机译:累积剂量γ辐照对AlGaN / GaN异质结构材料性能和HEMT器件电学性能的影响
Solid State Phys Lab, MMIC Fabricat Div, Lucknow Rd, Delhi, India|Indian Inst Technol Delhi, Dept Phys, New Delhi, India;
Univ Delhi, Dept Elect Sci, Semicond Device Res Lab, South Campus, New Delhi, India;
Solid State Phys Lab, MMIC Fabricat Div, Lucknow Rd, Delhi, India;
Solid State Phys Lab, MMIC Fabricat Div, Lucknow Rd, Delhi, India;
Solid State Phys Lab, MMIC Fabricat Div, Lucknow Rd, Delhi, India;
Solid State Phys Lab, MMIC Fabricat Div, Lucknow Rd, Delhi, India;
Indian Inst Technol Delhi, Dept Phys, New Delhi, India;
gamma irradiation; high electron mobility transistor; AlGaN/GaN heterostructures;
机译:累积剂量γ-辐照对AlGaN / GaN杂结构材料性质的影响及HEMT装置的电性能
机译:1.8 MeV质子辐照的AlGaN / GaN HEMT结构的电,光谱和化学性质与质子注量的关系
机译:质子辐射对Nbalo / AlGaN / GaN MIS-HEMT电性能的影响
机译:蓝宝石和Si(111)衬底上通过MOCVD生长二维电子气的AlGaN / GaN HEMT结构的电学和光学性质
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:极化库仑场散射对70nm栅长AlGaN / GaN HEMT的电性能的影响
机译:电子辐照对AlGaN / GaN肖特基势垒二极管电性能的影响
机译:温度和电子辐射对alGaN / GaN异质结构场效应晶体管电性能的影响