自动启动技术应用中的CMOS锁存
作者:
Purwadi
;
Bai Shu-Ming
;
Prabowo Briliant Adhi
;
Tsai Jung-Ruey
;
Sheu Gene
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
68.
Correlation of very fast transmission line pulse (VFTLP) and Field-Induced Charged Device Model (CDM) Testing
机译:
非常快速传输线脉冲(VFTLP)和现场诱导的带电装置模型(CDM)测试的相关性的相关性
作者:
Xue Yang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
69.
Failure analysis challenges and solution for thin package
机译:
薄封装的失败分析挑战和解决方案
作者:
Ben V. S.
;
Chan W. K.
;
Idayu A. H. N.
;
Heng H. C.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
70.
Copper oxidation study by TEM
机译:
铜氧化研究
作者:
Esa Siti Rahmah
;
Yahya Rosiyah
;
Hassan Aziz
;
Omar Ghazali
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
71.
1/f Noise measurement and its doping dependencies of Si Hall sensors
机译:
1 / f噪声测量及其掺杂依赖性Si Hall传感器
作者:
Sun Kai
;
Wang Mingxiang
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
72.
Reliability properties comparison for epitaxy and non-epitaxy wafers on DRAM devices
机译:
DRAM设备上外延和非外延晶片的可靠性特性比较
作者:
Chen Yi Heang
;
Chen Chih-Wei
;
Hsiao Meiying
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
73.
TEM sample preparation by single-sided low-energy ion beam etching
机译:
TEM样品通过单侧低能量离子束蚀刻制备
作者:
Nan Liew Kaeng
;
Lung Lee Meng
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
74.
3D FinFET and other sub-22nm transistors
机译:
3D FinFET和其他子22nm晶体管
作者:
Hu Chenming
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
75.
High reliability gold based solder alloys for micro-electronics packaging for high temperature applications
机译:
高可靠性金基金焊接合金,用于高温应用的微电子包装
作者:
Chidambaram Vivek
;
Yeung Ho Beng
;
Shan Gao
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
76.
Study of underfill-to-soldermask delamination in flip-chip packages
机译:
倒装芯片封装中填充焊接掩埋分层的研究
作者:
Oh Z. Y.
;
Newman R.
;
Ong M. C.
;
Foo F. J.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
77.
Failure Analysis of damaged dielectric on resistor and capacitor with EMMI and IR-OBIRCH
机译:
EMMI和IR-OBIRCH电阻器和电容器损伤电介质的故障分析
作者:
Tian Li
;
Wu Miao
;
Fan Diwei
;
Wu Chunlei
;
Wen Gaojie
;
Wang Dong
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
78.
A temperature control solution applied to IC failure analysis at low temperature
机译:
在低温下施加到IC失效分析的温度控制溶液
作者:
Li Jinglong
;
Liu Jonathon
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
79.
Impact of line width on hydrostatic stress and stress-induced voiding in Cu interconnects
机译:
线宽对Cu互连静压应力和应力诱导的影响
作者:
Guo H. Y.
;
Chen L.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
80.
Advanced scan chain failure analysis using laser modulation mapping and continuous wave probing
机译:
高级扫描链故障分析使用激光调制映射和连续波探测
作者:
Kasapi Steven
;
Lo William
;
Liao Joy
;
Cory Bruce
;
Marks Howard
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
81.
Fault localization using IR lock-in thermography for flashover between the gate rail and the source metal clip
机译:
使用IR锁定热成像的故障定位在栅极导轨和源金属夹之间的闪光灯
作者:
Lau C. K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
82.
Signal propagation analysis by Digital Lock-in Time Resolved Imaging
机译:
信号传播分析数字锁定时间已解决成像
作者:
Bascoul Guillaume
;
Perdu Philippe
;
Lewis Dean
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
83.
A practical TEM sample preparation method for dopant profile delineation in vertical nanowire tunneling FETs
机译:
垂直纳米线隧道FET中掺杂剂型材描绘的实用TEM样品制备方法
作者:
Tang L. J.
;
Zhang Y. J.
;
Trigg Alastair
;
Li X.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
84.
Electrical diagnosis of temperature-dependent global clock failures using probeless isolation and pattern commonality analysis
机译:
使用无法隔离和模式共性分析电气诊断温度依赖的全局时钟故障
作者:
Jing Yang
;
Meng Chow Yew
;
Reyes Michael Tagala
;
Yang Johney Ou
;
Salinas Peter F
;
Tan Grace
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
85.
Alternative FIB cross section and laser ablation methods to improve failure analysis throughput of copper wire moisture related reliability failures
机译:
替代的FIB横截面和激光烧蚀方法,提高铜线湿度相关可靠性故障的失效分析吞吐量
作者:
Kho W. F.
