F等离子体处理功率对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

摘要

通过分步光刻技术将不同功率F等离子体处理HEMT(高电子迁移率晶体管)和常规耗尽型HEMT制备在同一原片上。通过对比得出。F等离子体处理功率越岛。器件阈值电压越高,最大跨导及最大电流越低。为了研究F等离子体处理功率对器件可靠性的影响,对不同功率F处理的器件施加漏台阶应力。结果显示F等离子体处理的器件应力后阈值电压均有负漂,F处理功率越大t阈值电压漂移量越小。同时,F等离子体处理的栅漏二极管电应力可靠性比未进行F等离子体处理的栅漏二极管可靠性高,且处理功率越大,可靠性越好。因此,F等离子体处理功率应折中选择,功率过小,器件可靠性差,功率过大,器件直流特性差。