一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法

摘要

本发明涉及一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法，包括在预设的辐照温度、质子注量和质子能量的条件下，对AlGaN/GaN HEMT器件进行质子辐照。本发明实施例采用一定注量和能量的质子对AlGaN/GaN HEMT器件进行辐照，入射的质子会填充器件中存在的固有点缺陷，从而减小缺陷密度，降低缺陷对载流子的捕获，增加电荷密度，减少了栅泄露电流，提高了器件的最大饱和电流和跨导，进而改善了器件的电学性能。