;
Leow J. L.
;
Cheah Y. C.
;
Cheah Y. W.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
86.
Advanced SEM/SPM microscopy
机译:
高级SEM / SPM显微镜
作者:
Heiderhoff Ralf
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
87.
Anomalous single bit retention induced by asymmetric STI-corner-thinning for floating gate Flash memories
机译:
由不对称的Sti角稀疏浮动栅极闪存诱导的异常单位保留
作者:
Lee Ming-Yi
;
Hsiao Wei-Hao
;
Chen Ru-Ping
;
Kuo Li-Kuang
;
Dai Sheng-Qian
;
Ting Rong-Cyuan
;
Chen Chih-Lin
;
Chu Da-Gang
;
Lu Chih-Yuan
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
88.
Space Domain Reflectometry for open failure localization
机译:
用于打开故障定位的空间域反射仪
作者:
Gaudestad Jan
;
Talanov Vladimir
;
Gagliolo Nicolas
;
Orozco Antonio
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
89.
Case studies of laser ablation effects on Flash Memory devices
机译:
闪存器件激光烧蚀效应的案例研究
作者:
Seng Yeoh Lai
;
Chai Yeoh Joon
;
Cheng Chong Kok
;
Li Susan
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
90.
Comparison of three methods to measure the internal pressure of empty MEMS packages
机译:
三种方法测量空心封装内部压力的比较
作者:
Wang B.
;
Tanaka S.
;
De Coster J.
;
Severi S.
;
Witvrouw A.
;
Wevers M.
;
De Wolf I.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
91.
Identification of electrically active non-visual defects in advanced devices
机译:
识别先进设备中的电动非视觉缺陷
作者:
Bersuker Gennadi
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
92.
Color guided top down analysis on memory device
机译:
关于内存设备的颜色引导顶部分析
作者:
Yong F. K.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
93.
Failure analysis on multilayer ceramic capacitor (MLCC) with leakage failure caused by silver (Ag) migration in molded plastic package
机译:
模压塑料包装中银(AG)迁移引起的漏损失的多层陶瓷电容器(MLCC)的失效分析
作者:
Ng K. K.
;
Rajaratnam M.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
94.
On the fly oxide trap (otfot) concept: A new method for bias temperature instability characterization
机译:
在飞行氧化物陷阱(OTFOT)概念上:一种新方法,用于偏置温度不稳定表征
作者:
Djezzar B.
;
Tahi H.
;
Benabdelmoumene A.
;
Hadjlarbi F.
;
Chenouf A.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
95.
Noble Failure Analysis procedure for trench MOSFET technology devices through detail electrical parameter characterization and unique Fault Isolation technique
机译:
沟通MOSFET技术设备的高尚故障分析程序通过详细电气参数表征和独特的故障隔离技术
作者:
Yahya Abul Khair
;
Yusof Nik Tajuddin
;
Yusof Yusnani Mohamad
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
96.
Applications of C-AFM technique to identify localized implant related low yield issue
机译:
C-AFM技术识别局部植入物相关低产量问题的应用
作者:
Hong Seah Pei
;
Hua Zheng Xin
;
Chin Aaron
;
Guan Chan Joo
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
97.
Impact of gate oxide thickness variations on hot-carrier degradation
机译:
栅极氧化物厚度变化对热载体降解的影响
作者:
Tyaginov S. E.
;
Starkov I. A.
;
Triebl O.
;
Karner M.
;
Kernstock Ch.
;
Jungemann C.
;
Enichlmair H.
;
Park J. M.
;
Grasser T.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
98.
Failure analysis on the standby current due to dislocation in STI structure of flash memory
机译:
闪存STI结构脱位备用电流的故障分析
作者:
Kim Sang In
;
Yang Hyung Mo
;
Yang Hee Seong
;
Ahn Ju Hyeon
;
Kim Seok Sik
;
Shin Yu Gyun
;
Hwang Ki Hyun
;
Rim Ji Woon
;
Lee Woon Kyung
;
Kim Han Soo
;
Whang Sun Kyu
;
Sue Ji Woong
;
Cho Han Ku
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
99.
C-AFM analysis of advanced IC on SRAM high resistance failure
机译:
SRAM高抗性故障高级IC的C-AFM分析
作者:
Leong Wai Tuck
;
Zhang Hong Bo
;
Hoe Wilson Lee Cheng
;
De Lin Ren
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2012年
100.
Electron Beam Absorbed Current as a means of locating metal defectivity on 45nm SOI technology
机译:
电子束吸收电流作为在45nm SOI技术上定位金属缺陷的手段
作者:
Dickson K.
;
Lange G.
;
Erington K.
;
Ybarra J.
会议名称:
《IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2011年
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