机译:氟化物等离子体对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的阻挡特性的场调制效应
机译:具有漏场板和浮置场板的肖特基漏极AlGaN / GaN HEMT的反向阻挡特性和机理
机译:嵌入式栅和基于氟化物的等离子体处理方法对常关AlGaN / GaN HEMT的影响
机译:氟化物等离子体处理对AlGaN / GaN HEMT阻挡特性的场调制效应
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:基于氟化物的等离子体处理控制alGaN / GaN HEmT的阈值电压:从耗尽模式到增强模式